[發(fā)明專利]具有氧化物薄膜晶體管的平板顯示器件及其制造方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201210303214.7 | 申請(qǐng)日: | 2012-08-23 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN102983152A | 公開(kāi)(公告)日: | 2013-03-20 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 蔡志恩;安貞恩;李泰根 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 樂(lè)金顯示有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L27/32 | 分類號(hào): | H01L27/32;H01L21/77;H01L27/12 |
| 代理公司: | 北京律誠(chéng)同業(yè)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金國(guó);鐘強(qiáng) |
| 地址: | 韓國(guó)*** | 國(guó)省代碼: | 韓國(guó);KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 具有 氧化物 薄膜晶體管 平板 顯示 器件 及其 制造 方法 | ||
相關(guān)申請(qǐng)的交叉引用
本申請(qǐng)要求2011年9月2日提交的韓國(guó)專利申請(qǐng)No.10-2011-0089280的優(yōu)先權(quán),在此通過(guò)參考將其整體并入本文。
技術(shù)領(lǐng)域
本公開(kāi)涉及到具有氧化物薄膜晶體管的平板顯示器件及其制造方法。
背景技術(shù)
用于在屏幕上顯示各種信息的圖像顯示器件是信息和通信時(shí)代的核心技術(shù)中的一種。這種圖像顯示器件已經(jīng)發(fā)展得更薄、更輕和更便攜,且具有高性能。實(shí)際上,平板顯示器件由于其減少的重量和體積而于顯示器領(lǐng)域中引人矚目,而重量和體積是陰極射線管(CRT)非常公知的缺陷。平板顯示器件包括OLED(有機(jī)發(fā)光顯示)器件,其通過(guò)控制有機(jī)發(fā)光層的發(fā)光量顯示圖像。
OLED器件是在電極之間采用薄發(fā)光層的自發(fā)光顯示器件。這樣,OLED器件可更薄,像紙一樣。這種OLED器件通過(guò)使光發(fā)出穿過(guò)封裝基板來(lái)顯示圖像。封裝基板包括多個(gè)像素,多個(gè)像素設(shè)置成矩陣形狀且每一個(gè)都配置有3個(gè)顏色(即紅、綠和藍(lán))的子像素、單元驅(qū)動(dòng)陣列和有機(jī)發(fā)光陣列。
為了實(shí)現(xiàn)各種顏色,OLED器件采用被配置成分別發(fā)出紅、綠和藍(lán)光的有機(jī)發(fā)光層。有機(jī)發(fā)光層插入到兩個(gè)電極之間且用于形成有機(jī)發(fā)光二極管。
OLED器件需要能更快速驅(qū)動(dòng)的薄膜晶體管。為此,OLED器件使用諸如IGZO(氧化銦鎵鋅)膜的氧化物膜代替非晶硅膜a-Si。
圖1是示意性示出根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的平板顯示器件的截面圖。
如圖1中所示,平板顯示器件包括配置有多個(gè)限定的像素部分并用于顯示圖像的像素區(qū)15和設(shè)置在像素區(qū)15的外圍區(qū)域中的數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器12。柵極驅(qū)動(dòng)器包括在數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器12中或者形成在像素區(qū)15的另一外圍區(qū)域中。
在像素區(qū)15內(nèi)的像素部分由彼此交叉的柵極線和數(shù)據(jù)線限定。而且,每個(gè)像素部分都包括以連接到柵極線和數(shù)據(jù)線的方式形成的薄膜晶體管。
多個(gè)焊盤形成在其中設(shè)置了數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器12的驅(qū)動(dòng)器區(qū)域。多個(gè)焊盤用于將信號(hào)提供給柵極線和數(shù)據(jù)線。焊盤連接到多條鏈接線(link?lines)。這樣,多條鏈接線連接到自像素區(qū)15延伸的柵極線和數(shù)據(jù)線。
特別是,當(dāng)形成與低阻布線對(duì)應(yīng)的柵極線時(shí),在基板上同時(shí)形成多條鏈接線。由于數(shù)據(jù)線被設(shè)置在柵極線上方,在數(shù)據(jù)線和柵極線之間具有絕緣層,因此數(shù)據(jù)線和鏈接線借助于連接電極在焊盤接觸區(qū)彼此連接。
圖2是包括照片的數(shù)據(jù)表,該照片示出在根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的平板顯示器件的焊盤接觸區(qū)中產(chǎn)生的針孔(pin?hole)故障。圖3是示出沿著圖2中的線X-X’取得的像素區(qū)內(nèi)的TFT區(qū)和焊盤接觸區(qū)的截面圖。
參考圖2和3,形成在像素區(qū)中的薄膜晶體管配置有柵極101、有源層和源/漏極107a和107b。柵極101形成在基板100上。有源層包括形成在柵極101上方的溝道層104和歐姆接觸層105,有源層和柵極101間具有柵極絕緣膜102。
而且,形成在像素區(qū)內(nèi)的薄膜晶體管的漏極107b經(jīng)由形成在鈍化層109中的接觸孔連接到像素電極110。
同時(shí),在焊盤接觸區(qū)內(nèi)的數(shù)據(jù)線160通過(guò)連接電極170連接到形成在像素區(qū)15外部的鏈接線150。如果第四掩模工序使用衍射掩模和半色調(diào)掩模中的一個(gè),則歐姆接觸層圖案105a和溝道層圖案104a保留在數(shù)據(jù)線160下方。
但是,如從圖2和3中可見(jiàn),柵極絕緣膜102和鈍化層109疊置在形成于基板100上的鏈接線150上,而在數(shù)據(jù)線160上僅形成鈍化層109。這樣,用于形成接觸孔的蝕刻深度彼此不同。
因此,由于過(guò)蝕刻,在僅覆蓋有鈍化層109的數(shù)據(jù)線160中會(huì)產(chǎn)生針孔故障。更特別地,必須蝕刻?hào)艠O絕緣膜102和鈍化層109以在形成在基板100上的鏈接線150中形成接觸孔。另一方面,當(dāng)在僅覆蓋有鈍化層109的數(shù)據(jù)線160中形成另一接觸孔時(shí),由于也蝕刻了在數(shù)據(jù)線160下方的柵極絕緣膜102,,會(huì)以所述另一接觸孔穿過(guò)數(shù)據(jù)線160的方式產(chǎn)生針孔故障。
這種針孔故障破壞了數(shù)據(jù)線160和柵極絕緣膜102。由于此,會(huì)產(chǎn)生各種故障,包括形成在接觸孔區(qū)中的金屬膜的斷開(kāi)。
發(fā)明內(nèi)容
因此,本實(shí)施例涉及到平板顯示器件及其制造方法,其基本上避免了由于現(xiàn)有技術(shù)的限制和缺陷導(dǎo)致的一個(gè)或者多個(gè)問(wèn)題。
本實(shí)施例的目的是提供一種具有氧化物薄膜晶體管的平板顯示器件及其制造方法,其適合于通過(guò)當(dāng)在薄膜晶體管區(qū)中形成蝕刻停止層時(shí)在焊盤接觸區(qū)中的數(shù)據(jù)線下方形成輔助蝕刻停止層,來(lái)防止在形成接觸孔時(shí)在數(shù)據(jù)線區(qū)中產(chǎn)生針孔故障。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的多個(gè)半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無(wú)源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的;包括至少有一個(gè)躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的無(wú)源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對(duì)紅外輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過(guò)這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的;包括有熱磁組件的





