[發(fā)明專利]晶體管的形成方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210299790.9
• 申請日: 2012-08-21
• 公開（公告）號: CN103632969A
• 公開（公告）日: 2014-03-12
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 涂火金;何有豐;金蘭
• 申請（專利權(quán)）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336;H01L29/78;H01L29/06
• 代理公司: 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227
• 代理人: 駱蘇華

1.一種晶體管的形成方法，其特征在于，包括：

提供半導(dǎo)體襯底，所述半導(dǎo)體襯底表面具有柵極結(jié)構(gòu)；

在所述柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)的半導(dǎo)體襯底內(nèi)形成開口；

在所述開口的側(cè)壁和底部表面形成第一襯墊層，所述第一襯墊層的材料為硅鍺或碳化硅，所述第一襯墊層內(nèi)具摻雜離子，所述摻雜離子為P型離子或N型離子；

在所述第一襯墊層表面形成填充滿所述開口的第二襯墊層，所述第二襯墊層的材料與第一襯墊層一致，且所述第二襯墊層內(nèi)的鍺或碳的原子百分比濃度比第一襯墊層高，所述第二襯墊層內(nèi)具有與第一襯墊層內(nèi)相同的摻雜離子，且第二襯墊層內(nèi)的摻雜離子濃度比第一襯墊層高。

2.如權(quán)利要求1所述晶體管的形成方法，其特征在于，所述第一襯墊層和第二襯墊層的材料為硅鍺時，所述摻雜離子為硼或銦。

3.如權(quán)利要求2所述晶體管的形成方法，其特征在于，所述第一襯墊層內(nèi)的硼或銦的摻雜濃度為1E17原子/立方厘米-1E19原子/立方厘米，所述第二襯墊層內(nèi)的硼或銦的摻雜濃度為1E19原子/立方厘米-1E21原子/立方厘米。

4.如權(quán)利要求2所述晶體管的形成方法，其特征在于，所述第一襯墊層內(nèi)鍺的原子百分比濃度為1%-25%，所述第二襯墊層內(nèi)鍺的原子百分比濃度為25%-45%。

5.如權(quán)利要求1所述晶體管的形成方法，其特征在于，所述第一襯墊層和第二襯墊層的材料為碳化硅時，所述摻雜離子為磷或砷。

6.如權(quán)利要求5所述晶體管的形成方法，其特征在于，所述第一襯墊層內(nèi)的磷或砷的摻雜濃度為1E17原子/立方厘米-1E19原子/立方厘米，所述第二襯墊層內(nèi)的磷或砷的摻雜濃度為1E19原子/立方厘米-1E21原子/立方厘米。

7.如權(quán)利要求5所述晶體管的形成方法，其特征在于，所述第一襯墊層內(nèi)碳的原子百分比濃度為0.05%-1%，所述第二襯墊層內(nèi)鍺的原子百分比濃度為1%-10%。

8.如權(quán)利要求1所述晶體管的形成方法，其特征在于，所述第一襯墊層和第二襯墊層的形成工藝為選擇性外延沉積工藝。

9.如權(quán)利要求8所述晶體管的形成方法，其特征在于，選擇性外延沉積工藝的溫度為500攝氏度-800攝氏度，氣壓為1托-100托。

10.如權(quán)利要求8所述晶體管的形成方法，其特征在于，所述選擇性外延沉積工藝的氣體包括SiH₄或SiH₂Cl₂，所述SiH₄或SiH₂Cl₂的流量為1sccm-1000sccm。

11.如權(quán)利要求10所述晶體管的形成方法，其特征在于，所述選擇性外延沉積工藝的氣體還包括：HCl和H₂，所述HCl的流量為1sccm-1000sccm，H₂的流量為0.1slm-50slm。

12.如權(quán)利要求1所述晶體管的形成方法，其特征在于，所述第一襯墊層和第二襯墊層內(nèi)摻雜離子的工藝為原位摻雜工藝。

13.如權(quán)利要求12所述晶體管的形成方法，其特征在于，所述原位摻雜工藝的氣體為B₂H₆、InCl₃、PH₃或AsH₃，所述B₂H₆、InCl₃、PH₃或AsH₃的流量為1sccm-1000sccm。

14.如權(quán)利要求1所述晶體管的形成方法，其特征在于，所述第二襯墊層內(nèi)摻雜離子的工藝為離子注入工藝。

15.如權(quán)利要求1所述晶體管的形成方法，其特征在于，所述第一襯墊層的厚度為1埃~200納米，所述第二襯墊層的底部到半導(dǎo)體襯底表面的厚度為1埃~200納米。

16.如權(quán)利要求1所述晶體管的形成方法，其特征在于，所述開口的側(cè)壁與半導(dǎo)體襯底的表面構(gòu)成西格瑪形，所述開口側(cè)壁上的頂角向所述柵極結(jié)構(gòu)下方的半導(dǎo)體襯底內(nèi)延伸。