[發明專利]形成鰭部的方法和形成鰭式場效應晶體管的方法

有效

• 申請號: 201210287328.7
• 申請日: 2012-08-13
• 公開（公告）號: CN103594342A
• 公開（公告）日: 2014-02-19
• 發明（設計）人: 何永根
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: H01L21/28
• 分類號: H01L21/28;H01L21/336
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 駱蘇華

1.一種形成鰭部的方法，其特征在于，包括：

半導體襯底，所述半導體襯底表面具有絕緣層，所述半導體襯底表面還具有第一鰭部，所述第一鰭部貫穿所述絕緣層，絕緣層高度低于第一鰭部高度；

在所述第一鰭部的表面形成等離子體摻雜層，所述等離子體摻雜層為均勻的非晶相層；

刻蝕掉所述等離子體摻雜層，形成第二鰭部，所述第二鰭部的尺寸小于第一鰭部的尺寸。

2.根據權利要求1所述的形成鰭部的方法，其特征在于，所述第一鰭部的材料包括硅、鍺或砷化鎵。

3.根據權利要求1所述的形成鰭部的方法，其特征在于，所述在第一鰭部的表面形成均勻等離子體摻雜層的工藝是等離子體注入。

4.根據權利要求3所述的形成鰭部的方法，其特征在于，所述等離子體注入的等離子體源包括Si、C、Ge、B或Ar。

5.根據權利要求3或4所述的形成鰭部的方法，其特征在于，用于產生等離子體束的設備功率范圍為20W～3000W，等離子體注入能量范圍為1eV~5000eV，注入劑量范圍為1×10¹⁴atom/cm²~2×10¹⁶atom/cm²。

6.根據權利要求1所述的形成鰭部的方法，其特征在于，所述等離子體摻雜層的厚度范圍為

7.根據權利要求1所述的形成鰭部的方法，其特征在于，所述刻蝕掉等離子體摻雜層的工藝是化學氣相刻蝕，所述化學氣相刻蝕的溫度為600℃~900℃，壓力是2托~100托。

8.根據權利要求7所述的形成鰭部的方法，其特征在于，所述化學氣相刻蝕的刻蝕氣體是HCl，流速范圍為5標況毫升/分~100標況毫升/分。

9.根據權利要求7所述的形成鰭部的方法，其特征在于，所述刻蝕氣體通過稀釋氣體進行稀釋，所述稀釋氣體是H₂或者惰性氣體，流速范圍為5標況升/分~50標況升/分。

10.一種形成鰭式場效應晶體管的方法，其特征在于，包括,：

半導體襯底，所述半導體襯底表面具有絕緣層，所述半導體襯底表面還具有第一鰭部，所述第一鰭部貫穿所述絕緣層，絕緣層高度低于第一鰭部高度；

在所述第一鰭部的表面形成等離子體摻雜層，所述等離子體摻雜層為均勻的非晶相層；

刻蝕掉所述等離子體摻雜層，形成第二鰭部，所述第二鰭部的尺寸小于第一鰭部的尺寸；

在第二鰭部表面形成柵極結構，所述柵極結構橫跨第二鰭部頂部和側壁；

在第二鰭部兩端形成源極和漏極，所述源極和漏極位于柵極結構的兩側。

11.根據權利要求10所述的形成鰭式場效應晶體管的方法，其特征在于，所述第一鰭部的材料包括硅、鍺或砷化鎵。

12.根據權利要求10所述的形成鰭式場效應晶體管的方法，其特征在于，所述在第一鰭部的表面形成均勻等離子體摻雜層的工藝是等離子體注入。

13.根據權利要求12所述的形成鰭式場效應晶體管的方法，其特征在于，所述等離子體注入的等離子體源包括Si、C、Ge、B或Ar。

14.根據權利要求12或13所述的形成鰭式場效應晶體管的方法，其特征在于，用于產生等離子體束的設備功率范圍為20W～3000W，等離子體注入能量范圍為1eV~5000eV，注入劑量范圍為1×10¹⁴atom/cm²~2×10¹⁶atom/cm²。

15.根據權利要求10所述的形成鰭式場效應晶體管的方法，其特征在于，所述等離子體摻雜層的厚度范圍為

16.根據權利要求10所述的形成鰭式場效應晶體管的方法，其特征在于，所述刻蝕掉等離子體摻雜層的工藝是化學氣相刻蝕，所述化學氣相刻蝕的溫度范圍為600℃~900℃，壓力范圍為2托~100托。

17.根據權利要求16所述的形成鰭式場效應晶體管的方法，其特征在于，所述化學氣相刻蝕的刻蝕氣體是HCl，流速范圍為5標況毫升/分~100標況毫升/分。

18.根據權利要求16所述的形成鰭式場效應晶體管的方法，其特征在于，所述刻蝕氣體通過稀釋氣體進行稀釋，所述稀釋氣體是H2或者惰性氣體，流速范圍為5標況升/分~50標況升/分。