[發(fā)明專利]有機(jī)電致發(fā)光器件以及制備方法無(wú)效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201210290395.4 | 申請(qǐng)日: | 2012-08-15 |
| 公開(公告)號(hào): | CN103594638A | 公開(公告)日: | 2014-02-19 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 周明杰;王平;鐘鐵濤;張振華 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技術(shù)有限公司;深圳市海洋王照明工程有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L51/52 | 分類號(hào): | H01L51/52;H01L51/50;H01L51/56 |
| 代理公司: | 廣州華進(jìn)聯(lián)合專利商標(biāo)代理有限公司 44224 | 代理人: | 何平 |
| 地址: | 518100 廣東省深*** | 國(guó)省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 有機(jī) 電致發(fā)光 器件 以及 制備 方法 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及電致發(fā)光領(lǐng)域,尤其涉及一種有機(jī)電致發(fā)光器件及制備方法。
背景技術(shù)
有機(jī)電致發(fā)光器件(OLED)是基于有機(jī)材料的一種電流型半導(dǎo)體發(fā)光器件。其典型結(jié)構(gòu)是在ITO玻璃上制備一層幾十納米厚的有機(jī)發(fā)光材料作發(fā)光層,再在發(fā)光層上方制備一層低功函數(shù)的金屬電極。當(dāng)電極上加有電壓時(shí),發(fā)光層就產(chǎn)生光輻射。
OLED器件具有主動(dòng)發(fā)光、發(fā)光效率高、功耗低、輕、薄、無(wú)視角限制等優(yōu)點(diǎn),被認(rèn)為是最具有發(fā)展前景的照明器件。作為一項(xiàng)嶄新的照明和顯示技術(shù),OLED技術(shù)在過(guò)去的十多年里發(fā)展迅猛,取得了巨大的成就。由于全球越來(lái)越多的照明和顯示廠家紛紛投入研發(fā),大大的推動(dòng)了OLED的產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程。
然而傳統(tǒng)的有機(jī)電致發(fā)光器件普遍存在封裝效果差、使用壽命短的問(wèn)題。
發(fā)明內(nèi)容
基于此,有必要提供一種封裝效果良好、使用壽命較長(zhǎng)的有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法。
一種有機(jī)電致發(fā)光器件,包括依次層疊設(shè)置的導(dǎo)電基板、發(fā)光層、陰極、保護(hù)層、阻擋層及散熱層,所述有機(jī)電致發(fā)光器件還包括封裝膜,所述封裝膜將所述發(fā)光層、陰極、保護(hù)層、阻擋層及散熱層封裝于所述導(dǎo)電基板上,其中,所述保護(hù)層的材料為CuPc、NPB、Alq3、SiO、MgF2或ZnS,所述阻擋層包括層疊設(shè)置的摻雜氟化物層及有機(jī)層,所述摻雜氟化物層中主體材料為AlF3、HfF4、ZrF4、LiF、CeF2或YF3,所述摻雜氟化物層中客體材料為CaO、BaO、SrO或MgO,且所述客體材料占所述摻雜氟化物層的質(zhì)量百分比為35~55%,所述有機(jī)層的材料為聚四氟乙烯、甲基丙烯酸樹脂或環(huán)脂肪環(huán)氧樹脂。
在其中一個(gè)實(shí)施例中,所述保護(hù)層的厚度為200~300nm。
在其中一個(gè)實(shí)施例中,所述摻雜氟化物層的厚度為200~300nm。
在其中一個(gè)實(shí)施例中,所述有機(jī)層的厚度為1~1.5μm。
在其中一個(gè)實(shí)施例中,所述阻擋層的數(shù)量至少為3個(gè)。
在其中一個(gè)實(shí)施例中,所述散熱層的材料為金屬或合金材料,厚度為200~500nm。
在其中一個(gè)實(shí)施例中,所述封裝膜為金屬箔片。
在其中一個(gè)實(shí)施例中,所述有機(jī)電致發(fā)光器件還包括在所述導(dǎo)電基板與所述發(fā)光層之間依次設(shè)置的空穴注入層和空穴傳輸層,以及在所述發(fā)光層與所述陰極之間依次設(shè)置的電子傳輸層和電子注入層。
一種有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法,包括如下步驟:
在導(dǎo)電基板上形成發(fā)光層;
在所述發(fā)光層上形成陰極;
使用真空蒸發(fā)的方式在所述陰極上蒸鍍CuPc、NPB、Alq3、SiO、MgF2或ZnS,形成保護(hù)層,其中,蒸發(fā)速度為
采用反應(yīng)式濺射方式,向真空反應(yīng)室內(nèi)通入保護(hù)氣體,保持濺射過(guò)程中反應(yīng)室內(nèi)氣壓為0.1~1Pa,以AlF3靶材、HfF4靶材、ZrF4靶材、LiF靶材、CeF2靶材或YF3靶材為主體靶材在所述保護(hù)層上沉積AlF3、HfF4、ZrF4、LiF、CeF2或YF3作為主體材料,同時(shí)以CaO靶材、BaO靶材、SrO靶材或MgO靶材為客體靶材在保護(hù)層上沉積CaO、BaO、SrO或MgO作為摻雜的客體材料,得到摻雜氟化物層,所述客體材料占所述摻雜氟化物層的質(zhì)量百分比為35~55%;
采用旋涂工藝在所述摻雜氟化物層上涂覆聚四氟乙烯、甲基丙烯酸樹脂或環(huán)脂肪環(huán)氧樹脂,固化后得到有機(jī)層;
在所述有機(jī)層上制備散熱層;以及
采用封裝膜配合所述導(dǎo)電基板對(duì)所述發(fā)光層、所述陰極、所述保護(hù)層、所述阻擋層及所述散熱層進(jìn)行封裝處理,得到所述有機(jī)電致發(fā)光器件。
在其中一個(gè)實(shí)施例中,還包括在制備發(fā)光層之前采用真空蒸鍍的方法在所述導(dǎo)電基板上依次制備空穴注入層及空穴傳輸層的步驟;
以及在制備陰極之前,采用真空蒸鍍的方法在所述發(fā)光層上制備電子傳輸層及電子注入層的步驟。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機(jī)材料作有源部分或使用有機(jī)材料與其他材料的組合作有源部分的固態(tài)器件;專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設(shè)備
H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或表面勢(shì)壘的;具有至少一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或表面勢(shì)壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門適用于感應(yīng)紅外線輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射或微粒輻射;專門適用于將這些輻射能轉(zhuǎn)換為電能,或者適用于通過(guò)這樣的輻射進(jìn)行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發(fā)射的,如有機(jī)發(fā)光二極管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料選擇
- 應(yīng)用有機(jī)材料制作有機(jī)發(fā)光裝置
- 有機(jī)發(fā)光材料及有機(jī)發(fā)光裝置
- 有機(jī)半導(dǎo)體組合物以及有機(jī)薄膜和具有該有機(jī)薄膜的有機(jī)薄膜元件
- 有機(jī)材料和包括該有機(jī)材料的有機(jī)發(fā)光裝置
- 有機(jī)發(fā)光元件、有機(jī)發(fā)光裝置、有機(jī)顯示面板、有機(jī)顯示裝置以及有機(jī)發(fā)光元件的制造方法
- 有序的有機(jī)-有機(jī)多層生長(zhǎng)
- 有機(jī)半導(dǎo)體材料和有機(jī)部件
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