[發(fā)明專利]成膜方法無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201210296623.9 | 申請日: | 2009-02-18 |
| 公開(公告)號: | CN102820222A | 公開(公告)日: | 2012-12-12 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 河野有美子;有馬進;柿本明修;廣田俊幸;清村貴利 | 申請(專利權(quán))人: | 東京毅力科創(chuàng)株式會社;爾必達存儲器株式會社 |
| 主分類號: | H01L21/316 | 分類號: | H01L21/316;C23C16/40;H01L21/31;H01L21/8242;H01L27/108 |
| 代理公司: | 北京尚誠知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11322 | 代理人: | 龍淳 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 方法 | ||
1.一種成膜方法,其特征在于,包括:
在處理容器內(nèi)配置基板的工序;
向所述處理容器內(nèi)導(dǎo)入含有第一金屬的氣態(tài)第一有機金屬化合物原料、含有第二金屬的氣態(tài)第二有機金屬化合物原料和氧化劑的工序,
在基板上形成AxByOz型的氧化物膜,
作為第一有機金屬化合物原料,使用有機配體被氧化劑分解而產(chǎn)生CO的化合物,
重復(fù)進行多次第一成膜階段和第二成膜階段,
第一成膜階段包括向所述處理容器內(nèi)導(dǎo)入所述第一有機金屬化合物原料的工序、向所述處理容器內(nèi)導(dǎo)入所述氧化劑的工序、以及在這些工序后對處理容器內(nèi)進行清掃,
第二成膜階段包括向所述處理容器內(nèi)導(dǎo)入所述第二有機金屬化合物原料的工序、向所述處理容器內(nèi)導(dǎo)入所述氧化劑的工序、以及在這些工序后對處理容器內(nèi)進行清掃,
所述第一成膜階段重復(fù)不超過5次。
2.如權(quán)利要求1所述的成膜方法,其特征在于:
所述第一有機金屬化合物原料是環(huán)戊二烯化合物或酰胺類化合物。
3.如權(quán)利要求1所述的成膜方法,其特征在于:
所述第二有機金屬化合物是金屬醇鹽。
4.如權(quán)利要求1所述的成膜方法,其特征在于:
所述氧化劑是氣態(tài)的O3或者O2。
5.如權(quán)利要求1所述的成膜方法,其特征在于:
所述第一有機金屬化合物是Sr化合物,所述第二有機金屬化合物是Ti化合物,所述AxByOz型的氧化物膜是Sr-Ti-O系膜。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





