[發明專利]半導體結構及其形成方法有效
| 申請號： | 201210298136.6 | 申請日： | 2012-08-20 |
| 公開（公告）號： | CN103390648A | 公開（公告）日： | 2013-11-13 |
| 發明（設計）人： | 陳柏羽;黃婉華;陳晶盈;吳國銘 | 申請（專利權）人： | 臺灣積體電路制造股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L29/78 | 分類號： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知識產權代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;孫征 |
| 地址： | 中國臺*** | 國省代碼： | 中國臺灣;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 半導體 結構 及其 形成 方法 | ||
1.一種半導體結構，包括：
第一柵極結構，設置在襯底上；
至少一個輕摻雜區，具有第一導電類型，并且與位于所述襯底中的所述柵極結構鄰接；
源極部件和漏極部件，具有所述第一導電類型，并且位于所述襯底中的所述柵極結構的相對側，其中，所述源極部件位于所述至少一個輕摻雜區中；以及
第一降壓拾取區，具有第二導電類型，并且與位于所述至少一個輕摻雜區中的所述源極部件鄰接。
2.根據權利要求1所述的半導體結構，進一步包括與所述源極部件鄰接并與所述第一降壓拾取區相對的第二降壓拾取區。
3.根據權利要求2所述的半導體結構，其中，所述第一降壓拾取區和所述第二降壓拾取區間隔約0.2μm至約10μm范圍內的距離W。
4.根據權利要求1所述的半導體結構，其中，所述第一降壓拾取區的深度DP基本上大于所述至少一個輕摻雜區的深度DL。
5.根據權利要求1所述的半導體結構，其中，所述第一降壓拾取區包括約1E15至5E15原子/平方厘米的劑量范圍內的硼。
6.根據權利要求1所述的半導體結構，進一步包括設置在所述源極部件和所述第一降壓拾取區上的自對準多晶硅化物層。
7.根據權利要求6所述的半導體結構，其中，所述自對準多晶硅化物層延伸進所述襯底中達深度DS，并且所述深度DS大于所述至少一個輕摻雜區的深度DL。
8.根據權利要求6所述的半導體結構，進一步包括設置在所述自對準多晶硅化物層上的接觸塞。
9.一種半導體結構，包括：
第一柵極結構和相鄰的第二柵極結構，所述第一柵極結構和所述第二柵極結構設置在襯底上；
阱區，設置在所述第一柵極結構和所述第二柵極結構之間的所述襯底中，所述阱區具有第一導電類型；
輕摻雜區，設置在所述阱區中，所述輕摻雜區具有第二導電類型；
重摻雜區，設置在所述輕摻雜區中，所述重摻雜區具有所述第二導電類型；以及
第一降壓拾取區，與位于所述輕摻雜區中的所述重摻雜區鄰接，所述第一降壓拾取區具有所述第一導電類型。
10.一種形成半導體結構的方法，所述方法包括：
將柵極結構形成在襯底上；
形成與位于所述襯底中的所述柵極結構鄰接的至少一個輕摻雜區，所述至少一個輕摻雜區具有第一導電類型；
在所述至少一個輕摻雜區中形成具有第二導電類型的第一降壓拾取區；以及
將具有所述第一導電類型的源極部件和漏極部件形成在所述柵極結構的相對側上，其中，所述源極部件位于所述至少一個輕摻雜區中并與所述第一降壓拾取區鄰接。
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