[發(fā)明專利]一種掩膜板組及應(yīng)用掩膜板組確定對(duì)位精度范圍的方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201210308956.9 | 申請(qǐng)日: | 2012-08-27 |
| 公開(公告)號(hào): | CN102866576A | 公開(公告)日: | 2013-01-09 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 張玉虎;汪雄;王軍帽;李麗麗 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 京東方科技集團(tuán)股份有限公司;合肥京東方光電科技有限公司 |
| 主分類號(hào): | G03F1/42 | 分類號(hào): | G03F1/42;G03F9/00 |
| 代理公司: | 北京同達(dá)信恒知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11291 | 代理人: | 黃志華 |
| 地址: | 100015 *** | 國(guó)省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 掩膜板組 應(yīng)用 確定 對(duì)位 精度 范圍 方法 | ||
1.一種掩膜板組,其特征在于,包括:
同規(guī)格的第一掩膜板和至少一個(gè)第二掩膜板;
所述第一掩膜板上設(shè)置有至少一個(gè)第一標(biāo)記,所述第一標(biāo)記包括一正方形及正方形內(nèi)以正方形中心為中心的多個(gè)形狀相同但大小不同的圖案;
所述第二掩膜版上設(shè)置有至少一個(gè)第二標(biāo)記,所述第二標(biāo)記與第一掩膜版上的第一標(biāo)記對(duì)應(yīng),所述第二標(biāo)記包括一正方形,所述第二標(biāo)記的正方形小于所述第一標(biāo)記的正方形;且在同一坐標(biāo)系中,所述第二標(biāo)記的正方形的中心與所述第一標(biāo)記的正方形的中心的坐標(biāo)相同。
2.如權(quán)利要求1所述的掩膜板組,其特征在于,所述以正方形中心為中心的多個(gè)形狀相同但大小不同的圖案為以正方形中心為圓心的多個(gè)同心圓。
3.如權(quán)利要求2所述的掩膜板組,其特征在于,所述第一掩膜板上設(shè)置有復(fù)數(shù)個(gè)第一標(biāo)記時(shí),所述第二掩膜板上設(shè)置有與所述第一標(biāo)記其中之一位置對(duì)應(yīng)的第二標(biāo)記。
4.如權(quán)利要求3所述掩膜板組,其特征在于,所述第一標(biāo)記的所述多個(gè)同心圓的半徑按照需要對(duì)位的膜層間的結(jié)構(gòu)特性確定,其中半徑最大的同心圓與所述第一標(biāo)記的正方形內(nèi)切。
5.如權(quán)利要求3所述掩膜板組,其特征在于,所述第一標(biāo)記的最小同心圓的半徑等于所述第二標(biāo)記的正方形的外接圓半徑。
6.如權(quán)利要求3所述掩膜板組,其特征在于,所述第二掩膜板有N個(gè),每個(gè)第二掩膜板上的所述第二標(biāo)記與所述第一掩膜板上的處于不同位置的N個(gè)第一標(biāo)記一一對(duì)應(yīng);其中,N≥1。
7.如權(quán)利要求6所述掩膜板組,其特征在于,所述N個(gè)第一標(biāo)記的特征相同。
8.一種利用如權(quán)利要求1所述掩膜板組確定對(duì)位精度范圍的方法,其特征在于,包括如下步驟:
通過曝光將所述第一掩膜板上的所述至少一個(gè)第一標(biāo)記轉(zhuǎn)移至顯示基板上需要對(duì)位的第一層上形成至少一個(gè)第一對(duì)位標(biāo)記,所述第一對(duì)位標(biāo)記包括一正方形及正方形內(nèi)以正方形中心為中心的多個(gè)形狀相同但大小不同的圖案;
通過曝光將所述至少一個(gè)第二掩膜板的第二標(biāo)記轉(zhuǎn)移到顯示基板上需要對(duì)位的當(dāng)前層形成與所述第一對(duì)位標(biāo)記相對(duì)應(yīng)的第二對(duì)位標(biāo)記,所述第二對(duì)位標(biāo)記包括一正方形;
根據(jù)所述第二對(duì)位標(biāo)記的正方形與所述第一對(duì)位標(biāo)記的正方形和多個(gè)形狀相同但大小不同的圖案的位置確定當(dāng)前光刻的對(duì)位精度范圍。
9.如權(quán)利要求8所述的方法,其特征在于,所述多個(gè)形狀相同但大小不同的圖案為以正方形中心為圓心的多個(gè)同心圓。
10.如權(quán)利要求9所述的方法,其特征在于,根據(jù)所述第二對(duì)位標(biāo)記的正方形與所述第一對(duì)位標(biāo)記的正方形和多個(gè)同心圓的位置確定光刻對(duì)位精度范圍,包括:
判斷所述第二對(duì)位標(biāo)記的正方形在相對(duì)于對(duì)應(yīng)的所述第一對(duì)位標(biāo)記的正方形中心的偏移方向;確定在所述偏移方向上距離所述對(duì)應(yīng)的所述第一對(duì)位標(biāo)記的正方形中心最遠(yuǎn)的所述第二對(duì)位標(biāo)記的正方形的兩個(gè)邊,根據(jù)兩個(gè)邊處于對(duì)應(yīng)的所述第一對(duì)位標(biāo)記的多個(gè)同心圓的位置,得到當(dāng)前光刻的對(duì)位精度范圍。
11.如權(quán)利要求10所述的方法,其特征在于,進(jìn)一步還包括:
若所述第二對(duì)位標(biāo)記的正方形超出對(duì)應(yīng)的所述第一對(duì)位標(biāo)記的正方形范圍,則當(dāng)前光刻的對(duì)位精度范圍不符合要求;
若所述第二對(duì)位標(biāo)記的正方形未超出對(duì)應(yīng)的所述第一對(duì)位標(biāo)記的正方形范圍,且得到的對(duì)位精度范圍在規(guī)定的范圍內(nèi),則當(dāng)前光刻的對(duì)位精度范圍符合要求。
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G03F 圖紋面的照相制版工藝,例如,印刷工藝、半導(dǎo)體器件的加工工藝;其所用材料;其所用原版;其所用專用設(shè)備
G03F1-00 用于圖紋面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其專門適用于此的容器;其制備
G03F1-20 .用于通過帶電粒子束(CPB)輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如通過電子束;其制備
G03F1-22 .用于通過100nm或更短波長(zhǎng)輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射線掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制備
G03F1-36 .具有臨近校正特征的掩膜;其制備,例如光學(xué)臨近校正(OPC)設(shè)計(jì)工藝
G03F1-38 .具有輔助特征的掩膜,例如用于校準(zhǔn)或測(cè)試的特殊涂層或標(biāo)記;其制備
- 在線應(yīng)用平臺(tái)上應(yīng)用間通信的回調(diào)應(yīng)答方法、應(yīng)用及在線應(yīng)用平臺(tái)
- 應(yīng)用使用方法、應(yīng)用使用裝置及相應(yīng)的應(yīng)用終端
- 應(yīng)用管理設(shè)備、應(yīng)用管理系統(tǒng)、以及應(yīng)用管理方法
- 能力應(yīng)用系統(tǒng)及其能力應(yīng)用方法
- 應(yīng)用市場(chǎng)的應(yīng)用搜索方法、系統(tǒng)及應(yīng)用市場(chǎng)
- 使用應(yīng)用的方法和應(yīng)用平臺(tái)
- 應(yīng)用安裝方法和應(yīng)用安裝系統(tǒng)
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- 應(yīng)用檢測(cè)方法及應(yīng)用檢測(cè)裝置
- 應(yīng)用調(diào)用方法、應(yīng)用發(fā)布方法及應(yīng)用發(fā)布系統(tǒng)





