[發明專利]具有熱防護件的化學氣相沉積裝置

有效

• 申請號: 201210295798.8
• 申請日: 2012-08-17
• 公開（公告）號: CN103374712A
• 公開（公告）日: 2013-10-30
• 發明（設計）人: 柳鍾賢;洪思仁;崔珉鎬
• 申請（專利權）人: 塔工程有限公司
• 主分類號: C23C16/44
• 分類號: C23C16/44;C23C16/46
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 武樹辰;王婧

技術領域

本發明主要涉及化學氣相沉積裝置。更具體地說，本發明涉及一種具有熱防護件的化學氣相沉積裝置，該熱防護件被包括在內以保護化學氣相沉積裝置的基座下方的元件。

背景技術

在半導體制造過程中，將所需的材料沉積在基片上的薄膜沉積過程通常分為物理氣相沉積（PVD）和化學氣相沉積（CVD）。這里，CVD是這樣一種方法，其中，將工藝氣體供給至反應室，并且工藝氣體隨后在有熱或等離子體參與的情況下經受化學反應，由此使膜沉積在基片上。同時，金屬有機化學氣相沉積（MOCVD）是這樣一種方法，其中，將有機金屬化合物用作前體（precursor）并利用運載氣體將有機金屬化合物供給至反應室，以在受熱的基片表面上形成有機金屬化合物薄膜。

同時，在于反應室中實施的處理期間，通過感應線圈或反應室的內部溫度來加熱基座。根據過程條件，以不同的方式控制該基座的溫度。

同時，可在基座的下方安裝多種零件以驅動基座。當對基座進行加熱時，由基座產生的熱量中的一些被傳遞至基座下方的一部分。該熱量損壞內部元件并且降低熱效率。

發明內容

因此，考慮到現有技術中存在的上述問題已經做出了本發明，并且本發明的目的是提供一種具有熱防護件的化學氣相沉積裝置，該熱防護件意在防止熱量從化學氣相沉積裝置的反應室中的基座向基座下方的一部分傳遞。

為了實現上述目的，本發明提供了一種化學氣相沉積裝置，該化學氣相沉積裝置具有反應室和由基座支承軸支承在反應室中的基座，該化學氣相沉積裝置包括熱防護件，該熱防護件用于阻隔從基座的下方的一部分或從基座支承軸輻射的輻射熱。

在本發明的一方面中，該熱防護件可包括：圓筒形的第一防護板；以及第二防護板，該第二防護板聯接至第一防護板，第二防護板設置在基座的下方并且在第二防護板的中央部分處是開放的。此外，該基座支承軸可以穿過第一防護板的方式設置在第一防護板的內部。

該化學氣相沉積裝置還可包括輔助防護件，該輔助防護件以與第一防護板間隔開的方式設置在第一防護板的下方，該輔助防護件阻隔從基座的中央部分朝向反應室的底部輻射的熱量。

在本發明的另一方面中，熱防護件可呈圓筒形狀設置在基座支承軸的外側。熱防護件可包括：圓筒形的下部防護件；以及上部防護件，該上部防護件聯接至下部防護件的頂部，下部防護件及上部防護件由不同的材料制成，下部防護件的傳熱系數低于上部防護件的傳熱系數。

該化學氣相沉積裝置還可包括上部輻射熱防護件，該上部輻射熱防護件呈環形地設置在基座的下方。

附圖說明

通過結合附圖進行的下列詳細描述，將更為清楚地理解本發明的上述及其它目的、特征和優點，在附圖中：

圖1為示出了根據本發明的優選實施方式的化學氣相沉積裝置的構型的視圖；

圖2為示出了包括在根據本發明的優選實施方式的化學氣相沉積裝置中的熱防護件的截面圖；

圖3為示出了包括在根據本發明的優選實施方式的化學氣相沉積裝置中的輔助熱防護件的截面圖；

圖4為示出了根據本發明的另一優選實施方式的化學氣相沉積裝置的構型的視圖；以及

圖5為示出了包括在根據本發明的另一優選實施方式的化學氣相沉積裝置中的熱防護件的立體圖。

具體實施方式

在下文中，將參照附圖對本發明的優選實施方式進行詳細地描述。應當指出的是，遍及不同的附圖，相同或相似的部件具有相同的附圖標記。另外，雖然將在下面對本發明的優選實施方式進行描述，但是所屬領域技術人員將了解到，本發明的技術思想并不限制或局限于此并且可被改變成多種其它的形式。

圖1為示出了根據本發明的優選實施方式的化學氣相沉積裝置的構型的視圖，圖2為示出了包括在根據本發明的優選實施方式的化學氣相沉積裝置中的熱防護件的截面圖，以及圖3為示出了包括在根據本發明的優選實施方式的化學氣相沉積裝置中的輔助熱防護件的截面圖。

化學氣相沉積裝置1包括：反應室3；設置于反應室3中的上部位置處的噴頭5；及基座14，基片裝載在該基座14上。在噴頭5與基座14之間限定反應空間28。