[發明專利]一種半導體器件及其制造方法

有效

• 申請號: 201210291299.1
• 申請日: 2012-08-16
• 公開（公告）號: CN103594369B
• 公開（公告）日: 2017-04-05
• 發明（設計）人: 周曉君
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336;H01L21/762;H01L29/78
• 代理公司: 北京市磐華律師事務所11336
• 代理人: 董巍,高偉

1.一種半導體器件的制造方法，包括以下步驟：

提供SOI襯底，在所述襯底中形成淺溝槽隔離結構；

在所述襯底上形成柵極結構；

在所述柵極結構的兩側的襯底中形成源漏區；

在源端的淺溝槽隔離結構中形成一溝槽以漏出部分源以及襯底的側面；

在所述柵極結構、源漏區上形成金屬硅化物，同時在所述溝槽內形成金屬硅化物以電連接所述源端和所述襯底。

2.如權利要求1所述的方法，其特征在于，還包括在所述襯底中形成LDD摻雜區的步驟。

3.如權利要求1所述的方法，其特征在于，還包括在所述柵極結構的側壁上形成間隙壁的步驟。

4.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述柵極結構包括柵絕緣層以及多晶硅層。

5.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述半導體器件為半耗盡SOI器件。

6.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述溝槽的個數為2個，對稱形成在柵極結構兩端的淺溝槽隔離結構中。

7.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述溝槽的深度不小于所述SOI襯底上硅層的厚度。

8.如權利要求3所述的方法，其特征在于，所述溝槽部分形成于所述間隙壁的底部。

9.如權利要求3所述的方法，其特征在于，所述溝槽的頂部與所述間隙壁相接。

10.一種采用權利要求1-9之一所述方法制造的半導體器件。