[發明專利]一種薄膜晶體管驅動背板的制作方法

有效

• 申請號: 201210285677.5
• 申請日: 2012-08-10
• 公開（公告）號: CN102768992A
• 公開（公告）日: 2012-11-07
• 發明（設計）人: 徐苗;彭俊彪;羅東向;王磊;蘭林鋒
• 申請（專利權）人: 廣州新視界光電科技有限公司
• 主分類號: H01L21/77
• 分類號: H01L21/77
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 王寶筠

1.一種薄膜晶體管驅動背板的制作方法，其特征在于，包括：

制備并圖形化金屬導電層；

在所述金屬導電層上依次沉積絕緣薄膜和金屬氧化物薄膜，分別作為柵極絕緣層和有源層；

根據所述金屬導電層的形狀圖形化所述有源層；

在所述有源層上沉積絕緣薄膜作為刻蝕阻擋層；

在所述柵極絕緣層制備接觸孔并圖形化所述刻蝕阻擋層，定義薄膜晶體管源漏電極區域和所述存儲電容的有效面積；

在所述刻蝕阻擋層上沉積并圖形化導電薄膜層。

2.根據權利要求1所述的薄膜晶體管驅動背板的制作方法，其特征在于，所述制備并圖形化金屬導電層之前，包括：

在透明襯底上沉積二氧化硅(SiO₂)或氮化硅(Si₃N₄)作為緩沖層；

所述制備并圖形化金屬導電層，包括：

在所述緩沖層上沉積并圖形化金屬導電層。

3.根據權利要求1所述的薄膜晶體管驅動背板的制作方法，其特征在于，

制備所述金屬導電層所使用的金屬包括：

鋁(Al)，銅(Cu)，鉬(Mo)，鈦(Ti)，銀(Ag)，金(Au)，鉭(Ta)，鉻(Cr)單質或鋁合金；

所述金屬導電層為單層金屬薄膜，或由單層Al，Cu，Mo，Ti，Ag，Au，Ta，Cr或鋁合金中任意兩層以上組成的多層薄膜；

所述金屬導電層的厚度為100nm至2000nm；

所述金屬導電層作為電信號導線，薄膜晶體管柵極以及像素電路儲存電容下電極的載體層。

4.根據權利要求1所述的薄膜晶體管驅動背板的制作方法，其特征在于，所述根據金屬導電層的形狀圖形化所述有源層，包括：

在所述有源層上制備與所述金屬導電層的形狀一致的正性光刻膠；

使用刻蝕劑對沒有覆蓋所述正性光刻膠的所述有源層進行刻蝕。

5.根據權利要求4所述的薄膜晶體管驅動背板的制作方法，其特征在于，在所述有源層上制備與所述金屬導電層的形狀一致的正性光刻膠，包括：

在所述金屬導電層上覆蓋正性光刻膠；

使用圖形化后的金屬導電層作為自對準光刻掩膜版；

將紫外光由所述玻璃襯底一側入射，對所述正性光刻膠進行曝光；

經顯影后所得到與金屬導電層的形狀一致的正性光刻膠。

6.根據權利要求1所述的薄膜晶體管驅動背板的制作方法，其特征在于，使用灰度掩膜版圖形化工藝，在所述柵極絕緣層制備接觸孔并圖形化所述刻蝕阻擋層，定義薄膜晶體管源漏電極區域和所述存儲電容的有效面積；包括：

使用一個灰度掩膜版在所述柵極絕緣層制備接觸孔并圖形化所述刻蝕阻擋層，定義薄膜晶體管源漏電極區域和所述存儲電容的有效面積；

所述灰度掩膜版包括：透明區域，灰度區域和不透明區域；

所述透明區域為能完全透過紫外光的區域，所述灰度區域為能部分透過紫外光的區域，不透明區域為不能透過紫外光的區域。

7.根據權利要求6所述的薄膜晶體管驅動背板的制作方法，其特征在于，所述使用一個灰度掩膜版在所述柵極絕緣層制備接觸孔并圖形化所述刻蝕阻擋層，定義薄膜晶體管源漏電極區域和所述存儲電容的有效面積；

在所述刻蝕阻擋層上覆蓋正性光刻膠；

使用一個灰度掩膜版對覆蓋在所述刻蝕阻擋層上的正性光刻膠進行曝光，定義所述接觸孔；

依次去除所述接觸孔上覆蓋的刻蝕阻擋層，有源層和柵極絕緣層；

對所述正性光刻膠進行減薄處理，完成對所述刻蝕阻擋層的圖形化和所述存儲電容的有效面積的定義。

去除薄膜晶體管源漏電極區域和儲存電容處的刻蝕阻擋層。

8.根據權利要求1所述的薄膜晶體管驅動背板的制作方法，其特征在于，

沉積所述導電薄膜層所使用的金屬包括：

Al，Cu，Mo，Ti單質，鋁合金或氧化銦錫透明導電薄膜ITO；

所述導電薄膜層為單層金屬薄膜，或由單層Al，Cu，Mo，Ti單質，鋁合金或ITO中任意兩層以上組成的多層薄膜；

所述導電薄膜層的厚度為100nm～2000nm；

所述導電薄膜層作為薄膜晶體管的源漏電極，電容的上電極，以及信號導線的載體層，并且可通過接觸孔與所述金屬導電層相連通。