[發明專利]在襯底的雙面制造器件的方法以及襯底

無效

• 申請號: 201210303906.1
• 申請日: 2012-08-24
• 公開（公告）號: CN102842488A
• 公開（公告）日: 2012-12-26
• 發明（設計）人: 張峰;曹共柏;鄭健;楊云龍;魏星;王文宇;馬乾志;張苗
• 申請（專利權）人: 上海新傲科技股份有限公司
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02;H01L21/768;H01L27/146
• 代理公司: 上海翼勝專利商標事務所(普通合伙) 31218
• 代理人: 孫佳胤;翟羽

技術領域

本發明涉及集成電路芯片制造領域，尤其涉及一種在襯底的雙面制造器件的方法以及襯底。

背景技術

集成電路芯片制造是整個集成電路產業鏈的重要環節，芯片制造的前端工藝主要包括光刻、摻雜以及腐蝕等工藝，主要目的是在襯底表面制作出預先設計好的晶體管等器件，并制作出電學連線。

隨著集成電路技術的不斷發展，芯片制造過程中常常需要在已經有一定圖形或摻雜的硅片背面制作電路等器件結構，這些結構完成后，再對原正面的初始圖形進行工藝處理。

現有技術中通常是直接在背面制作電路等器件結構，而在制作電路之前通常需要將襯底減薄，而減薄之后襯底將變得非常容易碎裂，從而影響到芯片的良率；并且在芯片的背面制作器件，以及背面制作完畢后重新在正面制作器件的過程中，容易造成另一邊的沾污，從而也會影響到產品良率。

因此，的確需要一種能夠對襯底產生沾污和碎裂的工藝方法，用以加工制造雙面都具有器件的襯底。

發明內容

本發明所要解決的技術問題是，提供一種在襯底的雙面制造器件的方法，能夠避免雙面制造器件的工藝中對襯底造成沾污和碎裂，從而可以用來加工制造雙面都具有器件的襯底。

為了解決上述問題，本發明提供了一種在襯底的雙面制造器件的方法，包括如下步驟：提供器件襯底，所述器件襯底具有相對的第一表面和第二表面，且第一表面具有多個器件；提供第一支撐襯底，所述第一支撐襯底表面具有第一絕緣層；以第一絕緣層為中間層，將器件襯底的第一表面同第一支撐襯底鍵合；減薄器件襯底的第二表面；在器件襯底的暴露出的第二表面上制作器件；提供第二支撐襯底，所述第二支撐襯底表面具有第二絕緣層；以第二絕緣層為中間埋層，將器件襯底的第二表面同第二支撐襯底鍵合；去除第一支撐襯底和第一絕緣層。

可選的，所述器件襯底由重摻雜層和輕摻雜層組成，所述輕摻雜層包括器件襯底的第一表面，所述重摻雜層包括器件襯底的第二表面，所述器件制作在輕摻雜層中。

可選的，所述減薄器件襯底第二表面的步驟中，進一步包括通過選擇性腐蝕工藝去除重摻雜層的步驟。

可選的，在去除重摻雜層之后，進一步包括拋光暴露出的輕摻雜層的表面的步驟。

可選的，在去除第一支撐襯底和第一絕緣層之后，進一步包括在暴露出的器件襯底的第一表面上繼續制作器件的步驟。

可選的，所述器件襯底的材料是單晶硅。

可選的，所述第一絕緣層和第二絕緣層的材料選自于氧化硅、氮化硅和氮氧化硅的任意一種。

本發明進一步提供了一種采用上述方法制造的襯底，包括第二支撐襯底，所述第二支撐襯底表面的第二絕緣層以及第二絕緣層表面的器件層，所述器件層具有暴露的第一表面以及與第一表面對應的第二表面，所述第一表面和第二表面上均具有多個器件。

可選的，所述器件層的材料是單晶硅。

可選的，所述第二絕緣層的材料選自于氧化硅、氮化硅和氮氧化硅的任意一種。

本發明的優點在于，在第二表面制作器件的工藝步驟中，由于之前采用了鍵合工藝將器件襯底已經制作器件的第一表面保護起來，故不會對其造成影響，并且由于鍵合了第一支撐襯底作為支撐結構，器件襯底能夠被允許盡量減薄而不必擔心碎裂等問題。

附圖說明

附圖1所示是本發明具體實施方式的實施步驟示意圖。

附圖2A至附圖2I所示是本發明具體實施方式的工藝示意圖。

附圖3A至附圖3E所示是本發明一實施例的工藝示意圖。

具體實施方式

下面結合附圖對本發明提供的在襯底的雙面制造器件的方法以及襯底的具體實施方式做詳細說明。

附圖1所示是本具體實施方式的實施步驟示意圖，包括：步驟S100，提供器件襯底，所述器件襯底具有相對的第一表面和第二表面，且第一表面具有多個器件；步驟S110，提供第一支撐襯底，所述第一支撐襯底表面具有第一絕緣層；步驟S120，以第一絕緣層為中間層，將器件襯底的第一表面同第一支撐襯底鍵合；步驟S130，減薄器件襯底的第二表面；步驟S140，在器件襯底的暴露出的第二表面上制作器件；步驟S150，提供第二支撐襯底，所述第二支撐襯底表面具有第二絕緣層；步驟S160，以第二絕緣層為中間埋層，將器件襯底的第二表面同第二支撐襯底鍵合；步驟S170，去除支撐襯底和第一絕緣層；步驟S180，在暴露出的器件襯底的第一表面上繼續制作器件。

附圖2A至附圖2I所示是本具體實施方式的工藝示意圖。