[發明專利]曝光方法及曝光裝置

有效

• 申請號: 201210284403.4
• 申請日: 2012-08-06
• 公開（公告）號: CN102854756A
• 公開（公告）日: 2013-01-02
• 發明（設計）人: 王聳;萬冀豫;吳洪江
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司;北京京東方顯示技術有限公司
• 主分類號: G03F7/20
• 分類號: G03F7/20
• 代理公司: 北京同達信恒知識產權代理有限公司 11291
• 代理人: 李娟

1.一種曝光方法，其特征在于，包括：

將基板置于掩膜版下方，且所述基板與所述掩膜版平行，其中，所述基板包括透明基底和涂覆于透明基底上的光刻膠；

采用至少兩條曝光光線通過掩膜版對光刻膠進行曝光；其中，至少兩條曝光光線通過掩膜版的同一個曝光區對光刻膠進行曝光，每條曝光光線通過同一個曝光區在光刻膠形成一個照射區域，至少有兩個照射區域有部分重疊。

2.根據權利要求1所述的曝光方法，其特征在于，所述至少兩條曝光光線包括第一曝光光線和第二曝光光線，其中：

所述第一曝光光線從所述掩膜版的上方以入射角為θ1入射到所述掩膜版的上表面，且穿過所述掩膜版的曝光區射到所述基板的光刻膠上；

所述第二曝光光線從所述掩膜版的上方以入射角為θ2入射到所述掩膜版的上表面，且穿過所述掩膜版的曝光區射到所述基板的光刻膠上，其中，所述第二曝光光線在第一曝光光線與其法線確定的平面，第一曝光光線和第二曝光光線在光刻膠上的照射區域有部分重疊。

3.根據權利要求2所述的曝光方法，其特征在于，θ1=θ2=θ。

4.根據權利要求3所述的曝光方法，其特征在于，所述第一曝光光線是平行的曝光前光線經半透半反平面鏡反射形成，所述半透半反平面鏡與掩膜版所在平面的夾角是β，所述曝光前光線在半透半反平面鏡的入射角是β+θ；

所述第二曝光光線是平行的曝光前光線經半透半反平面鏡透射和最終平面鏡反射形成，所述最終平面鏡與掩膜版所在平面的夾角是β+θ；其中，所述最終平面鏡設置在能接收到半透半反平面鏡透射的光線位置。

5.根據權利要求4所述的曝光方法，其特征在于，平行的曝光前光線與掩膜版所在平面的夾角是Φ，β=（Φ-θ+90°）/2。

6.根據權利要求5所述的曝光方法，其特征在于，所述第一曝光光線和第二曝光光線在光刻膠上的照射區域重疊的部分是曝光一區，所述第一曝光光線和第二曝光光線在光刻膠上的照射區域不重疊的部分是曝光二區；

所述光刻膠經曝光后形成圖形，其中，通過掩膜版的同一個曝光區對光刻膠曝光后形成圖形的一個圖形單元，圖形的同一個圖形單元包括曝光一區形成部分和曝光二區形成部分，曝光一區形成部分是由曝光一區光刻膠經曝光形成的，曝光二區形成部分是由曝光二區光刻膠經曝光形成的；

θ=arctg（d′/H）,其中，d′表示曝光二區形成部分的寬度，H表示曝光一區形成部分的上表面到掩膜版上表面的高度。

7.根據權利要求5所述的曝光方法，其特征在于，基板還包括形成于透明基底上的第一層圖形，所述光刻膠是涂覆在透明基底和第一層圖形上的第二層圖形光刻膠，所述第一圖形是第一圖形的圖形單元和透光區交替分布的圖形。

8.根據權利要求7所述的曝光方法，其特征在于，所述第二層圖形光刻膠的厚度是第一層圖形厚度的兩倍。

9.根據權利要求8所述的曝光方法，其特征在于，所述第一曝光光線和第二曝光光線在第二層圖形光刻膠上的照射區域重疊的部分是曝光一區，所述第一曝光光線和第二曝光光線在第二層圖形光刻膠上的照射區域不重疊的部分是曝光二區；

所述第二層圖形光刻膠經曝光后形成第二圖形，其中，通過掩膜版的同一個曝光區對第二層圖形光刻膠曝光后形成第二圖形的一個圖形單元，第二圖形的同一個圖形單元包括曝光一區形成部分和曝光二區形成部分，曝光一區形成部分是由曝光一區第二層圖形光刻膠經曝光形成的，曝光二區形成部分是由曝光二區第二層圖形光刻膠經曝光形成的；

所述第二圖形的圖形單元和所述第一圖形的圖形單元交替分布且有部分重合；

θ=arctg（d/H）,其中，d表示曝光二區形成部分與第一圖形的圖形單元重合的寬度，H表示第二圖形的曝光一區形成部分上表面到掩膜版上表面的高度。

10.根據權利要求6或9所述的曝光方法，其特征在于，H=H1-H2，其中，H1表示曝光間隙的高度，曝光間隙的高度是透明基底上表面到掩膜版上表面的高度，H2表示曝光一區形成部分的厚度。

11.根據權利要求7或8或9所述的曝光方法，其特征在于，所述第一圖形是黑矩陣圖形；所述第二層圖形光刻膠是濾光層負性光刻膠。