[發明專利]碳納米管薄膜板的制造方法及碳納米管薄膜板

無效

• 申請號: 201210304671.8
• 申請日: 2012-08-24
• 公開（公告）號: CN103625043A
• 公開（公告）日: 2014-03-12
• 發明（設計）人: 吳和虔
• 申請（專利權）人: 天津富納源創科技有限公司
• 主分類號: B32B17/06
• 分類號: B32B17/06;B32B27/06
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種碳納米管薄膜板的制造方法，其包括如下步驟：

制備第一碳納米管薄膜及第二碳納米管薄膜；及

將該第一碳納米管薄膜及該第二碳納米管薄膜相鄰設置于一基底的第一表面上。

2.如權利要求1所述的碳納米管薄膜板的制造方法，其特征在于，制備第一碳納米管薄膜及第二碳納米管薄膜的步驟包括：

提供第一碳納米管陣列及第二碳納米管陣列；

從該第一碳納米管陣列中選定部分碳納米管，并沿垂直于該第一碳納米管陣列的生長方向的方向拉伸該部分碳納米管，從而形成連續的第一碳納米管薄膜；及

從該第二碳納米管陣列中選定部分碳納米管，并沿垂直于該第二碳納米管陣列的生長方向的方向拉伸該部分碳納米管，從而形成連續的第二碳納米管薄膜。

3.如權利要求1或2所述的碳納米管薄膜板的制造方法，其特征在于，將該第一碳納米管薄膜及該第二碳納米管薄膜并列且相鄰設置于一基底上的步驟包括：

將該第一碳納米管薄膜粘結于該基底的第一表面上；及

將該第二碳納米管薄膜粘結于該基底的第一表面上且與該第一碳納米管薄膜相鄰設置。

4.如權利要求2所述的碳納米管薄膜板的制造方法，其特征在于，從該第一碳納米管陣列中選定部分碳納米管的步驟包括：采用第一膠帶接觸碳納米管陣列以選定該部分碳納米管。

5.如權利要求2所述的碳納米管薄膜板的制造方法，其特征在于，從該第二碳納米管陣列中選定部分碳納米管的步驟包括：采用第二膠帶接觸碳納米管陣列以選定該部分碳納米管。

6.如權利要求1所述的碳納米管薄膜板的制造方法，其特征在于，該碳納米管薄膜板的制造方法還進一步包括如下步驟：采用激光處理該第一及第二碳納米管薄膜以提高碳納米管膜的透明度。

7.如權利要求1所述的碳納米管薄膜板的制造方法，其特征在于，該第一碳納米管薄膜的邊緣與該第二碳納米管薄膜的邊緣相鄰并接合以使該第一碳納米管薄膜的邊緣與該第二碳納米管薄膜拼接為一體。

8.如權利要求1所述的碳納米管薄膜板的制造方法，其特征在于，該第一碳納米管薄膜與該第二碳納米管薄膜并列設置于該基底的第一表面上，且該第一碳納米管薄膜與該第二碳納米管薄膜之間具有間隔區域。

9.如權利要求8所述的碳納米管薄膜板的制造方法，其特征在于，該間隔區域的寬度小于5毫米。

10.如權利要求1所述的碳納米管薄膜板的制造方法，其特征在于，該第一碳納米管薄膜與該第二碳納米管薄膜相鄰且部分交疊，從而該第一碳納米管薄膜包括一與該第二碳納米管薄膜重疊的疊合區域。

11.如權利要求10所述的碳納米管薄膜板的制造方法，其特征在于，該疊合區域的寬度小于2毫米。

12.如權利要求1所述的碳納米管薄膜板的制造方法，其特征在于，該第一碳納米管薄膜的碳納米管的延伸方向與該第二碳納米管薄膜的碳納米管的延伸方向相同。

13.如權利要求12所述的碳納米管薄膜板的制造方法，其特征在于，該第一碳納米管薄膜的與該第二碳納米管薄膜相鄰的邊緣與該第一碳納米管薄膜的的碳納米管的延伸方向相同。

14.如權利要求13所述的碳納米管薄膜板的制造方法，其特征在于，該第一碳納米管薄膜與該第二碳納米管薄膜均為矩形，該第一碳納米管薄膜沿碳納米管延伸的方向的長度與該第二碳納米管薄膜的沿碳納米管延伸的方向的長度相同。

15.如權利要求12所述的碳納米管薄膜板的制造方法，其特征在于，該第一碳納米管薄膜的與該第二碳納米管薄膜相鄰的邊緣與該第一碳納米管薄膜的的碳納米管的延伸方向垂直。

16.一種碳納米管薄膜板，其特征在于：該碳納米管薄膜板包括第一碳納米管薄膜、第二碳納米管薄膜及基底，該基底包括第一表面，該第一碳納米管薄膜及該第二碳納米管薄膜相鄰設置于一基底的第一表面上。

17.如權利要求16所述的碳納米管薄膜板，其特征在于，該第一碳納米管薄膜的邊緣與該第二碳納米管薄膜的邊緣相鄰并接合以使該第一碳納米管薄膜的邊緣與該第二碳納米管薄膜拼接為一體。