[發(fā)明專利]一種鐵基稀土永磁粉體的低溫氮化制備方法無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201210281515.4 | 申請日: | 2012-08-09 |
| 公開(公告)號: | CN102816991A | 公開(公告)日: | 2012-12-12 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 鄭立允;趙立新 | 申請(專利權(quán))人: | 河北工程大學(xué) |
| 主分類號: | C23C8/24 | 分類號: | C23C8/24;B22F1/00;C22C38/00;C22C33/02;H01F1/059 |
| 代理公司: | 北京嘉予銘知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11407 | 代理人: | 彭曉云;曹桂珍 |
| 地址: | 056038 河北省邯*** | 國省代碼: | 河北;13 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 稀土 永磁 低溫 氮化 制備 方法 | ||
1.一種鐵基稀土永磁粉體的低溫氮化制備方法,其特征在于包括以下步驟:
(1)在Ar氣保護(hù)下、真空感應(yīng)爐中用純稀土金屬釤和純鐵熔煉成Sm2Fe17合金,獲得的鑄錠經(jīng)均勻化處理后,破碎成為平均粒徑小于40μm的粉末顆粒;
(2)將表面活性劑、磨球和上述粉末顆粒加入球磨罐,球磨介質(zhì)加滿球磨罐,經(jīng)過表面活性劑輔助高能球磨,獲得具有納米晶結(jié)構(gòu)的納米片狀粉體,且其表面覆有表面活性劑;
(3)步驟(2)所制備的粉體經(jīng)過濾掉球磨介質(zhì),真空干燥;
(4)步驟(3)所制備的粉體于300-400℃下進(jìn)行氮化處理,得到產(chǎn)品。
2.如權(quán)利要求1所述的鐵基稀土永磁粉體的低溫氮化制備方法,其特征在于:所述表面活性劑采用油胺,用量為稀土永磁合金原料重量的15-40%。
3.如權(quán)利要求1所述的鐵基稀土永磁粉體的低溫氮化制備方法,其特征在于:所述球磨機在高能球磨過程中電機轉(zhuǎn)速為1300-1500轉(zhuǎn)/分,優(yōu)選1425轉(zhuǎn)/分,高能球磨時間為2-6h。
4.如權(quán)利要求1所述的鐵基稀土永磁粉體的低溫氮化制備方法,其特征在于:球磨介質(zhì)選自能溶解所用的表面活性劑的非極性溶劑,優(yōu)選庚烷或己烷,庚烷或己烷的純度優(yōu)選為99.8以上。
5.如權(quán)利要求1所述的鐵基稀土永磁粉體的低溫氮化制備方法,其特征在于:所述球磨用的磨球與稀土永磁合金原料的重量比為10∶1-30∶1。
6.如權(quán)利要求1所述的鐵基稀土永磁粉體的低溫氮化制備方法,其特征在于:所述磨球為三種不同粒徑的鋼球,例如GCr15鋼球,進(jìn)行球磨時三種不同粒徑的鋼球一起使用。
7.如權(quán)利要求6所述的鐵基稀土永磁粉體的低溫氮化制備方法,其特征在于:所述鋼球粒徑優(yōu)選分別為φ4mm、φ8mm、φ12mm;所述三種鋼球的比例為(10-15)∶5∶1。
8.如權(quán)利要求1所述的鐵基稀土永磁粉體的低溫氮化制備方法,其特征在于:所述氮化處理采用氮氣作為氮源在真空爐中進(jìn)行,氮化處理3-12小時。
9.根據(jù)上述權(quán)利要求1-8中任一項所述的方法制備的鐵基稀土永磁合金納米片狀粉體,所述鐵基稀土永磁合金納米片狀粉體為Sm2Fe17Nx。
10.如權(quán)利要求9所述的鐵基稀土永磁合金納米片狀粉體,其特征在于:所述納米片狀粉體具有納米晶結(jié)構(gòu),晶粒尺寸為8-20nm;其納米片的寬度為0.5-10μm、厚度5-200nm;所述粉體為各向異性,其矯頑力Hc為5-14kOe,磁能積(BH)max為10-28MGOe。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于河北工程大學(xué),未經(jīng)河北工程大學(xué)許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201210281515.4/1.html,轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 同類專利
- 專利分類
C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴散法,化學(xué)轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆
C23C8-00 金屬材料表面中僅滲入非金屬元素的固滲
C23C8-02 .被覆材料的預(yù)處理
C23C8-04 .局部表面的處理,例如使用掩蔽物的
C23C8-06 .使用氣體的
C23C8-40 .使用液體,例如鹽浴、懸浮液的
C23C8-60 .使用固體,例如粉末、膏劑的
- 導(dǎo)電化合物上的大晶粒低電阻率鎢
- 基于六方氮化硼和磁控濺射氮化鋁的氮化鎵生長方法
- 一種氮化鋁復(fù)合緩沖層及制備方法及氮化鎵基半導(dǎo)體器件
- 鎵解理面III族/氮化物磊晶結(jié)構(gòu)及其主動元件與其制作方法
- 一種氮化鋁復(fù)合緩沖層及氮化鎵基半導(dǎo)體器件
- 連續(xù)氮化處理爐和連續(xù)氮化處理方法
- 一種氮化雙向供氣裝置以及氮化雙向供氣系統(tǒng)
- 一種氮化雙向供氣裝置以及氮化雙向供氣系統(tǒng)
- 鎵解理面III族/氮化物磊晶結(jié)構(gòu)及其主動元件與其制作方法
- 鎵解理面III族/氮化物磊晶結(jié)構(gòu)及其主動元件與其制作方法





