[發(fā)明專利]降低串?dāng)_和提高量子效率的圖像傳感器結(jié)構(gòu)

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210309512.7
• 申請日: 2012-08-27
• 公開（公告）號: CN103426890A
• 公開（公告）日: 2013-12-04
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 蔡雙吉;楊敦年;劉人誠;洪豐基;林政賢;王文德
• 申請（專利權(quán)）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L27/146
• 分類號: H01L27/146
• 代理公司: 北京德恒律治知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11409
• 代理人: 章社杲;孫征

1.一種半導(dǎo)體器件，包括：

襯底，包括像素區(qū)域，所述像素區(qū)域結(jié)合光電二極管；

柵格，設(shè)置在所述襯底之上，所述柵格具有限定腔的壁，所述腔與所述像素區(qū)域垂直對準(zhǔn)；以及

濾色器，設(shè)置在所述柵格的壁之間的腔中。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述柵格是金屬。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述柵格包括低折射率材料。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述柵格設(shè)置在背照式膜的上方。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述濾色器包括聚合物。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，微透鏡設(shè)置在所述濾色器的頂面上方和與所述濾色器相鄰的所述柵格的壁的頂面上方。

7.一種半導(dǎo)體器件，包括：

襯底，包括像素區(qū)域，每個像素區(qū)域都結(jié)合光電二極管；

柵格，設(shè)置在所述襯底之上，所述柵格具有限定腔的壁，每個腔都與一個像素區(qū)域垂直對準(zhǔn)；

濾色器，設(shè)置在每個腔中；以及

微透鏡，設(shè)置在每個濾色器之上。

8.一種制造半導(dǎo)體器件的方法，包括：

在半導(dǎo)體器件的像素區(qū)域中形成光電二極管；

在所述襯底上方沉積覆蓋柵格層；

對所述覆蓋柵格層進(jìn)行圖案化以形成柵格，所述柵格具有限定腔的壁，所述腔垂直設(shè)置在所述像素區(qū)域上方；以及

用濾色器填充所述腔。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，進(jìn)一步包括：在所述濾色器的頂面上方沉積微透鏡。

10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，進(jìn)一步包括：在與所述濾色器相鄰的所述柵格的壁的頂面上方沉積微透鏡。