[發明專利]掩膜板、采用掩膜板制作陣列基板的方法、陣列基板

有效

• 申請號: 201210306678.3
• 申請日: 2012-08-24
• 公開（公告）號: CN102819183A
• 公開（公告）日: 2012-12-12
• 發明（設計）人: 廖燕平;呂敬;邵喜斌;尹大根;王英;張振宇
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司;北京京東方顯示技術有限公司
• 主分類號: G03F1/60
• 分類號: G03F1/60;G03F7/20
• 代理公司: 北京銀龍知識產權代理有限公司 11243
• 代理人: 許靜;趙愛軍

1.一種掩膜板，應用于拼接曝光制作陣列基板，其特征在于，所述掩膜板包括依次排布、相互平行的2n+1個掩膜圖形，n為任一自然數，每個掩膜圖形包括有對應陣列基板的數據信號線的遮光圖案，其中，相鄰掩膜圖形之間的所述遮光圖案為斷續的，位于掩膜板中間的掩膜圖形兩側的所述遮光圖案為非對稱的。

2.根據權利要求1所述的掩膜板，其特征在于，所述掩膜板包括依次排布的第一掩膜圖形、第二掩膜圖形和第三掩膜圖形，所述第二掩膜圖形兩側的所述遮光圖案為非對稱的。

3.一種陣列基板，其特征在于，所述陣列基板包括依次排布、相互平行的2m個與掩膜圖形對應的圖形區域，m為任一自然數，相鄰圖形區域之間存在拼接區域；所述陣列基板中間兩圖形區域之間的拼接區域中，所述陣列基板的數據信號線為斷開的。

4.根據權利要求3所述的陣列基板，其特征在于，所述陣列基板包括依次排布的第一圖形區域、第二圖形區域、第三圖形區域和第四區域，在所述第二圖形區域和第三圖形區域之間的拼接區域中，所述陣列基板的數據信號線為斷開的。

5.根據權利要求3所述的陣列基板，其特征在于，所述陣列基板由掩膜板拼接曝光形成，所述掩膜板包括依次排布、相互平行的2n+1個掩膜圖形，n為任一自然數，每個掩膜圖形包括有對應陣列基板的數據信號線的遮光圖案，其中，相鄰掩膜圖形之間的所述遮光圖案為斷續的，位于掩膜板中間的掩膜圖形兩側的所述遮光圖案為非對稱的。

6.根據權利要求5所述的陣列基板，其特征在于，所述掩膜板包括依次排布的第一掩膜圖形、第二掩膜圖形和第三掩膜圖形，所述第二掩膜圖形兩側的所述遮光圖案為非對稱的。

7.一種采用掩膜板制作陣列基板的方法，其特征在于，所述掩膜板包括依次排布、相互平行的2n+1個掩膜圖形，n為任一自然數，每個掩膜圖形包括有對應陣列基板的數據信號線的遮光圖案，其中，相鄰掩膜圖形之間的所述遮光圖案為斷續的，位于掩膜板中間的掩膜圖形兩側的所述遮光圖案為非對稱的，所述制作陣列基板的方法包括：

利用前n個掩膜圖形依次完成n次曝光，得到陣列基板的n個第一圖形區域，每個第一圖形區域的遮光圖案與相鄰的第一圖形區域的遮光圖案存在重疊；

利用第n+1個掩膜圖形進行曝光，得到陣列基板的第二圖形區域，所述第二圖形區域的遮光圖案與相鄰的第一圖形區域的遮光圖案存在重疊；

再次利用第n+1個掩膜圖形進行曝光，得到陣列基板的第三圖形區域，所述第三圖形區域的遮光圖案與所述第二圖形區域的遮光圖案不存在重疊；

利用第n+2個到第2n+1個掩膜圖形依次完成n次曝光，得到陣列基板的n個第四圖形區域，所述第三圖形區域的遮光圖案與相鄰的第四圖形區域的遮光圖案存在重疊。

8.根據權利要求7所述的采用掩膜板制作陣列基板的方法，其特征在于，所述制作陣列基板的方法具體包括：

步驟a：遮擋住其他2n個掩膜圖形，利用第一個掩膜圖形進行曝光；

步驟b：移動掩膜板，遮擋住其他2n個掩膜圖形，利用下一個掩膜圖形進行曝光；

步驟c：重復上述步驟b，直至利用前n個掩膜圖形依次完成n次曝光，得到陣列基板的n個第一圖形區域，每個第一圖形區域的遮光圖案與相鄰的第一圖形區域的遮光圖案存在重疊；

步驟d：移動掩膜板，遮擋住其他2n個掩膜圖形，利用第n+1個掩膜圖形進行曝光，得到陣列基板的第二圖形區域，所述第二圖形區域的遮光圖案與相鄰的第一圖形區域的遮光圖案存在重疊；

步驟e：移動掩膜板，遮擋住其他2n個掩膜圖形，再次利用第n+1個掩膜圖形進行曝光，得到陣列基板的第三圖形區域，所述第三圖形區域的遮光圖案與所述第二圖形區域的遮光圖案不存在重疊；

步驟f：移動掩膜板，遮擋住其他2n個掩膜圖形，利用第n+2個掩膜圖形進行曝光；

步驟g：移動掩膜板，遮擋住其他2n個掩膜圖形，利用下一個掩膜圖形進行曝光；

步驟h：重復上述步驟g，直至利用第n+2個到第2n+1個掩膜圖形依次完成n次曝光，得到陣列基板的n個第四圖形區域，所述第三圖形區域的遮光圖案與相鄰的第四圖形區域的遮光圖案存在重疊。

9.根據權利要求8所述的采用掩膜板制作陣列基板的方法，其特征在于，所述掩膜板包括依次排布的第一掩膜圖形、第二掩膜圖形和第三掩膜圖形組成，所述第二掩膜圖形兩側的所述遮光圖案為非對稱的，所述制作陣列基板的方法包括：

第一次曝光工藝，遮擋住第二掩膜圖形和第三掩膜圖形，利用第一掩膜圖形進行曝光，得到陣列基板的第一圖形區域；

第二次曝光工藝，移動掩膜板，遮擋住第一掩膜圖形和第三掩膜圖形，利用第二掩膜圖形進行曝光，得到陣列基板的第二圖形區域，所述第二圖形區域的遮光圖案與所述第一圖形區域的遮光圖案存在部分重疊；

第三次曝光工藝，移動掩膜板，遮擋住第一掩膜圖形和第三掩膜圖形，利用第二掩膜圖形進行曝光，得到陣列基板的第三圖形區域，所述第二圖形區域的遮光圖案與所述第三圖形區域的遮光圖案不存在重疊；

第四次曝光工藝，移動掩膜板，遮擋住第一掩膜圖形和第二掩膜圖形，利用第三掩膜圖形進行曝光，得到陣列基板的第四圖形區域，所述第三圖形區域的遮光圖案與所述第四圖形區域的遮光圖案存在部分重疊。