[發明專利]用于平板顯示器的化學氣相沉積裝置

無效

• 申請號: 201210284965.9
• 申請日: 2012-08-06
• 公開（公告）號: CN102978585A
• 公開（公告）日: 2013-03-20
• 發明（設計）人: 金榮敏;李春秀;權泰均;樸美星;鄭元基
• 申請（專利權）人: SFA工程股份有限公司
• 主分類號: C23C16/44
• 分類號: C23C16/44
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司 31100
• 代理人: 施浩

相關申請的交叉參考

本申請案主張基于2011年9月5日向韓國知識產權局提出申請的韓國專利申請案第10-2011-0089405號、2011年9月16日向韓國知識產權局提出申請的韓國專利申請案第10-2011-0093366號的權利，所述韓國專利申請案的內容以引用方式全文并入本文中。

技術領域

本發明涉及一種用于平板顯示器的化學氣相沉積裝置，更具體而言，涉及如下一種用于平板顯示器的化學氣相沉積裝置：其中調整真空室內的抽吸位置，以使所述真空室內的壓力分布均勻，因此提高對基板的沉積品質，并在結構上改良用于相對于所述真空室放入或取出基板的狹縫閥總成。

背景技術

平板顯示器已被廣泛用作電視機、計算機等的顯示器、以及個人移動終端。存在各種平板顯示器，例如液晶顯示器（liquid?crystal?display；LCD）、等離子體顯示面板（plasma?display?panel；PDP）、有機發光二極管（organic?light?emitting?diode；OLED）等。

有機發光顯示器（organic?light?emitting?display；OLED）為基于其自身中的有機材料的發光而顯示彩色圖像的超薄顯示器，鑒于其結構簡單及光學效率高，有機發光顯示器已作為下一代頗有前景的平板顯示器而受到關注。

為制造此種有機發光顯示器（OLED）的基板，需重復地實現對無機材料的沉積及圖案化工藝，以在基板上形成薄膜晶體管（thin?film?transistor；TFT），并隨后沉積有機材料以形成發光單元。

通常而言，沉積于有機發光顯示器（OLED）的基板上的無機材料是通過化學氣相沉積（chemical?vapor?deposition；CVD）工藝而沉積，這是因為CVD工藝有利于形成各種薄膜。

以下將簡單地闡述CVD工藝，其為用于制造有機發光顯示器（OLED）的基板的沉積工藝其中之一。在CVD工藝中，在外部高頻電源作用下處于等離子體狀態并具有高能量的硅化合物離子通過電極而自氣體分配板濺射并沉積于玻璃基板上。此過程在用于CVD工藝的真空室中實現。

一種用于CVD的裝置包括：真空室，在所述真空室中對玻璃基板執行沉積工藝；電極，設置于所述真空室中，并將作為沉積材料的預定硅化合物離子濺射至作為沉積對象的玻璃基板；基座，設置于所述真空室中并支撐所述玻璃基板；以及柱，其具有耦合至所述基座的中心區域的上端部及穿過所述真空室而向下暴露的下端部，并支撐所述基座以向上及向下移動。

所述真空室形成有供所述柱穿過的柱通孔（column?through?hole）。所述柱通孔形成于所述真空室的底部中心區域上。

同時，CVD工藝需要所述真空室中處于真空狀態。為使所述真空室的內部處于真空狀態，使所述真空室連接至真空泵。與所述真空室相連接的所述真空泵將氣體抽出所述真空室，并因此使所述真空室為真空的。為實現所述真空泵的抽吸操作，在所述真空室的底部上設置真空抽吸端口并使其連接至所述真空泵。

在如圖1所示的用于平板顯示器的傳統CVD裝置中，柱通孔2形成于真空室1的底部的中心部中，且真空抽吸端口3設置于與柱通孔2間隔開的位置處。換言之，真空抽吸端口3設置于欲與真空室1的底部的中心部間隔開的位置處。

由于真空抽吸端口3設置于與真空室1的中心部偏離的位置處，因此當真空室1中的氣體通過真空抽吸端口3而被抽出時，真空室1中的壓力分布會不均勻。

因此，與真空室1的中心部偏離的真空抽吸端口3會在真空室1中造成局部壓力差，且該局部壓力差會使玻璃基板上的沉積品質劣化，從而對CVD工藝產生不良影響。

此外，在其中對基板執行沉積工藝的真空室1的外壁上設置有形狀像狹縫的閘門G，且在閘門G的附近設置有用于閉合及打開該狹縫的狹縫閥（圖中未顯示）。

傳統的狹縫閥被單獨地制造成腔室形式，并視需要而在使用時組裝至真空室1的外壁。

然而，由于狹縫閥被單獨地制造并組裝至真空室1的外壁，因此該狹縫閥所組裝至的真空室1的外壁與其中容納有該狹縫閥的閥室（圖中未顯示）的外壁之間的死空間（dead?space）變得更大。

因此，很有可能會使處理結果在狹縫閥附近陷入混亂，且不必要的死空間會增大整個裝置的占用面積（footprint）。

發明內容

本發明的一個方面是提供一種用于平板顯示器的化學氣相沉積裝置，在所述裝置中調整真空室內的抽吸位置而使所述真空室內的壓力分布均勻，并因此提高對基板的沉積品質。