[發(fā)明專利]有機電致發(fā)光器件以及制備方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210290395.4
• 申請日: 2012-08-15
• 公開（公告）號: CN103594638A
• 公開（公告）日: 2014-02-19
• 發(fā)明（設計）人: 周明杰;王平;鐘鐵濤;張振華
• 申請（專利權(quán)）人: 海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技術(shù)有限公司;深圳市海洋王照明工程有限公司
• 主分類號: H01L51/52
• 分類號: H01L51/52;H01L51/50;H01L51/56
• 代理公司: 廣州華進聯(lián)合專利商標代理有限公司 44224
• 代理人: 何平

1.一種有機電致發(fā)光器件，其特征在于，包括依次層疊設置的導電基板、發(fā)光層、陰極、保護層、阻擋層及散熱層，所述有機電致發(fā)光器件還包括封裝膜，所述封裝膜將所述發(fā)光層、陰極、保護層、阻擋層及散熱層封裝于所述導電基板上，其中，所述保護層的材料為CuPc、NPB、Alq₃、SiO、MgF₂或ZnS，所述阻擋層包括層疊設置的摻雜氟化物層及有機層，所述摻雜氟化物層中主體材料為AlF₃、HfF₄、ZrF₄、LiF、CeF₂或YF₃，所述摻雜氟化物層中客體材料為CaO、BaO、SrO或MgO，且所述客體材料占所述摻雜氟化物層的質(zhì)量百分比為35~55%，所述有機層的材料為聚四氟乙烯、甲基丙烯酸樹脂或環(huán)脂肪環(huán)氧樹脂。

2.如權(quán)利要求1所述的有機電致發(fā)光器件，其特征在于，所述保護層的厚度為200~300nm。

3.如權(quán)利要求1所述的有機電致發(fā)光器件，其特征在于，所述摻雜氟化物層的厚度為200~300nm。

4.如權(quán)利要求3所述的有機電致發(fā)光器件，其特征在于，所述有機層的厚度為1~1.5μm。

5.如權(quán)利要求4所述的有機電致發(fā)光器件，其特征在于，所述阻擋層的數(shù)量至少為3個。

6.如權(quán)利要求1所述的有機電致發(fā)光器件，其特征在于，所述散熱層的材料為金屬或合金材料，厚度為200~500nm。

7.如權(quán)利要求1所述的有機電致發(fā)光器件，其特征在于，所述封裝膜為金屬箔片。

8.如權(quán)利要求1所述的有機電致發(fā)光器件，其特征在于，還包括在所述導電基板與所述發(fā)光層之間依次設置的空穴注入層和空穴傳輸層，以及在所述發(fā)光層與所述陰極之間依次設置的電子傳輸層和電子注入層。

9.一種有機電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，包括如下步驟：

在導電基板上形成發(fā)光層；

在所述發(fā)光層上形成陰極；

使用真空蒸發(fā)的方式在所述陰極上蒸鍍CuPc、NPB、Alq₃、SiO、MgF₂或ZnS，形成保護層，其中，蒸發(fā)速度為

采用反應式濺射方式，向真空反應室內(nèi)通入保護氣體，保持濺射過程中反應室內(nèi)氣壓為0.1~1Pa，以AlF₃靶材、HfF₄靶材、ZrF₄靶材、LiF靶材、CeF₂靶材或YF₃靶材為主體靶材在所述保護層上沉積AlF₃、HfF₄、ZrF₄、LiF、CeF₂或YF₃作為主體材料，同時以CaO靶材、BaO靶材、SrO靶材或MgO靶材為客體靶材在保護層上沉積CaO、BaO、SrO或MgO作為摻雜的客體材料，得到摻雜氟化物層，所述客體材料占所述摻雜氟化物層的質(zhì)量百分比為35~55%；

采用旋涂工藝在所述摻雜氟化物層上涂覆聚四氟乙烯、甲基丙烯酸樹脂或環(huán)脂肪環(huán)氧樹脂，固化后得到有機層；

在所述有機層上制備散熱層；以及

采用封裝膜配合所述導電基板對所述發(fā)光層、所述陰極、所述保護層、所述阻擋層及所述散熱層進行封裝處理，得到所述有機電致發(fā)光器件。

10.如權(quán)利要求9所述的有機電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，還包括在制備發(fā)光層之前采用真空蒸鍍的方法在所述導電基板上依次制備空穴注入層及空穴傳輸層的步驟；

以及在制備陰極之前，采用真空蒸鍍的方法在所述發(fā)光層上制備電子傳輸層及電子注入層的步驟。