[發(fā)明專利]一種濺射法制備高度取向的CuInS2外延薄膜的方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210306684.9
• 申請日: 2012-08-24
• 公開（公告）號: CN102796988A
• 公開（公告）日: 2012-11-28
• 發(fā)明（設計）人: 何云斌;方金鋼;尚勛忠;王志強;黎明鍇;常鋼;周桃生;尹向陽
• 申請（專利權）人: 廣州金升陽科技有限公司;湖北大學
• 主分類號: C23C14/34
• 分類號: C23C14/34;C23C14/06;C30B23/02;C30B23/06;C30B29/46;H01L31/18
• 代理公司: 廣州知友專利商標代理有限公司 44104
• 代理人: 宣國華

1.一種濺射法制備高度取向的CuInS₂外延薄膜的方法，特征是：將清洗過的CuInS₂靶材和襯底分別放在靶臺和樣品臺上裝入真空室，調整靶臺與樣品臺之間的間距為30~60mm，開啟樣品臺和靶臺自轉，并調節(jié)樣品臺的自轉速度為8~12r/min，靶臺的自轉速度為4~6r/min，調節(jié)襯底的生長溫度為100~700℃，激光器的脈沖能量為150~250mJ，激光脈沖頻率為1~10Hz，開啟激光器，進行濺射沉積10~60min，將CuInS₂靶材表面原子濺射出來沉積在襯底表面形成CuInS₂外延薄膜。

2.根據(jù)權利要求1所述的濺射法制備高度取向的CuInS₂外延薄膜的方法，其特征是CuInS₂靶材通過如下方法獲得：取CuInS₂粉末，加入去離子水進行球磨，球磨后進行干燥處理，在干燥后的CuInS₂粉末中加入去離子水并混勻得混勻物，將混勻物置于模具中，壓制成陶瓷坯片，進行燒結后即獲得CuInS₂靶材。

3.根據(jù)權利要求2所述的濺射法制備高度取向的CuInS₂外延薄膜的方法，其特征是：取CuInS₂粉末，加入占其總重量的80~100%的去離子水進行球磨，球磨后調解溫度為60~100℃進行真空干燥處理。

4.根據(jù)權利要求2所述的濺射法制備高度取向的CuInS₂外延薄膜的方法，其特征是：在干燥后的CuInS₂粉末中加入占其總重量為8~12%的去離子水并混勻得混勻物。

5.根據(jù)權利要求2所述的濺射法制備高度取向的CuInS₂外延薄膜的方法，其特征是：球磨時的轉速為120~200r/min，球磨時間為3~5h。

6.根據(jù)權利要求2所述的濺射法制備高度取向的CuInS₂外延薄膜的方法，其特征是：燒結時將陶瓷坯片置于真空管式爐中以升溫速率為200℃/h加熱至920~980℃并保溫1~2h。

7.根據(jù)權利要求1所述的濺射法制備高度取向的CuInS₂外延薄膜的方法，其特征是：所述襯底為C軸取向的藍寶石和Si（111）襯底。

8.根據(jù)權利要求1所述的濺射法制備高度取向的CuInS₂外延薄膜的方法，其特征是：CuInS₂靶材清洗時采用包括丙酮、無水乙醇和去離子水中的一種或多種超聲波清洗。