[發明專利]具有氧化物薄膜晶體管的平板顯示器件及其制造方法

有效

• 申請號: 201210303214.7
• 申請日: 2012-08-23
• 公開（公告）號: CN102983152A
• 公開（公告）日: 2013-03-20
• 發明（設計）人: 蔡志恩;安貞恩;李泰根
• 申請（專利權）人: 樂金顯示有限公司
• 主分類號: H01L27/32
• 分類號: H01L27/32;H01L21/77;H01L27/12
• 代理公司: 北京律誠同業知識產權代理有限公司 11006
• 代理人: 徐金國;鐘強

1.一種制造具有氧化物薄膜晶體管的平板顯示器件的方法，該方法包括：

制備限定為像素區和焊盤接觸區的基板；

在基板的像素區和焊盤接觸區中形成柵極和鏈接線；

在提供有柵極的基板上順序形成柵極絕緣膜和第一透明導電材料膜，和對第一透明導電材料膜執行第一掩模工序，以在像素區內形成像素電極；

在提供有像素電極的基板上形成氧化物層，和對氧化物層執行第二掩模工序，以在與柵極相對的柵極絕緣膜上形成溝道層；

在提供有溝道層的基板上形成絕緣層，和對絕緣層執行第三掩模工序，以形成設置在溝道層上的蝕刻停止層和設置在將被數據線占據的焊盤接觸區上的輔助蝕刻停止層；

在于基板上形成蝕刻停止層之后，在基板的整個表面上形成金屬膜，和對金屬膜執行第四掩模工序，以形成源極和漏極以及數據線，數據線的一端與焊盤接觸區內的輔助蝕刻停止層交疊；

在提供有源極和漏極的基板上形成鈍化層，和執行接觸孔的形成工藝，以暴露出鏈接線和與輔助蝕刻停止層相對的數據線；和

在具有接觸孔的基板上形成第二透明導電材料膜，和執行第五掩模工序，以形成設置在像素區內的公共電極和設置在焊盤接觸區內并連接數據線和鏈接線的公共電極。

2.如權利要求1所述的方法，其中所述柵極由諸如鋁Al、鋁合金、鎢W、銅Cu、鎳Ni、鉻Cr、鉬Mo、鈦Ti、鉑Pt和鉭Ta的不透明導電材料中的一種形成。

3.如權利要求1所述的方法，其中所述像素電極由氧化銦錫ITO和氧化銦鋅IZO中的一種形成。

4.如權利要求1所述的方法，其中所述像素電極與所述漏極直接接觸。

5.如權利要求1所述的方法，其中所述輔助蝕刻停止層防止當在鈍化層中形成接觸孔時，過蝕刻設置在數據線下方的柵極絕緣膜。

6.如權利要求1所述的方法，其中所述氧化物層由諸如IGZO（氧化銦鎵鋅）的材料形成。

7.一種制造具有氧化物薄膜晶體管的平板顯示器件的方法，該方法包括：

制備限定為像素區和焊盤接觸區的基板；

在基板的像素區和焊盤接觸區中形成柵極和鏈接線；

在提供有柵極的基板上順序形成柵極絕緣膜和氧化物層，和對氧化物層執行第一掩模工序，以在與柵極相對的柵極絕緣膜上形成溝道層；

在提供有溝道層的基板上形成絕緣層，和對絕緣層執行第二掩模工序，以形成設置在溝道層上的蝕刻停止層和設置在將被數據線占據的焊盤接觸區上的輔助蝕刻停止層；

在于基板上形成蝕刻停止層之后，在基板的整個表面上形成金屬膜，和對金屬膜執行第三掩模工序，以形成源極和漏極以及數據線，數據線的一端與焊盤接觸區內的輔助蝕刻停止層交疊；

在提供有源極和漏極的基板上順序形成第一鈍化層和第一透明導電材料膜，和對第一透明導電材料膜執行第四掩模工序，以在像素區內的第一鈍化層上形成公共電極；

在提供有公共電極的基板上形成第二鈍化層，和執行接觸孔的形成工藝，以在漏極、鏈接線和與輔助蝕刻停止層相對的數據線上方形成接觸孔；和

在具有接觸孔的基板上形成第二透明導電材料膜，和執行第五掩模工序，以形成設置在與像素區內的公共電極相對的第二鈍化層上的像素電極和設置在焊盤接觸區內并且連接數據線和鏈接線的連接電極。

8.如權利要求7所述的方法，其中所述柵極由諸如Al、鋁合金、鎢W、銅Cu、鎳Ni、鉻Cr、鉬Mo、鈦Ti、鉑Pt和鉭Ta的不透明導電材料中的一種形成。

9.如權利要求7所述的方法，其中所述像素電極由氧化銦錫ITO和氧化銦鋅IZO中的一種形成。

10.如權利要求7所述的方法，其中所述像素電極經由形成在第一和第二鈍化層中的接觸孔與漏極接觸。

11.如權利要求7所述的方法，其中所述輔助蝕刻停止層防止了當在鈍化層中形成接觸孔時，過蝕刻設置在數據線下方的柵極絕緣膜。

12.如權利要求7所述的方法，其中所述氧化物層由諸如IGZO（氧化銦鎵鋅）的材料形成。