[發明專利]一種底部隔離電荷補償結構半導體晶片及其制備方法無效
| 申請號： | 201210298991.7 | 申請日： | 2012-08-21 |
| 公開（公告）號： | CN103633138A | 公開（公告）日： | 2014-03-12 |
| 發明（設計）人： | 朱江 | 申請（專利權）人： | 朱江 |
| 主分類號： | H01L29/78 | 分類號： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
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| 地址： | 310018 浙江省杭*** | 國省代碼： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 底部 隔離 電荷 補償 結構 半導體 晶片 及其 制備 方法 | ||
1.一種底部隔離電荷補償結構半導體晶片，其特征在于：包括：
襯底層，為半導體材料；
漂移層，為第一導電類型半導體材料，位于襯底層之上，漂移層中襯底層垂直方向上分布條狀第二導電類型半導體材料，在條狀第二導電類型半導體材料底部具有絕緣材料。?
2.如權利要求1所述的半導體晶片，其特征在于：所述的襯底層雜質摻雜濃度大于等于1E17cm-3。
3.如權利要求1所述的半導體晶片，其特征在于：所述的漂移層第一導電類型半導體材料雜質摻雜濃度小于等于1E17cm-3。
4.如權利要求1所述的半導體晶片，其特征在于：所述的第二導電類型半導體材料雜質摻雜濃度小于等于1E17cm-3。
5.如權利要求1所述的半導體晶片，其特征在于：所述的條狀第二導電類型半導體材料底部與漂移層中第一導電類型半導體材料之間有絕緣材料進行隔離。
6.如權利要求1所述的半導體晶片，其特征在于：所述的條狀第二導電類型半導體材料高寬比大于等于5。
7.如權利要求1所述的半導體晶片，其特征在于：所述的條狀第二導電類型半導體材料可以位于襯底層中。
8.如權利要求1所述的半導體晶片，其特征在于：所述的絕緣材料的厚度大于等于1微米。
9.如權利要求1所述的半導體晶片，其特征在于：所述的絕緣材料可以位于襯底層中。
10.如權利要求1所述的一種底部隔離電荷補償結構半導體晶片的制備方法，其特征在于：包括如下步驟：
1）在襯底層表面形成第一導電類型半導體材料外延層；
2）在外延層中形成多個溝槽；
3）在溝槽內淀積絕緣材料，然后反刻蝕絕緣材料；
4）在溝槽內形成第二導電類型半導體材料，對表面進行平整化處理。
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