[發(fā)明專利]一種處理LED芯片多金異常的方法

無效

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• 申請日: 2012-08-27
• 公開（公告）號: CN103633195A
• 公開（公告）日: 2014-03-12
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 樊邦揚
• 申請（專利權(quán)）人: 鶴山麗得電子實業(yè)有限公司
• 主分類號: H01L33/00
• 分類號: H01L33/00
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明屬于LED芯片制造領(lǐng)域，尤其涉及一種處理LED芯片多金異常的方法。?

背景技術(shù)

發(fā)光二極管（LED）可將電能轉(zhuǎn)化為光能，目前用于制作LED芯片的襯底的材料大抵分為藍寶石、硅、碳化硅三種。以藍寶石為襯底制作的發(fā)光二極管，由磊晶通過氣相沉積使GaN材料在藍寶石襯底上形成外延層。本文中的發(fā)光二極管芯片包括：N型半導體層、形成于N型半導體層上的發(fā)光層、形成于發(fā)光層上的P型半導體層、形成于P型半導體層上的透明導電層、形成于透明導電層上的P電極和形成于N型半導體層上的N電極。在傳統(tǒng)生產(chǎn)中的，電極經(jīng)由蒸鍍完成。為降低生產(chǎn)成本與改善電極表面狀況，可引入化鍍金制程，即：進行電極的制作時，通過蒸鍍形成P、N兩個薄電極，在薄電極的基礎(chǔ)上通過化鍍形成滿足厚度需求的進電極層，圖1示出了電極的形成方式。?

在實際生產(chǎn)中，由于化鍍金制程中的異常，造成芯片表面除電極外的其他區(qū)域生成金層或金顆粒，即本文中所述的多金異常。所述的金層或金顆粒在芯片表面吸收芯片所發(fā)出的光，造成出光效率降低；若所述金層或金顆粒形成于芯片邊緣，由于存在尖端放電效應，可能造成芯片在使用過程中被擊穿，從而導致芯片失效。為防止所述異常發(fā)生，一般需將電極外的金層或金顆粒去除。目前對于所述芯片的處理方式主要有兩種：待研磨切割后將異常芯片挑走；重工。?

對上文所述的處理方式中，待研磨切割后將異常芯片挑走，造成產(chǎn)品的損失，所挑走的晶粒難以進行處理，同時造成人員操作的不便。?

上文所述的處理方式之重工，其工藝為：去除電極及透明導電層→制作透明導電層→透明導電層黃光制程→透明導電層蝕刻與光阻去除→電極圖形黃光制程→制作電極→化學鍍金。在重工工藝過程中，需使用王水等強酸去除電極及透明導電層；在形成透明導電層和電極的過程中，需對透明導電層和電極進行高溫熱處理。此處理方式的缺點在于：一、重工工序多，流程長，造成物料損?耗大，占用工時多；二、因透明導電層在正常流程中已與P型半導體層進行過熱處理，兩者間已有較好的融合，使用強酸將透明導電層去掉后，可能破壞P型導體層的界面，使重工時的透明導電層無法與P型半導體層很好的融合，最終造成產(chǎn)品正向電壓偏高。?

發(fā)明內(nèi)容

針對上述對多金異常的處理方式的不足：物料、產(chǎn)品損耗大，占用工時多，產(chǎn)品不良概率增大，本發(fā)明的目的是提供一種快速有效地處理多金異常的方法，此方法具有很高的選擇性，可在去除多金異常的情況下保護芯片的其他結(jié)構(gòu)，對芯片的其他結(jié)構(gòu)無影響。?

為了實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明所提供的技術(shù)方案是一種處理LED芯片多金異常的方法，其步驟包括：使用光阻覆蓋芯片，并通過黃光制程得到圖形以保護電極；將電極已被保護的芯片放入至含碘的碘化鉀溶液中腐蝕；將芯片取出，清洗并吹干；所述芯片吹干后放入去光阻液中去除光阻；光阻去除后將芯片放入去離子水中進行清洗并吹干。?

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的有益效果為：由于處理多金異常的過程中，對芯片結(jié)構(gòu)未有影響，可使芯片不因重工導致正向電壓升高；由于不需重新制作透明導電層與電極，節(jié)省了物料與工時；由于有效處理了多金異常，減少研磨切割后不良晶粒的挑選，提升了產(chǎn)量，減少了產(chǎn)品的損失；由于有效處理了多金異常，減少了金層或金顆粒的存在，保證了芯片的出光效率與穩(wěn)定性。?

優(yōu)選的，為防止碘化鉀溶液對因制程過程中裸露的透明導電層造成傷害，選用的碘化鉀溶液中不含其它酸類物質(zhì)，其主要成份為K+、I-、I₂，其余為水；?

優(yōu)選的，使用常溫碘化鉀溶液進行腐蝕，以防止其揮發(fā)；?

優(yōu)選的，保護電極的光阻圖形邊沿比電極邊沿尺寸大2-8um，以更好地保護電極；?

優(yōu)選的，光阻圖形邊沿比電極邊沿尺寸大5um；?

優(yōu)選的，碘化鉀溶液腐蝕后用熱水清洗芯片，使清洗更加干凈。?

附圖說明

下面結(jié)合附圖和具體實施方式對本發(fā)明作進一步詳細的說明。?

圖1所示為芯片電極形成方式；?

圖2所示為電極受光阻保護后的芯片結(jié)構(gòu)圖；?

圖3所示為本發(fā)明一種處理LED芯片多金異常的方法的流程圖。?

具體實施方式

圖1為芯片電極形成方式，Cr層，形成在Cr層上的Pt層，形成在Pt層上的薄金層，形成在薄金層上的化鍍金層。?