[發明專利]一種超結MOSFET的制造方法有效
| 申請號： | 201210292876.9 | 申請日： | 2012-08-17 |
| 公開（公告）號： | CN102931090A | 公開（公告）日： | 2013-02-13 |
| 發明（設計）人： | 陳橋梁;任文珍;陳仕全;馬治軍;杜忠鵬 | 申請（專利權）人： | 西安龍騰新能源科技發展有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/336 | 分類號： | H01L21/336 |
| 代理公司： | 西安新思維專利商標事務所有限公司 61114 | 代理人： | 李罡 |
| 地址： | 710021 陜西*** | 國省代碼： | 陜西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 mosfet 制造 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種超結MOSFET的制造方法，其特征在于：通過以下步驟實現：
步驟一:提供n型重摻雜的n+襯底，并在n+襯底上形成n型外延層；
步驟二:通過光刻界定出p-body的注入區域，進行p型雜質注入，并通過熱過程推阱形成p阱區；
步驟三：通過光刻界定出形成p-colunm的區域，并通過刻蝕及外延填充形成p-column，形成復合緩沖層；
步驟四：在硅片上生長場氧化層；
步驟五：通過光刻場氧化層界定出器件元胞區，以及預留部分場氧作為源區n+注入的阻擋層；
步驟六：生長柵氧化層，淀積多晶硅，并通過光刻界定出多晶硅柵極的區域；
步驟七：?用多晶硅層及場氧層作為源區n型雜質離子注入的阻擋層，并進行推阱形成源區n+；
步驟八：與整個半導體硅片表面淀積介質層；
步驟九：通過光刻，界定出接觸孔區域，并進行介質層刻蝕，可通過控制刻蝕時間與速率將場氧一并去出，從而刻蝕出接觸孔；
步驟十：在介質層上淀積金屬層，并刻蝕。
2.根據權利要求1所述的一種超結MOSFET的制造方法，其特征在于：所述的源區n+注入時用多晶硅層及場氧層作為源區n+注入的阻擋層。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
