[發明專利]用于平板顯示器的化學氣相沉積裝置無效
| 申請號: | 201210284965.9 | 申請日: | 2012-08-06 |
| 公開(公告)號: | CN102978585A | 公開(公告)日: | 2013-03-20 |
| 發明(設計)人: | 金榮敏;李春秀;權泰均;樸美星;鄭元基 | 申請(專利權)人: | SFA工程股份有限公司 |
| 主分類號: | C23C16/44 | 分類號: | C23C16/44 |
| 代理公司: | 上海專利商標事務所有限公司 31100 | 代理人: | 施浩 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 韓國;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 用于 平板 顯示器 化學 沉積 裝置 | ||
1.一種用于平板顯示器的化學氣相沉積裝置,所述裝置包括:
基座,用于支撐基板;
真空室,在所述真空室中對所述基板執行沉積工藝,且所述真空室包括:柱通孔,形成于所述真空室的底部中心區域上并使用于向上/向下移動所述基座的柱穿過其中;以及真空抽吸端口,與所述柱通孔間隔開;以及
真空抽吸控制單元,其與所述真空抽吸端口相連接并控制所述真空室中的抽吸位置。
2.如權利要求1所述的化學氣相沉積裝置,其特征在于,所述真空抽吸控制單元包括:
抽吸控制通道,具有大于所述真空抽吸端口的橫截面積并與所述真空抽吸端口相連通;以及
抽吸控制蓋,用于自上側覆蓋所述抽吸控制通道并以穿透方式形成有多個彼此間隔開的抽吸控制孔,以與所述抽吸控制通道相連通。
3.如權利要求2所述的化學氣相沉積裝置,其特征在于,所述多個抽吸控制孔相對于穿過所述柱通孔及所述真空抽吸端口的參考線而對稱地設置。
4.如權利要求2所述的化學氣相沉積裝置,其特征在于,所述多個抽吸控制孔包括:相對于穿過所述柱通孔及所述真空抽吸端口的參考線而對稱地設置的兩個抽吸控制孔。
5.如權利要求2所述的化學氣相沉積裝置,其特征在于,所述抽吸控制通道自所述真空室的底部凹陷預定的深度。
6.如權利要求5所述的化學氣相沉積裝置,其特征在于,所述抽吸控制通道具有關于穿過所述柱通孔及所述真空抽吸端口的參考線而對稱的環形形狀或U形形狀其中之一。
7.如權利要求5所述的化學氣相沉積裝置,其特征在于,所述抽吸控制蓋包括:
頂部,其上形成有所述多個抽吸控制孔;以及
側部,自所述頂部延伸并向下彎曲。
8.如權利要求7所述的化學氣相沉積裝置,其特征在于,所述側部形成有自其底部凹陷預定深度的溝槽,以及
所述真空室的所述底部形成有肋,所述肋欲被插入于所述溝槽中。
9.如權利要求8所述的化學氣相沉積裝置,還包括設置于所述溝槽與所述肋之間的O形環。
10.如權利要求7所述的化學氣相沉積裝置,其特征在于,所述側部形成有自其底部突出的插入突出部,以及
所述真空室的所述底部形成有插入孔,所述插入突出部強制配合于所述插入孔。
11.如權利要求1所述的化學氣相沉積裝置,還包括:基座支架,耦合至所述真空室中的所述柱,在其頂部的至少一個區域處被接觸支撐于所述基座的后部上,并用于支撐所述基座的下側,以防止所述基座下垂。
12.一種用于平板顯示器的化學氣相沉積裝置,所述裝置包括:
真空室,其包括:下腔室,設置有狹縫,通過所述狹縫而放入或取出基板;以及上腔室,耦合至所述下腔室的頂部;以及
狹縫閥總成,其被整合于所述真空室中,并打開所述狹縫以容許所述基板進入所述真空室中或閉合所述狹縫以保持所述真空室為真空的,
所述狹縫閥總成包括:
閥室,被設置成共用所述下腔室的一個側壁;以及
狹縫閥,設置于所述閥室中并用于打開/閉合所述狹縫。
13.如權利要求12所述的化學氣相沉積裝置,其特征在于,所述閥室包括:
共用壁,形成有狹縫并被共用為所述真空室的一個側壁及所述閥室的一個側壁;以及
閥壁,與所述共用壁間隔開并形成有閘門,所述閘門與所述狹縫相連通并容許所述基板進出。
14.如權利要求13所述的化學氣相沉積裝置,還包括:閥蓋,可拆卸地耦合至所述共用壁的頂部及所述閥壁的頂部,并形成密封的空間。
15.如權利要求14所述的化學氣相沉積裝置,其特征在于,所述閥蓋被設置成重物,以用于平衡由于所述上腔室的負載而施加至所述共用壁的彎矩及防止所述共用壁由于所述上腔室的所述負載而下垂。
16.如權利要求14所述的化學氣相沉積裝置,還包括:防下垂螺栓,緊固于所述閥壁與所述共用壁之間并防止所述共用壁由于所述上腔室而下垂。
17.如權利要求14所述的化學氣相沉積裝置,還包括:防下垂螺栓,耦合于所述閥蓋與所述共用壁之間并防止所述共用壁由于所述上腔室而下垂。
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C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴散法,化學轉化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過氣態化合物分解且表面材料的反應產物不留存于鍍層中的化學鍍覆,例如化學氣相沉積
C23C16-01 .在臨時基體上,例如在隨后通過浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無機材料為特征的





