[發(fā)明專利]半導(dǎo)體裝置

無(wú)效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201210310191.2
• 申請(qǐng)日: 2012-08-28
• 公開（公告）號(hào): CN103066063A
• 公開（公告）日: 2013-04-24
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 佐倉(cāng)直喜
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 瑞薩電子株式會(huì)社
• 主分類號(hào): H01L23/64
• 分類號(hào): H01L23/64
• 代理公司: 中國(guó)國(guó)際貿(mào)易促進(jìn)委員會(huì)專利商標(biāo)事務(wù)所 11038
• 代理人: 申發(fā)振

1.一種半導(dǎo)體裝置，包括：

半導(dǎo)體芯片；

具有第一表面和第二表面的引線，所述第一表面上安裝有所述半導(dǎo)體芯片，所述第二表面與所述第一表面相反；

用于耦接所述半導(dǎo)體芯片和所述引線的接合導(dǎo)線；

用于從所述第二表面支撐所述引線的一部分的樹脂基底；以及

具有為5或更大的相對(duì)介電常數(shù)的高介電層，

其中所述引線包括源電極引線和源極-導(dǎo)線結(jié)，所述源電極引線與形成于所述半導(dǎo)體芯片之上的半導(dǎo)體器件的源極耦接，所述源極-導(dǎo)線結(jié)是所述源電極引線和所述接合導(dǎo)線于其處耦接在一起的結(jié)，并且

其中所述高介電層被布置于所述引線的所述第二表面之上的區(qū)域內(nèi)，所述區(qū)域至少包括與所述源極-導(dǎo)線結(jié)對(duì)應(yīng)的位置，并且由所述基底圍繞。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中所述高介電層包括金屬氧化物和氧化硅之一。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，還包括：蓋罩，覆蓋所述半導(dǎo)體芯片并包括具有比所述高介電層的介電常數(shù)低的介電常數(shù)的樹脂。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，

其中所述源極-導(dǎo)線結(jié)包括布置于分離的位置中的第一源極-導(dǎo)線結(jié)和第二源極-導(dǎo)線結(jié)，并且

其中所述高介電層包括與所述第一源極-導(dǎo)線結(jié)對(duì)應(yīng)的第一高介電層以及與所述第二源極-導(dǎo)線結(jié)對(duì)應(yīng)的第二高介電層。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中所述引線還包括：與形成于所述半導(dǎo)體芯片之上的所述半導(dǎo)體器件的漏極耦接的漏電極引線，以及與形成于所述半導(dǎo)體芯片之上的所述半導(dǎo)體器件的柵極耦接的柵電極引線。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，

其中所述高介電層具有與所述引線相對(duì)的第一表面以及與所述第一表面相反的第二表面，

所述半導(dǎo)體裝置還包括形成于與所述第二表面相對(duì)的位置中的且與所述源電極引線耦接的另加的源電極板。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中所述高介電層是小片和芯片之一。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中所述高介電層包括許多粒子并且分布于所述基底內(nèi)。