[發(fā)明專利]曝光方法及曝光裝置

有效

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• 申請日: 2012-08-06
• 公開（公告）號: CN102854756A
• 公開（公告）日: 2013-01-02
• 發(fā)明（設計）人: 王聳;萬冀豫;吳洪江
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司;北京京東方顯示技術有限公司
• 主分類號: G03F7/20
• 分類號: G03F7/20
• 代理公司: 北京同達信恒知識產權代理有限公司 11291
• 代理人: 李娟

技術領域

本發(fā)明涉及液晶顯示裝置制造領域，特別涉及一種曝光方法和曝光裝置。

背景技術

隨著顯示技術的發(fā)展，液晶顯示裝置已經逐漸成為市場的主流。液晶顯示裝置朝著全彩化，大尺寸，高解析度以及低成本的方向發(fā)展，因此，液晶顯示裝置需要借助彩色濾光片獲得彩色顯示的效果，并且對彩色濾光片的要求越來越高。

彩色濾光片主要由透明基底，黑矩陣圖形和濾光層圖形組成，為了避免濾光層邊緣漏光，濾光層與黑矩陣有一段重合。在彩色濾光片的制造過程中，首先在透明基底上形成黑矩陣圖形；然后在透明基底和黑矩陣圖形上涂覆濾光層光刻膠，濾光層光刻膠經過曝光顯影等工藝形成濾光層圖形。傳統(tǒng)的對濾光層光刻膠曝光的過程如圖1所示，水銀燈100發(fā)出豎直向上的光線，以入射角為45度入射到第一平面鏡200，經第一平面鏡200反射的水平光線入射到復眼透鏡300，經復眼透鏡300透射的光線入射到凹面鏡400，經凹面鏡400反射和聚光形成的平行的曝光前光線以入射角為α入射到第二平面鏡500′，其中，第二平面鏡500′與水平面的夾角是α；這樣經第二平面鏡500′反射的光線能垂直入射到水平的掩模版600，且穿過所述掩膜版的曝光區(qū)射到所述濾光層光刻膠上，通過掩模板的同一個曝光區(qū)對光刻膠進行曝光量相同的曝光，曝光和顯影后形成的濾光層的厚度相同。這樣，在濾光層與黑矩陣重合之處就會有突起730′，造成濾光層的角段差。角段差對液晶顯示裝置的取向層的涂覆，液晶取向等都會產生影響，從而影響液晶顯示裝置的顯示效果。傳統(tǒng)的減小角段差方法，是在濾光層圖形形成后，追加平坦層，用以平坦角段差，這樣導致彩色濾光片的制造工藝復雜，制造周期長且材料費用高。

發(fā)明內容

本發(fā)明提供了一種曝光方法和曝光裝置，所述曝光方法和曝光裝置，形成圖形的同一個圖形單元的厚度不同，同時為減小角段差提供了前提。

為達到上述目的，本發(fā)明提供以下技術方案：

一種曝光方法，包括：將基板置于掩膜版下方，且所述基板與所述掩膜版平行，其中，所述基板包括透明基底和涂覆于透明基底上的光刻膠；

采用至少兩條曝光光線通過掩膜版對光刻膠進行曝光；其中，至少兩條曝光光線通過掩膜版的同一個曝光區(qū)對光刻膠進行曝光，每條曝光光線通過同一個曝光區(qū)在光刻膠形成一個照射區(qū)域，至少有兩個照射區(qū)域有部分重疊。

優(yōu)選地，所述至少兩條曝光光線包括第一曝光光線和第二曝光光線，其中：

所述第一曝光光線從所述掩膜版的上方以入射角為θ1入射到所述掩膜版的上表面，且穿過所述掩膜版的曝光區(qū)射到所述基板的光刻膠上；

所述第二曝光光線從所述掩膜版的上方以入射角為θ2入射到所述掩膜版的上表面，且穿過所述掩膜版的曝光區(qū)射到所述基板的光刻膠上，其中，所述第二曝光光線在第一曝光光線與其法線確定的平面，第一曝光光線和第二曝光光線在光刻膠上的照射區(qū)域有部分重疊。

優(yōu)選地，θ1＝θ2=θ。

優(yōu)選地，所述第一曝光光線是平行的曝光前光線經半透半反平面鏡反射形成，所述半透半反平面鏡與掩膜版所在平面的夾角是β，所述曝光前光線在半透半反平面鏡的入射角是β+θ；

所述第二曝光光線是平行的曝光前光線經半透半反平面鏡透射和最終平面鏡反射形成，所述最終平面鏡與掩膜版所在平面的夾角是β+θ；其中，所述最終平面鏡設置在能接收到半透半反平面鏡透射的光線位置。

優(yōu)選地，平行的曝光前光線與掩膜版所在平面的夾角是Φ，β=（Φ-θ+90°）/2。

優(yōu)選地，所述第一曝光光線和第二曝光光線在光刻膠上的照射區(qū)域重疊的部分是曝光一區(qū)，所述第一曝光光線和第二曝光光線在光刻膠上的照射區(qū)域不重疊的部分是曝光二區(qū)；

所述光刻膠經曝光后形成圖形，其中，通過掩膜版的同一個曝光區(qū)對光刻膠曝光后形成圖形的一個圖形單元，圖形的同一個圖形單元包括曝光一區(qū)形成部分和曝光二區(qū)形成部分，曝光一區(qū)形成部分是由曝光一區(qū)光刻膠經曝光形成的，曝光二區(qū)形成部分是由曝光二區(qū)光刻膠經曝光形成的；

θ=arctg（d′/H）,其中，d′表示曝光二區(qū)形成部分的寬度，H表示曝光一區(qū)形成部分的上表面到掩膜版上表面的高度。

優(yōu)選地，基板還包括形成于透明基底上的第一層圖形，所述光刻膠是涂覆在透明基底和第一層圖形上的第二層圖形光刻膠，所述第一圖形是第一圖形的圖形單元和透光區(qū)交替分布的圖形。

優(yōu)選地，所述第二層圖形光刻膠的厚度是第一層圖形厚度的兩倍。