[發(fā)明專利]一種圓片級(jí)LED封裝結(jié)構(gòu)有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201210303563.9 | 申請(qǐng)日: | 2012-08-24 |
| 公開(公告)號(hào): | CN102832330A | 公開(公告)日: | 2012-12-19 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 張黎;陳棟;賴志明;陳錦輝 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 江陰長(zhǎng)電先進(jìn)封裝有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L33/56 | 分類號(hào): | H01L33/56;H01L33/62;H01L33/64 |
| 代理公司: | 南京經(jīng)緯專利商標(biāo)代理有限公司 32200 | 代理人: | 樓然 |
| 地址: | 214429 江蘇省無錫市江*** | 國(guó)省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 圓片級(jí) led 封裝 結(jié)構(gòu) | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種圓片級(jí)芯片封裝結(jié)構(gòu),屬于半導(dǎo)體芯片封裝技術(shù)領(lǐng)域。
背景技術(shù)
LED(發(fā)光二極管)是一種能夠?qū)㈦娔苻D(zhuǎn)化為可見光的固態(tài)的半導(dǎo)體器件,其被廣泛應(yīng)用于照明、液晶背光板、控制面板、閃光裝置等領(lǐng)域。
LED(發(fā)光二極管)由P-N結(jié)組成。目前,LED封裝主要以單顆芯片通過打線(即引線鍵合方式)和倒裝鍵合的方式進(jìn)行,存在以下不足:
1)引線鍵合式封裝
引線的位置會(huì)遮掉并損失光強(qiáng),引線鍵合方式封裝的散熱基座都在芯片背部,散熱效果并不理想,特別是高亮度的LED,引線鍵合方式封裝的封裝尺寸相對(duì)較大,不利于其在便攜式產(chǎn)品中的應(yīng)用。其次,單顆芯片的封裝形式生產(chǎn)效率低,產(chǎn)品一致性難以保證,導(dǎo)致產(chǎn)品的測(cè)試結(jié)果分類較多,影響工廠的產(chǎn)品實(shí)際輸出。
2)貼裝式圓片級(jí)LED封裝
隨著人們對(duì)引線鍵合方式LED封裝的認(rèn)識(shí)加深,以圓片為載體的LED封裝技術(shù)開始發(fā)展起來,但在目前的技術(shù)發(fā)展中,圓片級(jí)LED封裝基本采用硅通孔(Through?Silicon?Via)互聯(lián)方法,利用TSV(硅通孔)結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)LED電極的背面轉(zhuǎn)移和分布,其工藝難度較大,封裝成本較高,散熱的有效區(qū)域受約束。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于克服上述不足,提供一種封裝結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、封裝成本低、提升散熱能力、適于便攜式產(chǎn)品中應(yīng)用的圓片級(jí)LED芯片封裝結(jié)構(gòu)。
本發(fā)明是這樣實(shí)現(xiàn)的:一種圓片級(jí)LED封裝結(jié)構(gòu),它包括LED芯片、硅基載體和填充膠,所述LED芯片包括芯片本體,在芯片本體上表面設(shè)有電極,所述電極包括電極Ⅰ和電極Ⅱ,所述硅基載體的上方設(shè)置玻璃。
所述硅基載體的正面設(shè)有下凹的型腔、背面設(shè)有硅孤島,所述硅孤島跨過型腔的兩端與硅基載體連接,所述LED芯片通過連結(jié)膠與型腔內(nèi)的硅孤島連接,所述玻璃與硅基載體通過填充膠連接,并且填充膠填充滿型腔內(nèi)部。
所述硅基載體的下方設(shè)有感光樹脂層和金屬層,所述感光樹脂層包括感光樹脂層Ⅰ和感光樹脂層Ⅱ,所述感光樹脂層Ⅰ覆蓋在硅基載體的下表面,呈島結(jié)構(gòu),其高度與硅孤島齊平,所述金屬層包括再布線金屬層和金屬塊,所述金屬塊設(shè)置在硅孤島的下表面,所述再布線金屬層與電極Ⅰ、電極Ⅱ連接,所述感光樹脂層Ⅱ覆蓋在金屬層上,并設(shè)有數(shù)個(gè)感光樹脂開口。
所述硅孤島設(shè)置于LED芯片的下方。
所述硅孤島與型腔的底部跨接。
所述硅孤島的長(zhǎng)度大于型腔的底部尺寸,寬度小于LED芯片寬度。
所述感光樹脂層Ⅰ與硅孤島表面齊平。
所述型腔的縱截面呈倒梯形。
所述型腔表面和硅基載體的上表面設(shè)有反光層。
所述玻璃的下表面增設(shè)熒光粉層。
本發(fā)明的有益效果是:
本發(fā)明一種圓片級(jí)LED封裝結(jié)構(gòu)采用非TSV結(jié)構(gòu),在LED芯片的底部設(shè)置硅孤島和呈島結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)感光樹脂,并使再布線金屬連接芯片電極,利用大面積再布線金屬層提升了封裝結(jié)構(gòu)的導(dǎo)電和散熱能力,使LED芯片上的熱能快速由金屬層散出,封裝結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單,降低了LED芯片封裝成本,實(shí)現(xiàn)了LED芯片封裝的高導(dǎo)電、導(dǎo)熱性能,同時(shí)滿足標(biāo)準(zhǔn)的表面貼裝工藝。
附圖說明
圖1為本發(fā)明一種圓片級(jí)LED封裝結(jié)構(gòu)的實(shí)施例一的示意圖。
圖2為本發(fā)明一種圓片級(jí)LED封裝結(jié)構(gòu)的實(shí)施例二的示意圖。
圖中:?
LED芯片1
芯片本體11
電極12
電極Ⅰ121
電極Ⅱ122
連結(jié)膠13
硅基載體2
型腔21
硅孤島22
玻璃3
熒光粉層31
填充膠4
反光層5
感光樹脂層6
感光樹脂層Ⅰ61
感光樹脂層Ⅱ62
感光樹脂開口621
金屬層7
再布線金屬層71
金屬塊72。
具體實(shí)施方式
參見圖1,本發(fā)明一種圓片級(jí)LED封裝結(jié)構(gòu),在實(shí)施例一中,本封裝結(jié)構(gòu)包括LED芯片1、硅基載體2和填充膠4,所述LED芯片1包括芯片本體11,在芯片本體11上表面設(shè)有電極12,所述電極12包括電極Ⅰ121和電極Ⅱ122,所述硅基載體2的上方設(shè)置玻璃3。
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