[發(fā)明專利]半導(dǎo)體裝置

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210310191.2
• 申請日: 2012-08-28
• 公開（公告）號: CN103066063A
• 公開（公告）日: 2013-04-24
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 佐倉直喜
• 申請（專利權(quán)）人: 瑞薩電子株式會社
• 主分類號: H01L23/64
• 分類號: H01L23/64
• 代理公司: 中國國際貿(mào)易促進委員會專利商標(biāo)事務(wù)所 11038
• 代理人: 申發(fā)振

相關(guān)申請的交叉引用

在此通過引用全文并入在2011年9月9日提交的日本專利申請No.2011-196644的包括說明書、附圖和摘要在內(nèi)的公開內(nèi)容。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體裝置，并且更具體地涉及包含其上形成有用于放大高頻信號的放大電路的半導(dǎo)體芯片的半導(dǎo)體裝置。

背景技術(shù)

無線電信號系統(tǒng)包括用于處理在微波頻段內(nèi)的高頻信號的放大電路。在該放大電路的實例當(dāng)中有包括GaAs基板的場效應(yīng)晶體管（FET）。這種包括GaAs基板的FET將被稱為GaAsFET。用于處理此類高頻信號的半導(dǎo)體裝置需要用于降低與半導(dǎo)體芯片相關(guān)的寄生電容以提高高頻特性的技術(shù)。在日本專利No.3132449和日本未經(jīng)審查的專利申請No.平5(1993)-218231中公開了用于降低歸因于封裝的寄生電容的技術(shù)。這些技術(shù)通過將GaAsFET并入空心的封裝之內(nèi)來降低鄰近于半導(dǎo)體芯片的寄生電容，以便提高高頻特性。

日本專利No.3132449還公開了作為第二實施例的用于將半導(dǎo)體芯片以及與半導(dǎo)體芯片關(guān)聯(lián)的外部器件并入單個封裝內(nèi)的技術(shù)。該實施例的另一實例被公開于日本未經(jīng)審查的專利申請No.昭63(1988)-132459中。在日本未經(jīng)審查的專利申請No.昭63(1988)-132459所公開的半導(dǎo)體裝置中，所布置的旁通電容器被布置于半導(dǎo)體芯片之下且在接地端子與用于給形成于半導(dǎo)體芯片之上的電路供應(yīng)電力的電源端子之間。旁通電容器被插入引線框之間。

同時，在FET被用來形成用于放大高頻信號的放大電路的情況下，F(xiàn)ET被用來形成源極接地電路。此時，F(xiàn)ET被形成于半導(dǎo)體芯片之上并且經(jīng)由接合導(dǎo)線和引線框與外部電路耦接。由于該原因，歸因于接合導(dǎo)線和引線框的電感分量被添加于所安裝的FET的端子，作為寄生分量。該電感分量在高頻頻帶內(nèi)具有高阻抗，并因此將導(dǎo)致放大電路在高頻頻帶內(nèi)的放大因子降低。由于該原因，需要由于降低用于處理高頻信號的接地端子的阻抗的技術(shù)。在日本專利No.3328542、3612268和3825874中公開了用于處理高頻信號的半導(dǎo)體裝置的實例。

這些技術(shù)形成用于降低FET的源極（接地電極）的電感分量的串聯(lián)諧振電路。使用串聯(lián)諧振電路，這些技術(shù)降低了FET在高頻頻帶內(nèi)的源極端子的阻抗，以提高高頻特性。

發(fā)明內(nèi)容

不幸的是，使用在日本專利No.3328542、3612268和3825874中公開的串聯(lián)諧振電路的技術(shù)會降低放大電路在與預(yù)期頻率不同的頻率下的穩(wěn)定性，盡管它們能夠降低FET在特定頻率下的阻抗。例如，包括串聯(lián)諧振電路的放大電路會不利地導(dǎo)致在與預(yù)期頻率不同的頻率下的寄生振蕩。

也就是，不幸地，這些相關(guān)技術(shù)的實例無法在寬的頻帶內(nèi)獲得好的頻率特性，同時保持放大電路在寬的頻帶內(nèi)的穩(wěn)定性。

根據(jù)本發(fā)明的一方面的半導(dǎo)體裝置包括半導(dǎo)體芯片、具有以半導(dǎo)體芯片安裝于其上的第一表面以及與第一表面相對的第二表面的引線框、用于耦接半導(dǎo)體芯片和引線框的接合導(dǎo)線、以及布置于引線框的與其上安裝有半導(dǎo)體芯片的表面相反的表面之上的且具有5或更大的相對介電常數(shù)的高介電層。引線框包括與形成于半導(dǎo)體芯片之上的半導(dǎo)體器件的源極耦接的源電極引線以及源電極引線和接合導(dǎo)線于其處耦接在一起的源極-導(dǎo)線結(jié)。高介電層被布置于至少包括與在引線框的第二表面上的源極-導(dǎo)線結(jié)對應(yīng)的位置的區(qū)域內(nèi)。

根據(jù)本發(fā)明的該方面的半導(dǎo)體裝置在至少包括與引線框的第二表面之上的源極-導(dǎo)線結(jié)對應(yīng)的位置的區(qū)域內(nèi)具有高介電層。因而，在根據(jù)本發(fā)明的該方面的半導(dǎo)體裝置中，與引線框的寄生電感分量并聯(lián)耦接的電容器能夠使用這種高介電層來形成。通過使用以高介電層形成的電容器，根據(jù)本發(fā)明的該方面的半導(dǎo)體裝置能夠控制在高頻頻帶內(nèi)的歸因于寄生電感分量的源極端子的阻抗的增加。

根據(jù)本發(fā)明的該方面的半導(dǎo)體裝置能夠在寬的頻帶內(nèi)獲得良好的頻率特性，同時保持放大電路在寬的頻帶內(nèi)的穩(wěn)定性。

附圖說明

圖1是根據(jù)第一實施例的半導(dǎo)體裝置的頂視圖；

圖2是根據(jù)第一實施例的半導(dǎo)體裝置的底視圖；

圖3是根據(jù)第一實施例的半導(dǎo)體裝置的剖面圖；

圖4是安裝于基板之上的根據(jù)第一實施例的半導(dǎo)體裝置的剖面圖；

圖5是示出形成于根據(jù)第一實施例的半導(dǎo)體裝置將要安裝于其上的基板之上的底座圖形（foot?pattern）的示意圖；

圖6是示出根據(jù)第一實施例的半導(dǎo)體裝置的第一制造工藝的剖面圖；

圖7是示出根據(jù)第一實施例的半導(dǎo)體裝置的第二制造工藝的剖面圖；