[發(fā)明專(zhuān)利]半導(dǎo)體元件有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201210296012.4 | 申請(qǐng)日： | 2012-08-17 |
| 公開(kāi)（公告）號(hào)： | CN103594521B | 公開(kāi)（公告）日： | 2017-03-01 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 游家華;張民杰;張榮芳 | 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人： | 瀚宇彩晶股份有限公司 |
| 主分類(lèi)號(hào)： | H01L29/786 | 分類(lèi)號(hào)： | H01L29/786;H01L29/417 |
| 代理公司： | 北京潤(rùn)平知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司11283 | 代理人： | 陳瀟瀟,南毅寧 |
| 地址： | 中國(guó)臺(tái)灣新北*** | 國(guó)省代碼： | 臺(tái)灣;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 半導(dǎo)體 元件 | ||
1.一種半導(dǎo)體元件，該半導(dǎo)體元件包括：
第一導(dǎo)電層；
絕緣層，覆蓋所述第一導(dǎo)電層；
第二導(dǎo)電層，形成在所述絕緣層上且內(nèi)部具有開(kāi)口；
通道層，形成在所述第二導(dǎo)電層的所述開(kāi)口上并完全覆蓋所述開(kāi)口；
保護(hù)層，形成在所述通道層上方且覆蓋所述通道層，并具有位于所述第二導(dǎo)電層的所述開(kāi)口內(nèi)的通孔；以及
第三導(dǎo)電層，形成在所述通孔內(nèi)并從所述通孔向外延伸而出。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體元件，其中所述通孔的周緣至所述第二導(dǎo)電層的距離均相同。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體元件，其中所述通孔位于所述第二導(dǎo)電層的所述開(kāi)口的中央位置。
4.根據(jù)權(quán)利要求1-3中任一項(xiàng)權(quán)利要求所述的半導(dǎo)體元件，其中所述通孔及所述第二導(dǎo)電層的內(nèi)緣被形成為矩形、正方形或?qū)ΨQ(chēng)多邊形。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體元件，其中所述第三導(dǎo)電層為透明電極層。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體元件，所述半導(dǎo)體元件還包括覆蓋層，該覆蓋層位于所述保護(hù)層與所述第三導(dǎo)電層之間。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體元件，其中所述通道層為金屬氧化物、非晶硅、多晶硅或單晶硅半導(dǎo)體通道層。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體元件，其中所述絕緣層與所述第二導(dǎo)電層、和/或所述通道層與所述第二導(dǎo)電層之間還形成有接觸層。
9.一種半導(dǎo)體元件，該半導(dǎo)體元件包括：
第一導(dǎo)電層；
絕緣層，覆蓋所述第一導(dǎo)電層；
第二導(dǎo)電層，形成在所述絕緣層上且內(nèi)部具有開(kāi)口；
通道層，形成在所述第二導(dǎo)電層的所述開(kāi)口上并完全覆蓋所述開(kāi)口；
保護(hù)層，形成在所述通道層上方且覆蓋所述通道層，并具有位于所述第二導(dǎo)電層的所述開(kāi)口內(nèi)的通孔；
第三導(dǎo)電層，形成在所述通孔內(nèi)；以及
透明電極層，與所述第三導(dǎo)電層耦接并從所述第三導(dǎo)電層向外延伸而出。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體元件，其中所述第三導(dǎo)電層的周緣至所述第二導(dǎo)電層的距離均相同。
11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體元件，其中所述第三導(dǎo)電層位于所述第二導(dǎo)電層的所述開(kāi)口的中央位置。
12.根據(jù)權(quán)利要求9-11中任一項(xiàng)權(quán)利要求所述的半導(dǎo)體元件，其中所述第三導(dǎo)電層及所述第二導(dǎo)電層的內(nèi)緣被形成為矩形、正方形或?qū)ΨQ(chēng)多邊形。
13.根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體元件，所述半導(dǎo)體元件還包括覆蓋層，該覆蓋層位于所述保護(hù)層與所述透明電極層之間。
14.根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體元件，其中所述通道層為金屬氧化物、非晶硅、多晶硅或單晶硅半導(dǎo)體通道層。
15.根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體元件，其中所述絕緣層與所述第二導(dǎo)電層、和/或所述通道層與所述第二導(dǎo)電層之間還形成有接觸層。
16.一種半導(dǎo)體元件，該半導(dǎo)體元件包括：
第一導(dǎo)電層；
絕緣層，覆蓋所述第一導(dǎo)電層；
第二導(dǎo)電層，形成在所述絕緣層上且具有第一部分、第二部分及第三部分；其中所述第二部分及所述第三部分從所述第一部分垂直地延伸而出；
通道層，形成在所述第一部分、所述第二部分及所述第三部分內(nèi)并覆蓋部分所述第一部分、所述第二部分及所述第三部分；
保護(hù)層，形成在所述通道層上方且覆蓋所述通道層，并具有位于所述第二部分與所述第三部分之間的通孔；以及
第三導(dǎo)電層，形成在所述通孔內(nèi)。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的半導(dǎo)體元件，其中所述第三導(dǎo)電層為透明電極層并從所述通孔向外延伸而出。
18.根據(jù)權(quán)利要求16所述的半導(dǎo)體元件，所述半導(dǎo)體元件還包括透明電極層，該透明電極層與所述第三導(dǎo)電層耦接并從所述第三導(dǎo)電層向外延伸而出。
19.根據(jù)權(quán)利要求17或18所述的半導(dǎo)體元件，所述半導(dǎo)體元件還包括覆蓋層，該覆蓋層位于所述保護(hù)層與所述透明電極層之間。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類(lèi)目中不包括的電固體器件
H01L29-00 專(zhuān)門(mén)適用于整流、放大、振蕩或切換，并具有至少一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或表面勢(shì)壘的半導(dǎo)體器件；具有至少一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或表面勢(shì)壘，例如PN結(jié)耗盡層或載流子集結(jié)層的電容器或電阻器；半導(dǎo)體本體或其電極的零部件
H01L29-02 .按其半導(dǎo)體本體的特征區(qū)分的
H01L29-40 .按其電極特征區(qū)分的
H01L29-66 .按半導(dǎo)體器件的類(lèi)型區(qū)分的
H01L29-68 ..只能通過(guò)對(duì)一個(gè)不通有待整流、放大或切換的電流的電極供給電流或施加電位方可進(jìn)行控制的
H01L29-82 ..通過(guò)施加于器件的磁場(chǎng)變化可控的
