[發(fā)明專利]化學氣相沉積維修設備

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210307094.8
• 申請日: 2012-08-24
• 公開（公告）號: CN102828166A
• 公開（公告）日: 2012-12-19
• 發(fā)明（設計）人: 汪雯;劉國全;李建敏;鄭杰;滕飛
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司;合肥京東方光電科技有限公司
• 主分類號: C23C16/44
• 分類號: C23C16/44;C23C16/48;C23C16/16
• 代理公司: 北京中博世達專利商標代理有限公司 11274
• 代理人: 申健

技術領域

本發(fā)明涉及機械領域，尤其涉及一種化學氣相沉積維修設備。

背景技術

在制備液晶顯示設備的顯示模組的過程中，有時會在薄膜晶體管（Thin?Film?Transistor，以下簡稱TFT）陣列基板上出現(xiàn)金屬膜斷裂或缺陷的不良點，此時如果遺棄整個顯示模組則會造成較大地浪費，故可以通過化學氣相沉積(Chemical?Vapor?Deposition，以下簡稱CVD)維修設備對顯示模組進行維修。

使用現(xiàn)有的CVD維修設備對TFT陣列基板進行維修時，CVD維修設備中通過惰性氣體噴出六羰基鎢，并通過激光使六羰基鎢分解為鎢粉沉積在TFT陣列基板上對斷裂或缺陷處進行修復。

在上述對TFT陣列基板進行維修的過程中，在對不良的情況進行檢測時，氣體窗口與TFT陣列基板之間的距離很小，一般小于1mm，此時，在移動X、Y軸查看下一個不良點時，Z軸沒有升起，從而使氣體窗口劃傷TFT陣列基板，對TFT陣列基板造成較大的損傷。

發(fā)明內容

本發(fā)明的實施例提供一種避免劃傷TFT陣列基板的化學氣相沉積維修設備。

為達到上述目的，本發(fā)明的實施例采用如下技術方案：

一種化學氣相沉積維修設備，包括：氣體噴射裝置，所述氣體噴射裝置包括：

氣體窗口，與儲氣模塊層疊設置，用于形成并透過氣孔噴出金屬化合物；

所述儲氣模塊，連通輔助氣體供應管路，用于向基板噴出輔助氣體，其中，所述儲氣模塊的出氣口位于所述氣體噴射裝置的下表面；

通光孔，貫通設置在所述氣體噴射裝置中，用于透過激光；

所述氣孔，設置在透鏡下方的所述通光孔的內壁上，用于通過所述氣體窗口噴出的所述金屬化合物；

所述透鏡，設置在所述通光孔內，靠近所述通光孔底部，用于對所述激光進行聚焦，分解所述金屬化合物形成金屬沉積物，并沉積于所述基板上；

壓敏傳感器，設置在所述氣體噴射裝置的下表面，用于通過檢測所述輔助氣體碰撞所述基板后反彈回所述氣體噴射裝置的下表面的氣體壓力，確定所述基板與所述氣體噴射裝置之間的距離；

控制器，所述控制器與所述壓敏傳感器連接，用于當所述壓敏傳感器檢測的所述距離小于所設置的預設值時，則增大所述儲氣模塊的輔助氣體噴出量。

本發(fā)明實施例提供的一種CVD維修設備，通過儲氣模塊所噴出的輔助氣體碰撞基板，并反彈至位于氣體噴射裝置底面的壓敏傳感器，從而檢測TFT陣列基板與氣體噴射裝置之間的距離，當基板與氣體噴射裝置之間的距離小于預設值時，則可以通過控制器增加所述儲氣模塊所噴出的輔助氣體的氣體量以提升氣體噴射裝置或通過停止氣體噴射裝置橫向移動等方式，避免氣體噴射裝置在移動過程中劃傷基板。

附圖說明

為了更清楚地說明本發(fā)明實施例或現(xiàn)有技術中的技術方案，下面將對實施例描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實施例，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。

圖1為本發(fā)明實施例1所述的CVD維修設備中氣體噴射裝置的結構示意圖；

圖2為本發(fā)明實施例1所述的CVD維修設備中氣體噴射裝置的剖視圖；

圖3為本發(fā)明實施例1所述的CVD維修設備進行TFT陣列基板維修的結構示意圖；

圖4為本發(fā)明實施例1所述的CVD維修設備中通孔傾斜設置的氣體噴射裝置的剖視圖；

圖5為本發(fā)明實施例2所述的CVD維修設備中氣體噴射裝置的剖視圖；

圖6為本發(fā)明實施例3所述的CVD維修設備中包含電磁閥門的氣體噴射裝置的剖視圖。

具體實施方式

下面結合附圖對本發(fā)明實施例一種CVD維修設備進行詳細描述。

應當明確，所描述的實施例僅僅是本發(fā)明一部分實施例，而不是全部的實施例。基于本發(fā)明中的實施例，本領域普通技術人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本發(fā)明保護的范圍。

實施例1

一種化學氣相沉積維修設備，如圖1所示，包括：氣體噴射裝置1，所述氣體噴射裝置1包括：

氣體窗口10，與儲氣模塊11層疊設置，用于形成并透過氣孔15噴出金屬化合物；

所述儲氣模塊11，連通輔助氣體供應管路12，用于向基板3噴出輔助氣體，其中，所述儲氣模塊11的出氣口17位于所述氣體噴射裝置1的下表面；

通光孔13，貫通設置在所述氣體噴射裝置1中，用于透過激光；