[發(fā)明專利]高頻放大器有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201210280751.4 | 申請日： | 2012-08-08 |
| 公開（公告）號： | CN103117716A | 公開（公告）日： | 2013-05-22 |
| 發(fā)明（設計）人： | 高木一考 | 申請（專利權(quán)）人： | 株式會社東芝 |
| 主分類號： | H03F3/189 | 分類號： | H03F3/189 |
| 代理公司： | 永新專利商標代理有限公司 72002 | 代理人： | 夏斌;陳萍 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 日本;JP |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 高頻放大器 | ||
1.一種高頻放大器，具備：
分配電路，將所輸入的輸入信號分配為多個信號；
FET單元，放大由上述分配電路分配的上述信號；
穩(wěn)定電路，具有RC并聯(lián)電路，該RC并聯(lián)電路分別串聯(lián)連接在上述分配電路和上述FET單元的柵極端子之間，該RC并聯(lián)電路分別由電容器和電阻構(gòu)成；以及
合成電路，合成由上述FET單元放大的信號。
2.如權(quán)利要求1所述的高頻放大器，其中，
上述FET單元和上述RC并聯(lián)電路分別通過導線連接。
3.如權(quán)利要求1所述的高頻放大器，其中，
上述穩(wěn)定電路配置在與上述FET單元所配置的半導體基板不同的基板上。
4.如權(quán)利要求1所述的高頻放大器，其中，
上述分配電路、上述穩(wěn)定電路以及上述合成電路分別配置在與上述FET單元所配置的半導體基板不同的基板上。
5.如權(quán)利要求4所述的高頻放大器，其中，
上述分配電路和上述穩(wěn)定電路，配置在與上述FET單元所配置的半導體基板不同的同一基板上。
6.如權(quán)利要求4所述的高頻放大器，其中，
上述穩(wěn)定電路具備：
介質(zhì)的電路基板；
第一電極，形成在該電路基板上；
介質(zhì)層，形成在該第一電極上，在該介質(zhì)層上分別形成有上述電阻；
第二電極，形成在上述介質(zhì)層上，與上述第一電極和上述介質(zhì)層一起，分別構(gòu)成上述電容器；以及
第三電極，形成在上述介質(zhì)層上所形成的通孔上，將上述電阻和上述第一電極電連接。
7.如權(quán)利要求5所述的高頻放大器，其中，
上述穩(wěn)定電路具備：
介質(zhì)的電路基板；
電阻器，形成在該電路基板上；
電容器，形成在上述電路基板上，該電容器由第一電極、形成在該第一電極上的絕緣層以及形成在該介質(zhì)層上的第二電極構(gòu)成；
將上述電阻器的一端和上述第一電極電連接的線路；以及
將上述電阻器的另一端和上述第二電極電連接的線路。
8.如權(quán)利要求3所述的高頻放大器，其中，
與上述半導體基板不同的上述基板是介質(zhì)基板。
9.如權(quán)利要求4所述的高頻放大器，其中，
與上述半導體基板不同的上述基板是介質(zhì)基板。
10.如權(quán)利要求5所述的高頻放大器，其中，
與上述半導體基板不同的上述基板是介質(zhì)基板。
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