[發明專利]氧化銅摻雜的二氧化錫基的氨氣氣敏傳感器的制備方法

有效

• 申請號: 201210309002.X
• 申請日: 2012-08-28
• 公開（公告）號: CN102978578A
• 公開（公告）日: 2013-03-20
• 發明（設計）人: 潘國峰;何平;韓永;張炳強;夏克文
• 申請（專利權）人: 河北工業大學
• 主分類號: C23C14/35
• 分類號: C23C14/35;C23C14/08;G01N27/22
• 代理公司: 天津市三利專利商標代理有限公司 12107
• 代理人: 仝林葉

1.一種氧化銅摻雜二氧化錫基的氨氣氣敏傳感器的制備方法，其特征是，步驟如下：

（1）打開真空室，將純度均為99.99%的Cu靶材和Sn靶材分別放在兩個射頻濺射靶上，將Al₂O₃陶瓷管放在樣品托上，關閉真空室；

（2）濺射前將系統抽為真空，機械泵對磁控濺射室進行抽氣，當真空計指針達到1-30Pa時，啟動分子泵，利用分子泵對磁控濺射室進行抽真空，直至系統的氣壓達到10^-3-10^-5Pa；

（3）抽完真空后，打開氧氣和氬氣的氣路閥門，向系統中通入體積比為：3:1-4:1的氬氣和氧氣，通過氣體質量流量計控制真空室內的氣體壓力，使其保持在6×10⁰-3×10^-1Pa，在反應濺射過程中，氬氣為濺射氣體、氧氣為反應氣體；

（4）濺射開始時在靶與基板之間放一擋盤，預濺射10分鐘后移開擋盤，同時將Sn靶的功率調到60-80W,Cu靶的功率調到20-60W，濺射45分鐘；

（5）濺射完成后，向真空室充入氮氣，達到10⁵Pa時打開真空室取出樣品；

（6）將上述樣品在馬弗爐內，進行300℃-500℃退火1-3小時，在Al₂O₃陶瓷管表面形成所需的SnO₂薄膜，即形成氧化銅摻雜的二氧化錫基的氨氣敏傳感器。