[發明專利]掩膜板、采用掩膜板制作陣列基板的方法、陣列基板有效
| 申請號: | 201210306678.3 | 申請日: | 2012-08-24 |
| 公開(公告)號: | CN102819183A | 公開(公告)日: | 2012-12-12 |
| 發明(設計)人: | 廖燕平;呂敬;邵喜斌;尹大根;王英;張振宇 | 申請(專利權)人: | 京東方科技集團股份有限公司;北京京東方顯示技術有限公司 |
| 主分類號: | G03F1/60 | 分類號: | G03F1/60;G03F7/20 |
| 代理公司: | 北京銀龍知識產權代理有限公司 11243 | 代理人: | 許靜;趙愛軍 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 掩膜板 采用 制作 陣列 方法 | ||
技術領域
本發明涉及液晶顯示領域,特別是指一種掩膜板、采用掩膜板制作陣列基板的方法、陣列基板。
背景技術
在通常的液晶顯示面板陣列設計中,陣列圖形是完全被包含在一張掩模板內的。在曝光過程中,一次曝光就能形成一個完整的陣列圖形,并且所形成的陣列圖形與掩膜板中的圖形一致。
在采用現有技術中的掩膜板制作陣列基板時,陣列基板的數據信號線是相連的,這樣采用該陣列基板的液晶顯示面板一次只能輸入一個數據信號,導致在像素充電時間一定的條件下,液晶顯示面板的圖像掃描幀速比較低;或者在液晶顯示面板的圖像掃描幀速一定的條件下像素充電時間比較短。
發明內容
本發明要解決的技術問題是提供一種掩膜板、采用掩膜板制作陣列基板的方法及陣列基板,能夠在像素充電時間一定的條件下,提高液晶顯示面板的圖像掃描幀速;或者在液晶顯示面板的圖像掃描幀速一定的條件下,增大像素充電時間。
為解決上述技術問題,本發明的實施例提供技術方案如下:
一方面,提供一種掩膜板,應用于拼接曝光制作陣列基板,其特征在于,所述掩膜板包括依次排布、相互平行的2n+1個掩膜圖形,n為任一自然數,每個掩膜圖形包括有對應陣列基板的數據信號線的遮光圖案,其中,相鄰掩膜圖形之間的所述遮光圖案為斷續的,位于掩膜板中間的掩膜圖形兩側的所述遮光圖案為非對稱的。
進一步地,所述掩膜板包括依次排布的第一掩膜圖形、第二掩膜圖形和第三掩膜圖形,所述第二掩膜圖形兩側的所述遮光圖案為非對稱的。
本發明實施例還提供了一種陣列基板,所述陣列基板包括依次排布、相互平行的2m個與掩膜圖形對應的圖形區域,m為任一自然數,相鄰圖形區域之間存在拼接區域;所述陣列基板中間兩圖形區域之間的拼接區域中,所述陣列基板的數據信號線為斷開的。
進一步地,所述陣列基板包括依次排布的第一圖形區域、第二圖形區域、第三圖形區域和第四區域,在所述第二圖形區域和第三圖形區域之間的拼接區域中,所述陣列基板的數據信號線為斷開的。
進一步地,所述陣列基板由掩膜板拼接曝光形成,所述掩膜板包括依次排布、相互平行的2n+1個掩膜圖形,n為任一自然數,每個掩膜圖形包括有對應陣列基板的數據信號線的遮光圖案,其中,相鄰掩膜圖形之間的所述遮光圖案為斷續的,位于掩膜板中間的掩膜圖形兩側的所述遮光圖案為非對稱的。
進一步地,所述掩膜板包括依次排布的第一掩膜圖形、第二掩膜圖形和第三掩膜圖形,所述第二掩膜圖形兩側的所述遮光圖案為非對稱的。
本發明實施例還提供了一種采用掩膜板制作陣列基板的方法,
所述掩膜板包括依次排布、相互平行的2n+1個掩膜圖形,n為任一自然數,每個掩膜圖形包括有對應陣列基板的數據信號線的遮光圖案,其中,相鄰掩膜圖形之間的所述遮光圖案為斷續的,位于掩膜板中間的掩膜圖形兩側的所述遮光圖案為非對稱的,所述制作陣列基板的方法包括:
利用前n個掩膜圖形依次完成n次曝光,得到陣列基板的n個第一圖形區域,每個第一圖形區域的遮光圖案與相鄰的第一圖形區域的遮光圖案存在重疊;
利用第n+1個掩膜圖形進行曝光,得到陣列基板的第二圖形區域,所述第二圖形區域的遮光圖案與相鄰的第一圖形區域的遮光圖案存在重疊;
再次利用第n+1個掩膜圖形進行曝光,得到陣列基板的第三圖形區域,所述第三圖形區域的遮光圖案與所述第二圖形區域的遮光圖案不存在重疊;
利用第n+2個到第2n+1個掩膜圖形依次完成n次曝光,得到陣列基板的n個第四圖形區域,所述第三圖形區域的遮光圖案與相鄰的第四圖形區域的遮光圖案存在重疊。
進一步地,所述制作陣列基板的方法具體包括:
步驟a:遮擋住其他2n個掩膜圖形,利用第一個掩膜圖形進行曝光;
步驟b:移動掩膜板,遮擋住其他2n個掩膜圖形,利用下一個掩膜圖形進行曝光;
步驟c:重復上述步驟b,直至利用前n個掩膜圖形依次完成n次曝光,得到陣列基板的n個第一圖形區域,每個第一圖形區域的遮光圖案與相鄰的第一圖形區域的遮光圖案存在重疊;
步驟d:移動掩膜板,遮擋住其他2n個掩膜圖形,利用第n+1個掩膜圖形進行曝光,得到陣列基板的第二圖形區域,所述第二圖形區域的遮光圖案與相鄰的第一圖形區域的遮光圖案存在重疊;
步驟e:移動掩膜板,遮擋住其他2n個掩膜圖形,再次利用第n+1個掩膜圖形進行曝光,得到陣列基板的第三圖形區域,所述第三圖形區域的遮光圖案與所述第二圖形區域的遮光圖案不存在重疊;
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G03F 圖紋面的照相制版工藝,例如,印刷工藝、半導體器件的加工工藝;其所用材料;其所用原版;其所用專用設備
G03F1-00 用于圖紋面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其專門適用于此的容器;其制備
G03F1-20 .用于通過帶電粒子束(CPB)輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如通過電子束;其制備
G03F1-22 .用于通過100nm或更短波長輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射線掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制備
G03F1-36 .具有臨近校正特征的掩膜;其制備,例如光學臨近校正(OPC)設計工藝
G03F1-38 .具有輔助特征的掩膜,例如用于校準或測試的特殊涂層或標記;其制備





