[發明專利]用于減小圖案效應的多重化學處理工藝

無效

• 申請號: 201210286776.5
• 申請日: 2012-08-09
• 公開（公告）號: CN102955356A
• 公開（公告）日: 2013-03-06
• 發明（設計）人: 川上真一路
• 申請（專利權）人: 東京毅力科創株式會社
• 主分類號: G03F7/00
• 分類號: G03F7/00;G03F7/30;B08B3/08
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 陳煒

技術領域

本發明涉及用于對襯底進行圖案化的方法和系統，并且更具體地涉及用于在襯底上的層中制備圖案的方法和系統。

背景技術

在材料處理方法中，圖案蝕刻包括將輻射敏感材料層(諸如光刻膠)涂布到襯底的上表面上，在輻射敏感材料的層中使用光刻形成圖案，以及使用蝕刻工藝將形成在輻射敏感材料的層中的圖案轉移到襯底上的下層薄膜。輻射敏感材料的圖案化通常涉及例如使用光刻系統將輻射敏感材料曝光到電磁照射(EM)的圖案中，以及之后使用顯影溶液移除輻射敏感材料的受照射區域(在正性抗蝕劑的情況下)或未照射區域(在負性抗蝕劑的情況下)。

隨著臨界尺寸(CD)減小和形成在輻射敏感材料的層中的圖案的高寬比增加，圖案缺陷(例如但不局限于圖案坍塌、線邊緣粗糙度(LER)和線寬粗糙度(LWR))的可能變得越來越大。在大部分情況中，過度的圖案缺陷是不可接受的，并且在一些情況下是災難性的。

發明內容

本發明涉及用于在襯底上的層中制備圖案的方法和系統，并且更具體地涉及用于制備在襯底上的層中形成的圖案并具有減小的圖案缺陷的方法和系統。本發明還涉及用于對形成在襯底上的層中的圖案進行處理以減小圖案坍塌和圖案變形(諸如線邊緣粗糙度(LER)和線寬粗糙度(LWR))的方法和系統。

根據一個實施例，描述了一種用于對襯底進行圖案化的方法。該方法包括：在襯底上形成輻射敏感材料的層；將輻射敏感材料的層暴露到與圖像圖案相對應的電磁(EM)輻射；以及對輻射敏感材料的層進行顯影以在其中形成來自圖像圖案的圖案。該方法還包括：用清洗溶液清洗襯底；執行在清洗之后的第一化學處理，其中，第一化學處理包括第一化學溶液；以及執行在清洗之后的第二化學處理，其中，第二化學處理包括第二一化學溶液，第二化學溶液具有與第一化學溶液不同的化學成分。

根據另一個實施例，描述了一種用于對襯底進行圖案化的系統。該系統包括：襯底臺，其用于支撐和旋轉安裝到其上的襯底；清洗溶液提供噴嘴，其用于將清洗溶液散布到襯底上；以及清洗溶液提供系統，其用于將清洗溶液提供給第一噴嘴。該系統還包括：第一化學處理溶液提供噴嘴，其用于將第一化學溶液散布到襯底上；第一化學處理溶液提供系統，其用于將第一化學溶液提供給第一化學處理溶液提供噴嘴；第二化學處理溶液提供噴嘴，其用于將第二化學溶液散布到襯底上；以及第二化學處理溶液提供系統，其用于將第二化學溶液提供給第二化學處理溶液提供噴嘴。

根據一個實施例，描述了一種用于對襯底進行圖案化的勻膠顯影系統。勻膠顯影系統包括涂布模塊和處理模塊。處理模塊具有：襯底臺，其用于支撐和旋轉安裝到其上的襯底；清洗溶液提供噴嘴，其用于將清洗溶液散布到襯底上；以及清洗溶液提供系統，其用于將清洗溶液提供給第一噴嘴。處理模塊還包括：第一化學處理溶液提供噴嘴，其用于將第一化學溶液散布到襯底上；第一化學處理溶液提供系統，其用于將第一化學溶液提供給第一化學處理溶液提供噴嘴；第二化學處理溶液提供噴嘴，其用于將第二化學溶液散布到襯底上；以及第二化學處理溶液提供系統，其用于將第二化學溶液提供給第二化學處理溶液提供噴嘴。

附圖說明

在附圖中：

圖1示出了根據實施例的對襯底進行圖案化的方法；

圖2A到圖2C示出了根據另外的實施例的用于對襯底進行圖案化的其它方法；

圖3A和圖3B提供了用于對襯底進行圖案化的方法的示例數據；

圖4A到圖4C提供了用于對襯底進行圖案化的方法的另外的示例數據；

圖5A和圖5B提供了表示根據實施例的用于對襯底進行圖案化的系統的示例說明圖；以及

圖6提供了表示根據另一個實施例的用于對襯底進行圖案化的系統的示例說明圖。

具體實施方式

將會在各種實施例中公開了用于對襯底進行圖案化的方法和系統。然而，本領域技術人員將會認識到各種實施例可以在不具有一個或多個具體細節的狀態下實施，或者可以由其他代替和/或附加方法、材料或組件來實施。在其他情況中，已知的結構、材料或組件沒有具體描述或示出，以避免方案本發明的各個實施例的方面。

類似地，為了解釋的目的，陳述了具體的數字材料和構造，以提供本發明的透徹理解。本發明仍然可以在不具有具體細節的狀態下實施本發明。此外，理解附圖中示出的各個實施例是示意性表示并且不需要按比例繪制。