[發明專利]一種圓片級LED封裝方法

有效

• 申請號: 201210306275.9
• 申請日: 2012-08-24
• 公開（公告）號: CN102832331A
• 公開（公告）日: 2012-12-19
• 發明（設計）人: 張黎;陳棟;賴志明;陳錦輝
• 申請（專利權）人: 江陰長電先進封裝有限公司
• 主分類號: H01L33/62
• 分類號: H01L33/62;H01L33/64
• 代理公司: 南京經緯專利商標代理有限公司 32200
• 代理人: 樓然

1.一種圓片級LED封裝方法，包括以下工藝步驟：

步驟一、切割LED圓片，形成單顆的LED芯片（1）；

步驟二、準備硅基載體（2）；

步驟三、通過光刻、刻蝕的方法在硅基載體（2）的正面形成下凹的型腔（21）；

步驟四、在型腔（21）表面和硅基載體（2）上表面沉積反光層（5），并在型腔（21）底部的反光層（5）上形成反光層開口（51）；

步驟五、在型腔（21）底部的反光層開口（51）內涂布連結膠（13），并將LED芯片（1）倒裝至型腔（21）底部，電極（12）朝下，電極（12）對應反光層開口（51）；

步驟六、取玻璃（3），在玻璃（3）的下表面涂布熒光粉層（31）；

步驟七、在型腔（21）內填滿填充膠（4），并將上述帶有熒光粉層（31）的玻璃（3）與硅基載體（2）通過填充膠（4）鍵合；

步驟八、對上述硅基載體（2）的背面進行減薄至下一工藝需要的厚度；

步驟九、利用光刻、刻蝕的方法去除上述硅基載體（2）背面的硅和部分連結膠（13），并形成硅孤島（22）；

步驟十、在上述硅基載體（2）的背面用光刻、刻蝕的方法形成感光樹脂層Ⅰ（61）；

步驟十一、利用光刻、電鍍的方法在上述感光樹脂層Ⅰ（61）的背面形成再布線金屬層（71）和在硅孤島（22）的下表面形成金屬塊（72），再布線金屬層（71）與電極Ⅰ（121）、電極Ⅱ（122）連接；?

步驟十二、在上述封裝體的下表面涂布感光樹脂層Ⅱ（62），利用光刻、刻蝕的方法形成感光樹脂開口（621），露出金屬塊（72）和再布線金屬層（71）的部分區域。

2.根據權利要求1所述的一種圓片級LED封裝方法，其特征在于：在步驟三和步驟九中，對硅基載體（2）的刻蝕采用干法或濕法刻蝕。

3.根據權利要求1所述的一種圓片級LED封裝方法，其特征在于：在步驟六中，所述玻璃（3）上熒光粉層（31）的涂布采用噴涂或旋涂的方式。

4.根據權利要求1所述的一種圓片級LED封裝方法，其特征在于：在步驟七中，所述填充膠（4）的設置采用印刷或點膠的方式，并且鍵合過程在真空條件下進行。