[發(fā)明專利]一種半導(dǎo)體器件的電可編程熔絲結(jié)構(gòu)

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201210287397.8
• 申請(qǐng)日: 2012-08-13
• 公開（公告）號(hào): CN103594450A
• 公開（公告）日: 2014-02-19
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 陳建奇;何學(xué)緬;吳永玉
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 中芯國(guó)際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號(hào): H01L23/525
• 分類號(hào): H01L23/525
• 代理公司: 北京市磐華律師事務(wù)所 11336
• 代理人: 董巍;高偉

1.一種半導(dǎo)體器件的電可編程熔絲結(jié)構(gòu)，包括：

熔絲元件；

與所述熔絲元件互連的第一端部和第二端部；

所述第一端部和所述第二端部與所述熔絲元件的連接部位呈三角形狀，且連接部位處所述第一端部和第二端部邊緣與所述熔絲元件的邊緣形成的鈍角為135°，其中所述第一端部和第二端部上各具有四個(gè)矩形接觸孔，形成2×2的接觸陣列，用于電連接。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電可編程熔絲結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述熔絲元件包括：

絕緣層，位于半導(dǎo)體襯底上；

柵氧化層，位于所述絕緣層上；

多晶硅層，位于所述柵氧化層上；

硅化物層，位于所述多晶硅層上；

氮化物覆層，位于所述硅化物層上。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的電可編程熔絲結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述絕緣層為氧化物層。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的電可編程熔絲結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述硅化物層為硅化鈷層。

5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的電可編程熔絲結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述多晶硅層為P型摻雜或N型摻雜。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電可編程熔絲結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述熔絲元件中用于連接所述第一端部和所述第二端部的區(qū)域的寬度為60-100nm。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的電可編程熔絲結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述熔絲元件中用于連接所述第一端部和所述第二端部的區(qū)域的長(zhǎng)度是所述寬度的4-10倍。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電可編程熔絲結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一端部為陰極或陽極，所述第二端部對(duì)應(yīng)的為陽極或者陰極。