[發明專利]一種實時監控裝置及方法在審
| 申請號: | 201210297518.7 | 申請日: | 2012-08-20 |
| 公開(公告)號: | CN103632993A | 公開(公告)日: | 2014-03-12 |
| 發明(設計)人: | 林偉旺 | 申請(專利權)人: | 北大方正集團有限公司;深圳方正微電子有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/66 | 分類號: | H01L21/66;H01J37/317 |
| 代理公司: | 北京同達信恒知識產權代理有限公司 11291 | 代理人: | 黃志華 |
| 地址: | 100871 北京市*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 實時 監控 裝置 方法 | ||
技術領域
本申請涉及集成電路制造技術領域,特別涉及一種實時監控裝置及方法。
背景技術
在集成電路的制造中,離子注入設備廣泛應用于當前國內集成電路生產線,離子注入設備用于摻雜工藝,并且滿足淺結、低溫和精確控制等要求,因此,離子注入設備是集成電路制造前工序中的關鍵設備。
在現有技術中,離子注入設備的主要工作:通過注入離子對半導體表面附近區域進行摻雜的技術,其目的是改變半導體的載流子濃度來控制半導體的導電類型,而對離子劑量的控制主要是由離子注入設備的劑量控制器來完成。
可見,離子注入設備中的劑量控制器是離子注入設備的一核心部件,它的精度、穩定性直接決定著產品的最終良品率。
在現有技術中,為了提高產品良品率,主要做法是:每天做一次對固定劑量的監控片的檢測,通過測量監控片注入離子后的方塊電阻值來評估離子注入設備是否穩定。但本申請發明人在實現本申請實施例中發明技術方案的過程中,發現上述技術至少存在如下技術問題:
一為由于監控間隔為一天,所以,當發現監控片出現異常時,那么在這一天做的所有已經注入離子的產品都會成為不合格產品;二為監控方式屬抽樣式監測,存在因為檢測不全面而存在發現不了偶發性異常的技術問題。可見,現有技術中存在不能對離子注入劑量準確性、劑量控制器穩定性做實時監控的技術問題。
例如,對于使用年限已達十多年以上的離子注入設備,其劑量控制器難免會出現元件老化而引起精度或穩定性下降等異常,若抽樣檢測未能抽到,則可能會繼續生產異常產品。
發明內容
本申請實施例通過提供一種實時監控裝置及方法,用以解決現有技術不能對離子注入劑量準確性、劑量控制器穩定性做實時監控的技術問題。
一方面,本申請實施例提供一種實時監控裝置,包括:
信號獲得單元,能與一離子注入設備的連接,在所述離子注入設備正在對一集成電路進行離子注入的過程中,用于從所述獲得第一束流信號、開始注入信號及注入完成信號;
處理單元,與所述信號獲得單元連接,用于對所述第一束流信號,開始注入信號及注入完成信號進行處理,獲得用于表征注入所述集成電路的劑量值是否符合一預設條件的參數值。
可選的,所述信號獲得單元,具體包括:
束流信號獲得單元,連接在所述束流調節控制器與所述處理單元間,用于從所述束流調節控制器獲得所述第一束流信號;
注入信號獲得單元,連接所述束流調節控制器與所述處理單元間,用于從所述束流調節控制器獲得開始注入信號及注入完成信號。
可選的,所述束流信號獲得單元,具體包括:
模擬信號隔離電路,包括第一端和第二端,其中,所述第一端與所述束流調節控制器連接,用于從所述束流調節控制器接收格式為模擬格式的第二束流信號;
模數轉換電路,包括第三端和第四端,其中,所述第三端與所述第二端連接,所述第四端與所述處理單元連接,用于將所述第二束流信號轉換為格式為數字格式的第一束流信號。
可選的,所述處理單元,具體包括:
輸入輸出單元,與所述信號獲得單元連接,用于從所述信號獲得單元獲得所述第一束流信號,所述開始注入信號及所述注入完成信號;
邏輯運算單元,與所述輸入輸出單元連接,用于對所述第一束流信號,所述開始注入信號及所述注入完成信號進行處理,獲得用于表征注入所述集成電路的劑量值是否符合一預設條件的參數值。
可選的,所述邏輯運算單元,具體用于:
基于公式獲得所述集成電路的離子的實際注入量,其中,所述S為注入面積,是一個常值;所述C為注入離子的電荷數,在注入離子為單電荷時,所述C值為1,在注入離子為雙電荷時,所述C值為2;
基于所述集成電路的設定注入量和所述實際注入量,獲得用于表征注入所述集成電路的劑量值是否符合一預設條件的參數值。
另一方面,本申請實施例還提供一種實時監控的方法,包括:
在一離子注入設備正在對一集成電路進行離子注入的過程中,用于從所述離子注入設備的束流調節控制器獲得第一束流信號,開始注入信號及注入完成信號;
對所述第一束流信號,開始注入信號及注入完成信號進行處理,獲得用于表征注入所述集成電路的劑量值是否符合一預設條件的參數值。
可選的,所述在一離子注入設備正在對一集成電路進行離子注入的過程中,用于從所述離子注入設備的束流調節控制器獲得第一束流信號,開始注入信號及注入完成信號,具體為:
接收所述束流調節控制器生成的第一束流信號;
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H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





