[發(fā)明專利]大尺寸單晶硅片表面有機(jī)物沾污的紅外透射檢測(cè)方法無(wú)效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201210308369.X | 申請(qǐng)日: | 2012-08-28 |
| 公開(公告)號(hào): | CN103091277A | 公開(公告)日: | 2013-05-08 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 潘國(guó)峰;劉玉嶺;王如;牛新環(huán);孫鳴;劉暢 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 河北工業(yè)大學(xué) |
| 主分類號(hào): | G01N21/35 | 分類號(hào): | G01N21/35 |
| 代理公司: | 天津市三利專利商標(biāo)代理有限公司 12107 | 代理人: | 仝林葉 |
| 地址: | 300130 *** | 國(guó)省代碼: | 天津;12 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 尺寸 單晶硅 表面 有機(jī)物 沾污 紅外 透射 檢測(cè) 方法 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
?本發(fā)明涉及基于紅外透射的方法測(cè)量硅表面的有機(jī)物領(lǐng)域,更具體的說(shuō)是,涉及利用到傅立葉變換紅外光譜儀檢測(cè)硅表面的有機(jī)物。
背景技術(shù)
集成電路工藝對(duì)缺陷十分敏感,極微量的缺陷都會(huì)對(duì)器件的性能產(chǎn)生影響。硅片表面的有機(jī)物會(huì)嚴(yán)重影響器件的性能、可靠性和成品率。硅片表面的有機(jī)物以前通過(guò)解吸和氣相色譜法檢測(cè),實(shí)驗(yàn)方法復(fù)雜速度慢,并且只適用于直徑小于50mm的硅片。
發(fā)明內(nèi)容
?本發(fā)明所要解決的技術(shù)問(wèn)題是,克服上述現(xiàn)有技術(shù)中存在的缺陷,提供一種適合于大直徑薄硅片表面有機(jī)物的無(wú)損檢測(cè)方法。
本發(fā)明大尺寸單晶硅片表面有機(jī)物沾污的紅外透射檢測(cè)方法,按照下述步驟進(jìn)行:使用紅外光譜儀測(cè)量直徑150-300mm的大直徑硅片中測(cè)試點(diǎn)的碳?xì)滏I和碳氧鍵是否存在,所述測(cè)試點(diǎn)為在晶圓上選取的星型分布的17個(gè)點(diǎn),其中邊緣點(diǎn)距離晶圓邊緣10mm,中心點(diǎn)為晶圓的中心點(diǎn),中間分別為邊緣點(diǎn)與中心點(diǎn)之間的中點(diǎn);上述任意一個(gè)測(cè)試點(diǎn)如果在1500?cm-1-3500?cm-1區(qū)域有明顯吸收峰,表明存在有機(jī)沾污物,即為硅片表面有堿性拋光液的殘留。
采用FT-IR(傅里葉變換紅外光譜儀)對(duì)每個(gè)測(cè)試點(diǎn)進(jìn)行掃描,掃描次數(shù)為32次,分辨率不低于4.0cm-1。
?本發(fā)明中要求所用的硅晶片有較高的電阻,室溫下電阻率大于O.lΩ.cm?。本發(fā)明是利用有機(jī)碳和無(wú)機(jī)碳吸收峰位置的不同,進(jìn)而快速準(zhǔn)確的發(fā)現(xiàn)有機(jī)物并確定種類。通過(guò)紅外光譜儀的測(cè)定:1500?cm-1以下硅中間隙氧最強(qiáng)吸收的位置為1111.32?cm-1,硅襯底碳即替位碳的吸收位置為609.69cm-1;在1500cm-1-3500cm-1范圍內(nèi)存在3000cm-1-3800cm-1附近的水的吸收峰和2400cm-1附近的二氧化碳吸收峰,這是由于測(cè)試環(huán)境引起的不可避免因素,但除此之外出現(xiàn)的其他吸收峰:1600cm-1附近的羥基吸收峰和1500cm-1-1680cm-1范圍內(nèi)的一個(gè)強(qiáng)吸收峰以及出現(xiàn)在1700cm-1-1800cm-1處的碳氧吸收峰和2830cm-1-3300cm-1范圍內(nèi)的2個(gè)強(qiáng)吸收峰均表明硅片表面存在有機(jī)沾污物,即堿性拋光液的殘留,也就是不合要求的。
?本發(fā)明通過(guò)紅外光譜分析儀與map300全自動(dòng)大樣品臺(tái)相結(jié)合使用,適合于直徑150-300mm的大直徑薄單晶硅片表面有機(jī)物的檢測(cè)。
附圖說(shuō)明
圖1是晶圓片上顆粒測(cè)量測(cè)試點(diǎn)選取示意圖;
圖2是單晶硅片表面紅外透射光譜圖。
具體實(shí)施方式
本發(fā)明方法是采用紅外鏡透射檢測(cè)大尺寸硅片。實(shí)驗(yàn)前,紅外光譜儀安裝map300附件,將300mm硅片拋光清洗,經(jīng)真空干燥或氮?dú)獯祾吒稍锖髾z測(cè),檢測(cè)過(guò)程如下:
1、啟動(dòng)儀器。
按光學(xué)臺(tái)、打印機(jī)及電腦順序開啟儀器。光學(xué)臺(tái)開啟后3min即可穩(wěn)定。
2、安裝map300附件,雙擊桌面ECO軟件,進(jìn)入ECO的操作界面。
3、設(shè)置測(cè)量參數(shù)
(1)左鍵單擊“Application”按鈕,選擇“CO”,以測(cè)定碳氧含量。
(2)左鍵單擊“Method”,選擇“Standard?CO2”,即選擇系統(tǒng)內(nèi)的已建模型進(jìn)行定量。
(3)左鍵單擊“Operator”,選擇“Service?engineer”,即選擇用戶類型,以匹配權(quán)限。
(4)確認(rèn)無(wú)誤后,點(diǎn)擊“Set?up?Module”,進(jìn)入測(cè)試模塊。
(5)選擇“Method?Setup”,點(diǎn)擊“Method?Setup”:
點(diǎn)擊“General?Parameters”,進(jìn)行參數(shù)設(shè)置。由于本測(cè)量采用的是300mm硅片,所以在“300?mm(12?inch)”處勾選;
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- 專利分類
G01N 借助于測(cè)定材料的化學(xué)或物理性質(zhì)來(lái)測(cè)試或分析材料
G01N21-00 利用光學(xué)手段,即利用紅外光、可見光或紫外光來(lái)測(cè)試或分析材料
G01N21-01 .便于進(jìn)行光學(xué)測(cè)試的裝置或儀器
G01N21-17 .入射光根據(jù)所測(cè)試的材料性質(zhì)而改變的系統(tǒng)
G01N21-62 .所測(cè)試的材料在其中被激發(fā),因之引起材料發(fā)光或入射光的波長(zhǎng)發(fā)生變化的系統(tǒng)
G01N21-75 .材料在其中經(jīng)受化學(xué)反應(yīng)的系統(tǒng),測(cè)試反應(yīng)的進(jìn)行或結(jié)果
G01N21-84 .專用于特殊應(yīng)用的系統(tǒng)





