[發明專利]用于減小圖案效應的多重化學處理工藝

無效

• 申請號: 201210286776.5
• 申請日: 2012-08-09
• 公開（公告）號: CN102955356A
• 公開（公告）日: 2013-03-06
• 發明（設計）人: 川上真一路
• 申請（專利權）人: 東京毅力科創株式會社
• 主分類號: G03F7/00
• 分類號: G03F7/00;G03F7/30;B08B3/08
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 陳煒

1.一種用于對襯底進行圖案化的方法，包括：

在所述襯底上形成輻射敏感材料的層；

將所述輻射敏感材料的層暴露到與圖像圖案相對應的電磁(EM)輻射；

對所述輻射敏感材料的層進行顯影以在其中形成來自所述圖像圖案的圖案；

用清洗溶液清洗所述襯底；

執行在所述清洗之后的第一化學處理，其中，所述第一化學處理包括第一化學溶液；以及

執行在所述清洗之后的第二化學處理，其中，所述第二化學處理包括第二化學溶液，所述第二化學溶液具有與所述第一化學溶液不同的化學成分。

2.根據權利要求1所述的方法，其中，所述清洗溶液包括去離子水。

3.根據權利要求1所述的方法，其中，所述第一化學溶液包括第一表面活性劑溶液

4.根據權利要求3所述的方法，其中，所述第二化學溶液包括與所述第一表面活性劑溶液不同的第二表面活性劑溶液。

5.根據權利要求1所述的方法，還包括：

選擇用于所述第一化學溶液的第一化學成分來減小圖案坍塌。

6.根據權利要求5所述的方法，還包括：

選擇所述第一化學成分來將圖案坍塌余量改善4nm(納米)，其中，所述圖案坍塌余量被測量為在不執行所述第一化學處理的狀態下的最小可印刷臨界尺寸(CD)與在執行所述第一化學處理時的最小可印刷臨界尺寸(CD)之間的差異。

7.根據權利要求1所述的方法，還包括：

選擇用于所述第二化學溶液的第二化學成分來減小線邊緣粗糙度(LER)和/或線寬粗糙度(LWR)。

8.根據權利要求7所述的方法，還包括：

選擇所述第二化學溶液，來將LWR減小到小于5nm(納米)的值。

9.根據權利要求7所述的方法，還包括：

選擇所述第二化學成分，來將LWR減小比在不執行所述第二化學處理的狀態下實現的標稱LWR超出10％的量。

10.根據權利要求7所述的方法，還包括：

選擇所述第二化學成分，來將LWR減小比在不執行所述第二化學處理的狀態下實現的標稱LWR超出14％的量。

11.根據權利要求1所述的方法，還包括：

在執行所述第一化學處理之后并且在執行所述第二化學處理之前，用第二清洗溶液清洗所述襯底。

12.根據權利要求1所述的方法，還包括：

執行在所述清洗之后的第三化學處理，其中所述第三化學處理包括第三化學溶液，所述第三化學溶液具有與所述第一化學溶液和所述第二化學溶液不同的化學成分。

13.根據權利要求12所述的方法，還包括：

在執行所述第一化學處理之后并且在執行所述第二化學處理之前，用第二清洗溶液清洗所述襯底；以及

在執行所述第二化學處理之后并且在執行所述第三化學處理之前，用第三清洗溶液清洗所述襯底。

14.一種用于對襯底進行圖案化的系統，包括：

襯底臺，其用于支撐和旋轉安裝到其上的襯底；

清洗溶液提供噴嘴，其用于將清洗溶液散布到所述襯底上；

清洗溶液提供系統，其用于將所述清洗溶液提供給所述清洗溶液提供噴嘴；

第一化學處理溶液提供噴嘴，其用于將第一化學溶液散布到所述襯底上；

第一化學處理溶液提供系統，其用于將所述第一化學溶液提供給所述第一化學處理溶液提供噴嘴；

第二化學處理溶液提供噴嘴，其用于將第二化學溶液散布到所述襯底上；以及

第二化學處理溶液提供系統，其用于將所述第二化學溶液提供給所述第二化學處理溶液提供噴嘴。

15.根據權利要求14所述的系統，還包括：

第三化學處理溶液提供噴嘴，其用于將第三化學溶液散布到所述襯底；以及

第三化學處理溶液提供系統，其用于將所述第三化學溶液提供給所述第三化學處理溶液提供噴嘴。

16.根據權利要求14所述的系統，還包括：

控制器，其連接到所述系統并且被構造為可控制地操作所述襯底臺、所述清潔溶液提供噴嘴、所述第一化學處理溶液提供噴嘴和所述第二化學處理溶液提供噴嘴。