[發(fā)明專利]一種掩膜板組及應(yīng)用掩膜板組確定對位精度范圍的方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201210308956.9 | 申請日: | 2012-08-27 |
| 公開(公告)號: | CN102866576A | 公開(公告)日: | 2013-01-09 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 張玉虎;汪雄;王軍帽;李麗麗 | 申請(專利權(quán))人: | 京東方科技集團(tuán)股份有限公司;合肥京東方光電科技有限公司 |
| 主分類號: | G03F1/42 | 分類號: | G03F1/42;G03F9/00 |
| 代理公司: | 北京同達(dá)信恒知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11291 | 代理人: | 黃志華 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 掩膜板組 應(yīng)用 確定 對位 精度 范圍 方法 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及光刻工藝,尤其涉及一種掩膜板組及應(yīng)用掩膜板組確定對位精度范圍的方法。?
背景技術(shù)
光刻是通過對準(zhǔn)、曝光等一系列步驟將掩模圖形轉(zhuǎn)移到顯示面板(例如陣列基板、彩膜基板)上的工藝過程,通常需要在顯示基板上進(jìn)行多層光刻,各層需要進(jìn)行光刻的膜層之間需要對位以保證形成的各層圖案符合工藝精度的要求,對于不同層的多次光刻,如何保證層與層之間的對位精度是光刻工藝的關(guān)鍵問題之一,對位精度是顯示面板上需要對位的層與層的光刻圖形的位置對準(zhǔn)誤差。?
為了測量兩層間的光刻對位精度,需要在測試設(shè)備上建立坐標(biāo)系,通過測量對位盒記號確定對位精度是否符合需要。但是在實際生產(chǎn)中,會出現(xiàn)測量設(shè)備無法測量的情況,比如光刻層的表面有凹凸、或有多個層次或其它原因造成的對位盒記號部分缺失或不清楚,從而導(dǎo)致對產(chǎn)品生產(chǎn)過程中的對位精度不能及時準(zhǔn)確的測量,影響生產(chǎn)的進(jìn)度和良品率。?
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供一種用于在測量設(shè)備無法測量的情況下,確定光刻對位精度是否符合要求的掩膜板組及應(yīng)用該掩膜板組確定對位精度范圍的方法。?
本發(fā)明的目的是通過以下技術(shù)方案實現(xiàn),一種掩膜板組,包括:?
同規(guī)格的第一掩膜板和至少一個第二掩膜板;?
所述第一掩膜板上設(shè)置有至少一個第一標(biāo)記,所述第一標(biāo)記包括一正方?形及正方形內(nèi)以正方形中心為中心的多個形狀相同但大小不同的圖案;?
所述第二掩膜版上設(shè)置有至少一個第二標(biāo)記,所述第二標(biāo)記與第一掩膜版上的第一標(biāo)記對應(yīng),,所述第二標(biāo)記包括一正方形,所述第二標(biāo)記的正方形小于所述第一標(biāo)記的正方形;且在同一坐標(biāo)系中,所述第二標(biāo)記的正方形的中心與所述第一標(biāo)記的正方形的中心的坐標(biāo)相同。?
進(jìn)而提供一種應(yīng)用上述掩膜板組確定對位精度范圍的方法,步驟如下:?
通過曝光將所述第一掩膜板上的所述至少一個第一標(biāo)記轉(zhuǎn)移至顯示基板上需要對位的第一層上形成至少一個第一對位標(biāo)記,所述第一對位標(biāo)記包括一正方形及正方形內(nèi)以正方形中心為中心的多個形狀相同但大小不同的圖案;?
通過曝光將所述至少一個第二掩膜板的第二標(biāo)記轉(zhuǎn)移到顯示基板上需要對位的當(dāng)前層形成與所述第一對位標(biāo)記相對應(yīng)的第二對位標(biāo)記,所述第二對位標(biāo)記包括一正方形;?
根據(jù)所述第二對位標(biāo)記的正方形與所述第一對位標(biāo)記的正方形和多個形狀相同但大小不同的的位置確定當(dāng)前光刻的對位精度范圍。?
本發(fā)明實施例取得如下有益效果:在無法建立測量坐標(biāo)系或測量工具無法準(zhǔn)確測量的情況下,可以確定光刻對位精度的范圍,進(jìn)一步還可以對光刻對位精度是否符合標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行確定。?
附圖說明
圖1A是本發(fā)明實施例一種掩膜板組中第一掩膜板示意圖;?
圖1B是本發(fā)明實施例一種掩膜板組中第二掩膜板示意圖;?
圖2是本發(fā)明實施例第一掩膜板的第一標(biāo)記放大示意圖;?
圖3是本發(fā)明實施例第二掩膜板的第二標(biāo)記放大示意圖;?
圖4是本發(fā)明另一實施例第一掩膜板示意圖;?
圖5A是本發(fā)明另一實施例第二掩膜板示意圖;?
圖5B是本發(fā)明另一實施例另一第二掩膜板示意圖;?
圖5C是本發(fā)明另一實施例另一第二掩膜板示意圖;?
圖6是本發(fā)明實施例一種確定對位精度范圍的方法流程圖;?
圖7A是本發(fā)明實施例一種確定對位精度范圍的方法中第二對位標(biāo)記在第一對位標(biāo)記中偏移的放大示意圖;?
圖7B本發(fā)明實施例中一種第二對位標(biāo)記放大示意圖;?
圖8是本發(fā)明實施例另一種確定對位精度范圍的方法中第二對位標(biāo)記在第一對位標(biāo)記中偏移的放大示意圖。?
具體實施方式
下面結(jié)合說明書附圖,對本發(fā)明實施例進(jìn)行詳細(xì)說明。?
作為本發(fā)明的第一個技術(shù)方案,掩膜板組,包括:?
同規(guī)格的第一掩膜板和至少一個第二掩膜板;?
第一掩膜板上設(shè)置有至少一個第一標(biāo)記,第一標(biāo)記包括一正方形及正方形內(nèi)以正方形中心為中心的多個形狀相同但大小不同的圖案;?
第二掩膜版上設(shè)置有至少一個第二標(biāo)記,第二標(biāo)記與第一掩膜版上的第一標(biāo)記對應(yīng),第二標(biāo)記包括一正方形,第二標(biāo)記的正方形小于第一標(biāo)記的正方形;且在同一坐標(biāo)系中,第二標(biāo)記的正方形的中心與第一標(biāo)記的正方形的中心的坐標(biāo)相同。?
多個形狀相同但大小不同的圖案可以為同心圓,正方形及其他便于對位的圖案。?
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- 專利分類
G03F 圖紋面的照相制版工藝,例如,印刷工藝、半導(dǎo)體器件的加工工藝;其所用材料;其所用原版;其所用專用設(shè)備
G03F1-00 用于圖紋面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其專門適用于此的容器;其制備
G03F1-20 .用于通過帶電粒子束(CPB)輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如通過電子束;其制備
G03F1-22 .用于通過100nm或更短波長輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射線掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制備
G03F1-36 .具有臨近校正特征的掩膜;其制備,例如光學(xué)臨近校正(OPC)設(shè)計工藝
G03F1-38 .具有輔助特征的掩膜,例如用于校準(zhǔn)或測試的特殊涂層或標(biāo)記;其制備
- 在線應(yīng)用平臺上應(yīng)用間通信的回調(diào)應(yīng)答方法、應(yīng)用及在線應(yīng)用平臺
- 應(yīng)用使用方法、應(yīng)用使用裝置及相應(yīng)的應(yīng)用終端
- 應(yīng)用管理設(shè)備、應(yīng)用管理系統(tǒng)、以及應(yīng)用管理方法
- 能力應(yīng)用系統(tǒng)及其能力應(yīng)用方法
- 應(yīng)用市場的應(yīng)用搜索方法、系統(tǒng)及應(yīng)用市場
- 使用應(yīng)用的方法和應(yīng)用平臺
- 應(yīng)用安裝方法和應(yīng)用安裝系統(tǒng)
- 使用遠(yuǎn)程應(yīng)用進(jìn)行應(yīng)用安裝
- 應(yīng)用檢測方法及應(yīng)用檢測裝置
- 應(yīng)用調(diào)用方法、應(yīng)用發(fā)布方法及應(yīng)用發(fā)布系統(tǒng)





