[發(fā)明專利]半導(dǎo)體裝置及其制造方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201210281553.X
• 申請(qǐng)日: 2012-08-09
• 公開（公告）號(hào): CN103579338A
• 公開（公告）日: 2014-02-12
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 陳逸男;徐文吉;葉紹文;劉獻(xiàn)文
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 南亞科技股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L29/78
• 分類號(hào): H01L29/78;H01L21/336
• 代理公司: 隆天國(guó)際知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 72003
• 代理人: 張艷杰;張?jiān)≡?/td>

1.一種半導(dǎo)體裝置，其特征在于，包括：

一半導(dǎo)體基板；

一柵極，形成于該半導(dǎo)體基板的一部分上，包括依序堆疊于該半導(dǎo)體基板部分上的一介電層與一導(dǎo)電層；

一間隔物，順性地覆蓋該柵極的表面并接觸該半導(dǎo)體基板的一部分，包括一氮化硅層以及多個(gè)氧化硅層；以及

一對(duì)源極/漏極區(qū)，分別形成于該柵極的對(duì)稱側(cè)的該半導(dǎo)體基板的一部分內(nèi)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，還包括一導(dǎo)電接觸物，設(shè)置于該半導(dǎo)體基板的一部分上并接觸所述源極/漏極區(qū)。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，該間隔物的該氮化硅層具有一“ㄇ”形剖面，而所述多個(gè)氧化硅層則分別形成于該氮化硅層與該半導(dǎo)體基板之間并接觸該氮化硅層與該半導(dǎo)體基板。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，該導(dǎo)電層包括經(jīng)摻雜多晶硅。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，該導(dǎo)電層包括經(jīng)摻雜多晶硅與金屬。

6.一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，包括：

提供一半導(dǎo)體基板；

形成一介電層于該半導(dǎo)體基板上；

形成一導(dǎo)電層于該半導(dǎo)體基板上，覆蓋該介電層的一部分；

形成一對(duì)輕度摻雜區(qū)于該導(dǎo)電層的對(duì)稱側(cè)的該半導(dǎo)體基板內(nèi)；

形成一間隔物層，順應(yīng)地覆蓋該導(dǎo)電層與該介電層上；

分別形成一保護(hù)層于覆蓋該導(dǎo)電層的對(duì)稱側(cè)的一側(cè)壁的該間隔物層的一部分上；

施行一蝕刻程序，去除該半導(dǎo)體基板上未被該保護(hù)層所覆蓋的該間隔物層，形成覆蓋該導(dǎo)電層頂面以及部分側(cè)壁的一圖案化的間隔物層以及位于該導(dǎo)電層的底部邊角的數(shù)個(gè)開口，所述多個(gè)開口分別露出該導(dǎo)電層的該底部邊角的一部分；

去除該保護(hù)層以及未被該導(dǎo)電層所覆蓋的該介電層部分；

形成一氧化物層于該導(dǎo)電層的底部邊角的所述多個(gè)開口內(nèi)，該氧化物層接觸該間隔物層與該半導(dǎo)體基板；以及

形成一對(duì)重度摻雜區(qū)于該間隔物層的對(duì)稱側(cè)的該半導(dǎo)體基板與該輕度摻雜區(qū)的一部分內(nèi)。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，更包括形成一導(dǎo)電接觸物于該半導(dǎo)體基板的一部分上以接觸該重度摻雜區(qū)。

8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，該導(dǎo)電層包括經(jīng)摻雜多晶硅或經(jīng)摻雜多晶硅與金屬。

9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，該蝕刻程序?yàn)橐粷裎g刻程序。

10.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，該間隔物層包括氮化硅，該氧化物層包括氧化硅，而該間隔物層與該氧化物層構(gòu)成了一間隔物。