[發明專利]大尺寸單晶硅片表面有機物沾污的紅外透射檢測方法

無效

• 申請號: 201210308369.X
• 申請日: 2012-08-28
• 公開（公告）號: CN103091277A
• 公開（公告）日: 2013-05-08
• 發明（設計）人: 潘國峰;劉玉嶺;王如;牛新環;孫鳴;劉暢
• 申請（專利權）人: 河北工業大學
• 主分類號: G01N21/35
• 分類號: G01N21/35
• 代理公司: 天津市三利專利商標代理有限公司 12107
• 代理人: 仝林葉

1.一種大尺寸單晶硅片表面有機物沾污的紅外透射檢測方法，其特征是，按照下述步驟進行：使用紅外光譜儀檢測直徑150-300mm的單晶硅片中測試點的碳氫鍵和碳氧鍵是否存在，所述測試點為在晶圓上選取的星型分布的17個點，其中邊緣點距離晶圓邊緣10mm，中心點為晶圓的中心點，中間分別為邊緣點與中心點之間的中點；上述任意一個測試點，如果在1500?cm^-1-3500?cm^-1區域有明顯吸收峰，表明存在有機沾污物，即為硅片表面有堿性拋光液的殘留。

2.根據權利要求1所述的大尺寸單晶硅片表面有機物沾污的紅外透射檢測方法，其特征是，所述紅外光譜儀為傅里葉變換紅外光譜儀，對每個測試點進行掃描，掃描次數為32次，分辨率為4.0cm^-1。

3.?根據權利要求1所述的大尺寸單晶硅片表面有機物沾污的紅外透射檢測方法，其特征是，所述直徑150-300mm的單晶硅片在室溫下電阻率大于O.lΩ．cm?。