[發(fā)明專利]通過角落植入調(diào)整鰭狀晶體管的閾值電壓

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210303644.9
• 申請日: 2012-08-23
• 公開（公告）號: CN102956449A
• 公開（公告）日: 2013-03-06
• 發(fā)明（設(shè)計）人: T·巴爾道夫;A·魏;T·赫爾曼;S·弗萊克豪斯基;R·伊爾根
• 申請（專利權(quán)）人: 格羅方德半導(dǎo)體公司
• 主分類號: H01L21/266
• 分類號: H01L21/266;H01L21/28;H01L21/336;H01L29/423;H01L29/78
• 代理公司: 北京戈程知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11314
• 代理人: 程偉;王錦陽

1.一種方法，包括下列步驟：

在一半導(dǎo)體區(qū)上方形成一硬掩膜，該硬掩膜具有決定要在該半導(dǎo)體區(qū)中形成的一半導(dǎo)體鰭片的橫向尺寸的至少一掩膜特征；

執(zhí)行一植入工藝以在該半導(dǎo)體區(qū)的一表面上及附近加入一摻雜物種，同時使用該硬掩膜作為植入掩膜；

在執(zhí)行該植入工藝后，執(zhí)行使用該硬掩膜作為蝕刻掩膜的一蝕刻工藝，以在該半導(dǎo)體區(qū)中形成該半導(dǎo)體鰭片；以及

形成在該半導(dǎo)體鰭片上方及橫向與該半導(dǎo)體鰭片相鄰的一柵電極結(jié)構(gòu)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中形成該硬掩膜的步驟包括：形成該硬掩膜以便包括至少一覆蓋要用來形成一平面型晶體管于其中及其上方的第二半導(dǎo)體區(qū)的第二掩膜特征。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中形成在該半導(dǎo)體鰭片上方及橫向與該半導(dǎo)體鰭片相鄰的一柵電極結(jié)構(gòu)的步驟包括：形成有一柵極開口的一柵極掩膜以及用一或更多材料填滿該柵極開口。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其中在形成該柵極掩膜之前形成該硬掩膜。

5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其中在形成該硬掩膜之前形成該柵極掩膜。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其中在存在該柵極掩膜的情形下，執(zhí)行該植入工藝。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，更包括：在形成該柵電極結(jié)構(gòu)后，在該半導(dǎo)體區(qū)中形成漏極/源極區(qū)。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其中形成該漏極/源極區(qū)的步驟包括：同時在一平面型晶體管的第二半導(dǎo)體區(qū)中形成第二漏極/源極區(qū)。

9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其中執(zhí)行該植入工藝以在該半導(dǎo)體區(qū)的一表面上及附近加入一摻雜物種的步驟包括：加入相比于一漏極/源極摻雜物種為反向摻雜物種的該摻雜物種。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中形成該柵電極結(jié)構(gòu)的步驟包括：在形成該硬掩膜后提供一占位結(jié)構(gòu)，移除該占位結(jié)構(gòu)的一占位材料，以及在執(zhí)行該植入工藝及該蝕刻工藝后提供柵極材料。

11.一種形成半導(dǎo)體裝置的方法，該方法包括下列步驟：

在第一半導(dǎo)體區(qū)中形成一多柵極晶體管的第一漏極/源極區(qū)，以及在第二半導(dǎo)體區(qū)中形成一平面型晶體管的第二漏極/源極區(qū)，該多柵極晶體管包含連接至該第一漏極/源極區(qū)的一半導(dǎo)體鰭片；以及

通過在該半導(dǎo)體鰭片中提供一反向摻雜物種以便在該半導(dǎo)體鰭片的上角落有一濃度最大值來個別調(diào)整該多柵極晶體管的一閾值電壓。

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其中在該半導(dǎo)體鰭片中提供該反向摻雜物種的步驟包括：在該第一半導(dǎo)體區(qū)及該第二半導(dǎo)體區(qū)上方形成一硬掩膜以便覆蓋該平面型晶體管的至少一信道區(qū)以及決定該多柵極晶體管的該半導(dǎo)體鰭片的尺寸和位置，以及執(zhí)行使用該硬掩膜作為植入掩膜的一植入工藝。

13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，更包括：在執(zhí)行該植入工藝后，使用該硬掩膜作為蝕刻掩膜以便形成該半導(dǎo)體鰭片。

14.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，更包括：在調(diào)整該多柵極晶體管的一閾值電壓時，掩膜第二多柵極晶體管。

15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，更包括：在掩膜該多柵極晶體管時，調(diào)整該第二多柵極晶體管的第二閾值電壓。

16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，其中該多柵極晶體管及該第二多柵極晶體管為逆向?qū)щ娦?inverse?conductivity?type)的晶體管。

17.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其中通過使用約0.1至2keV的植入能量來執(zhí)行該植入工藝。

18.一種半導(dǎo)體裝置，包括：

半導(dǎo)體區(qū)，包括一漏極區(qū)及一源極區(qū)；

信道區(qū)，通過形成于該半導(dǎo)體區(qū)中的至少一半導(dǎo)體鰭片所形成，以便用第一端部連接至該漏極區(qū)，以及用第二端部連接至該源極區(qū)，該半導(dǎo)體鰭片包括局部在及沿著該半導(dǎo)體鰭片的上角落有一濃度最大值的一反向摻雜物種；以及

柵電極結(jié)構(gòu)，形成于該至少一半導(dǎo)體鰭片上方及橫向與該半導(dǎo)體鰭片相鄰。