[發明專利]一種制備硒化鎘納米帶的方法

無效

• 申請號: 201210283290.6
• 申請日: 2012-08-10
• 公開（公告）號: CN102817110A
• 公開（公告）日: 2012-12-12
• 發明（設計）人: 于文生;董相廷;馬雯雯;溫雪;王進賢;劉桂霞;浦利
• 申請（專利權）人: 長春理工大學
• 主分類號: D01F9/10
• 分類號: D01F9/10;D01F11/00
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種制備硒化鎘納米帶的方法，其特征在于，采用雙坩堝法，將靜電紡絲技術與硒化技術相結合，使用聚乙烯吡咯烷酮PVP為高分子模板劑，采用N，N-二甲基甲酰胺DMF為溶劑，硒化試劑使用硒粉，制備產物為CdSe納米帶，其步驟為：

(1)配制紡絲液

鎘源使用的是碳酸鎘CdCO₃，高分子模板劑采用聚乙烯吡咯烷酮PVP，采用N，N-二甲基甲酰胺DMF為溶劑，稱取一定量的碳酸鎘CdCO₃，用硝酸HNO₃溶解后加熱蒸發得到Cd(NO₃)₂，加入溶劑N，N-二甲基甲酰胺DMF和聚乙烯吡咯烷酮PVP，于室溫下磁力攪拌6h，并靜置3h，形成紡絲液，該紡絲液各組成部分的質量百分數為：硝酸鎘含量10％，PVP含量20％，溶劑DMF含量70％；

(2)制備CdO納米帶

將配制好的紡絲液加入紡絲裝置的儲液管中，進行靜電紡絲，噴頭內徑1mm，調整噴頭與水平面垂直，施加7kV的直流電壓，固化距離14cm，室溫18～25℃，相對濕度為50％～60％，得到PVP/Cd(NO₃)₂復合納米帶，將所述的PVP/Cd(NO₃)₂復合納米帶放到程序控溫爐中進行熱處理，升溫速率為1℃/min，在500℃恒溫4h，再以1℃/min的速率降溫至200℃，之后隨爐體自然冷卻至室溫，得到CdO納米帶；

(3)制備CdSe納米帶

硒化試劑使用硒粉，采用雙坩堝法，將硒粉放入小坩堝中，上面覆蓋碳棒，將所述的CdO納米帶放在碳棒上面，將小坩堝放入較大的坩堝中，在內外坩堝間加適量的硒粉，在外坩堝上加上坩堝蓋子放入管式爐中，在室溫時通入Ar氬氣30min，排出爐管內的空氣，以1℃/min的升溫速率至600℃，保溫3h，再以1℃/min的降溫速率降至100℃，之后自然冷卻至室溫，得到CdSe納米帶，寬度為2.1560±0.2014μm，厚度為618nm，長度大于50μm。

2.根據權利要求1所述的一種制備硒化鎘納米帶的方法，其特征在于，高分子模板劑為分子量Mr＝1300000的聚乙烯吡咯烷酮。