[發明專利]一種制備硒化鎘納米帶的方法

無效

• 申請號: 201210283290.6
• 申請日: 2012-08-10
• 公開（公告）號: CN102817110A
• 公開（公告）日: 2012-12-12
• 發明（設計）人: 于文生;董相廷;馬雯雯;溫雪;王進賢;劉桂霞;浦利
• 申請（專利權）人: 長春理工大學
• 主分類號: D01F9/10
• 分類號: D01F9/10;D01F11/00
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

技術領域

本發明涉及納米材料制備技術領域，具體說涉及一種制備硒化鎘納米帶的方法。

背景技術

無機物納米帶的制備與性質研究目前是材料科學、凝聚態物理、化學等學科的前沿研究熱點之一。納米帶是一種用人工方法合成的呈帶狀結構的納米材料，它的橫截面是一個矩形結構，其厚度在納米量級，寬度可達到微米級，而長度可達幾百微米，甚至幾毫米。納米帶由于其不同于管、線材料的新穎結構以及獨特的光、電、磁等性能而引起人們的高度重視。

硒化鎘CdSe晶體屬于直接帶隙II-VI族半導體，是一種優良的發光材料，具有直接躍遷型能帶結構，在室溫時禁帶寬度為1.7eV。廣泛應用于發光二極管、激光器、平板顯示、信息的存儲與傳輸、太陽電池、化學與生物傳感器、生物醫學標記、射線探測器、半導體閃爍器以及光催化等領域。由于其獨特的性能，多種形貌的CdSe，如納米棒、納米線、納米帶、納米晶、納米球、多晶納米薄膜、四足結構、花形結構和中空納米結構等已經被制備出來。采用的方法包括：水熱法，溶劑熱法，溶液熱還原法，表面軟模法，化學氣相沉積，分子束外延生長，電子束輻照合成法，化學氣相輸運法，溶膠-凝膠法等。目前，未見有采用靜電紡絲技術與硒化技術相結合制備CdSe納米帶的相關報道。

專利號為1975504的美國專利公開了一項有關靜電紡絲方法(electrospinning)的技術方案，該方法是制備連續的、具有宏觀長度的微納米纖維的一種有效方法，由Formhals于1934年首先提出。這一方法主要用來制備高分子納米纖維，其特征是使帶電的高分子溶液或熔體在靜電場中受靜電力的牽引而由噴嘴噴出，投向對面的接收屏，從而實現拉絲，然后，在常溫下溶劑蒸發，或者熔體冷卻到常溫而固化，得到微納米纖維。近10年來，在無機纖維制備技術領域出現了采用靜電紡絲方法制備無機化合物如氧化物納米纖維的技術方案，所述的氧化物包括TiO₂、ZrO₂、Y₂O₃、Y₂O₃:RE³⁺(RE³⁺＝Eu³⁺、Tb³⁺、Er³⁺、Yb³⁺/Er³⁺)、NiO、Co₃O₄、Mn₂O₃、Mn₃O₄、CuO、SiO₂、Al₂O₃、V₂O₅、ZnO、Nb₂O₅、MoO₃、CeO₂、LaMO₃(M＝Fe、Cr、Mn、Co、Ni、A1)、Y₃Al₅O₁₂、La₂Zr₂O₇等金屬氧化物和金屬復合氧化物。已有人利用靜電紡絲技術成功制備了高分子納米帶(Materials?Letters，2007，61：2325-2328；Journal?of?Polymer?Science：Part?B：Polymer?Physics，2001，39：2598-2606)。有人利用錫的有機化合物，使用靜電紡絲技術與金屬有機化合物分解技術相結合制備了多孔SnO₂納米帶(Nanotechnology，2007，18：435704)；有人利用靜電紡絲技術首先制備了PEO/氫氧化錫復合納米帶，將其焙燒得到了多孔SnO₂納米帶(J.Am.Ceram.Soc.，2008，91(1)：257-262)。董相廷等采用靜電紡絲技術制備了稀土氟化物納米帶(中國發明專利，申請號：201010108039.7)、二氧化鈦納米帶(中國發明專利，ZL200810050948.2)和Gd₃Ga₅O₁₂:Eu³⁺多孔納米帶(高等學校化學學報，2010，31(7)，1291-1296)。目前，未見有采用靜電紡絲技術與硒化技術相結合制備CdSe納米帶的相關報道。