[發明專利]在襯底的雙面制造器件的方法以及襯底

無效

• 申請號: 201210303906.1
• 申請日: 2012-08-24
• 公開（公告）號: CN102842488A
• 公開（公告）日: 2012-12-26
• 發明（設計）人: 張峰;曹共柏;鄭健;楊云龍;魏星;王文宇;馬乾志;張苗
• 申請（專利權）人: 上海新傲科技股份有限公司
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02;H01L21/768;H01L27/146
• 代理公司: 上海翼勝專利商標事務所(普通合伙) 31218
• 代理人: 孫佳胤;翟羽

1.一種在襯底的雙面制造器件的方法，其特征在于，包括如下步驟：

提供器件襯底，所述器件襯底具有相對的第一表面和第二表面，且第一表面具有多個器件；

提供第一支撐襯底，所述第一支撐襯底表面具有第一絕緣層；

以第一絕緣層為中間層，將器件襯底的第一表面同第一支撐襯底鍵合；

減薄器件襯底的第二表面；

在器件襯底的暴露出的第二表面上制作器件。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述器件襯底由重摻雜層和輕摻雜層組成，所述輕摻雜層包括器件襯底的第一表面，所述重摻雜層包括器件襯底的第二表面，所述器件制作在輕摻雜層中。

3.根據權利要求2所述的方法，其特征在于，所述減薄器件襯底第二表面的步驟中，進一步包括通過選擇性腐蝕工藝去除重摻雜層的步驟。

4.根據權利要求3所述的方法，其特征在于，在去除重摻雜層之后，進一步包括拋光暴露出的輕摻雜層的表面的步驟。

5.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，進一步包括如下步驟：

提供第二支撐襯底，所述第二支撐襯底表面具有第二絕緣層；

以第二絕緣層為中間埋層，將器件襯底的第二表面同第二支撐襯底鍵合；

去除第一支撐襯底和第一絕緣層。

6.根據權利要求5所述的方法，其特征在于，在去除第一支撐襯底和第一絕緣層之后，進一步包括在暴露出的器件襯底的第一表面上繼續制作器件的步驟。

7.根據權利要求5所述的方法，其特征在于，所述第一絕緣層和第二絕緣層的材料選自于氧化硅、氮化硅和氮氧化硅的任意一種。

8.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述器件襯底的材料是單晶硅。

9.一種采用權利要求1所述方法制造的襯底，其特征在于，包括第一支撐襯底，所述第一支撐襯底表面的第一絕緣層以及第一絕緣層表面的器件層，所述器件層具有暴露的第二表面以及與第二表面對應的第一表面，所述第一表面和第二表面上均具有多個器件。

10.根據權利要求9所述的襯底，其特征在于，所述器件層的材料是單晶硅。

11.根據權利要求9所述的襯底，其特征在于，所述第一絕緣層的材料選自于氧化硅、氮化硅和氮氧化硅的任意一種。

12.根據權利要求9所述的襯底，其特征在于，所述第一表面上的器件含有貫穿所述器件層的金屬插柱通孔。

13.一種采用權利要求5所述方法制造的襯底，其特征在于，包括第二支撐襯底，所述第二支撐襯底表面的第二絕緣層以及第二絕緣層表面的器件層，所述器件層具有暴露的第一表面以及與第一表面對應的第二表面，所述第一表面和第二表面上均具有多個器件。

14.根據權利要求13所述的襯底，其特征在于，所述器件層的材料是單晶硅。

15.根據權利要求13所述的襯底，其特征在于，所述第二絕緣層的材料選自于氧化硅、氮化硅和氮氧化硅的任意一種。

16.根據權利要求13所述的襯底，其特征在于，所述第二表面上的器件含有貫穿所述器件層的金屬插柱通孔。