[發(fā)明專(zhuān)利]高頻放大器

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201210280751.4
• 申請(qǐng)日: 2012-08-08
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN103117716A
• 公開(kāi)（公告）日: 2013-05-22
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 高木一考
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 株式會(huì)社東芝
• 主分類(lèi)號(hào): H03F3/189
• 分類(lèi)號(hào): H03F3/189
• 代理公司: 永新專(zhuān)利商標(biāo)代理有限公司 72002
• 代理人: 夏斌;陳萍

關(guān)聯(lián)申請(qǐng)的引用：本申請(qǐng)以2011年11月16日申請(qǐng)的在先日本專(zhuān)利申請(qǐng)第2011-250470號(hào)為基礎(chǔ)并且要求其優(yōu)先權(quán)的利益，通過(guò)引用而將其整體內(nèi)容包含于本申請(qǐng)。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明的實(shí)施方式整體上涉及一種高頻放大器。

背景技術(shù)

在高頻放大器中，隨著構(gòu)成FET單元(晶胞)的場(chǎng)效應(yīng)晶體管(以下稱(chēng)為“FET”)的高性能化，奇數(shù)模(Odd?Mode)的環(huán)振蕩的頻率變高，其環(huán)變小，結(jié)果，就會(huì)在構(gòu)成高頻放大器的多個(gè)FET單元之間產(chǎn)生環(huán)振蕩。

為了抑制這種在FET單元之間產(chǎn)生的振蕩，而應(yīng)用了在FET單元之間的適當(dāng)位置上配置電阻(單元間電阻)的技術(shù)、在FET的柵極端子和接地之間配置電阻(分流電阻)的技術(shù)等。

在FET單元之間配置電阻的情況下，對(duì)于在由鄰接的FET單元形成的環(huán)中產(chǎn)生的振蕩的抑制是有效的，但是對(duì)于在由遠(yuǎn)離的FET單元形成的環(huán)中產(chǎn)生的振蕩的抑制可能沒(méi)有效果。

在FET的柵極端子和接地之間配置電阻的情況下，為了防止高頻特性的劣化(高頻信號(hào)的流出)，而需要設(shè)置較大的電感器。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的實(shí)施方式提供一種高頻放大器，能夠有效地抑制在多個(gè)FET單元中形成的環(huán)振蕩。

根據(jù)一個(gè)實(shí)施方式，提供一種高頻放大器，具有分配電路、FET單元、穩(wěn)定電路以及合成電路。分配電路將所輸入的輸入信號(hào)分配為多個(gè)信號(hào)。FET單元放大由上述分配電路分配的上述信號(hào)。上述穩(wěn)定電路具有RC并聯(lián)電路，該RC并聯(lián)電路分別串聯(lián)連接在上述分配電路和上述FET單元的柵極端子之間，該RC并聯(lián)電路分別由電容器和電阻構(gòu)成。上述合成電路對(duì)由上述FET單元放大的信號(hào)進(jìn)行合成。

通過(guò)上述構(gòu)成，能夠有效地抑制在多個(gè)FET單元中形成的環(huán)振蕩。

附圖說(shuō)明

圖1是表示第一實(shí)施方式的高頻放大器的示意平面圖形的圖。

圖2是表示第一實(shí)施方式的高頻放大器的電路構(gòu)成的圖。

圖3是表示沿著圖1的Ⅳ-Ⅳ線的截面的示意放大圖。

圖4是表示沿著圖1的Ⅴ-Ⅴ線的截面的示意放大圖。

圖5是表示沿著圖1的Ⅵ-Ⅵ線的截面的示意放大圖。

圖6是將圖1的部分J放大表示的平面圖。

圖7是表示沿著圖6的Ⅲ-Ⅲ線的截面的示意放大圖。

圖8是表示鄰接的FET單元之間的環(huán)的圖。

圖9是表示不鄰接的FET單元之間的環(huán)的圖。

圖10是比較例的具有穩(wěn)定電路的高頻放大器的概略電路圖。

圖11是第一實(shí)施方式的具有穩(wěn)定電路的高頻放大器的概略電路圖。

圖12是用于對(duì)比較例中的穩(wěn)定電路和第一實(shí)施方式中的穩(wěn)定電路各自的穩(wěn)定系數(shù)進(jìn)行比較的圖。

圖13是用于對(duì)比較例中的穩(wěn)定電路和第一實(shí)施方式中的穩(wěn)定電路各自的增益進(jìn)行比較的圖。

圖14是表示第二實(shí)施方式的高頻放大器的示意平面圖形的圖。

圖15是表示第二實(shí)施方式的高頻放大器的電路的圖。

圖16是表示沿著圖14的Ⅰ-Ⅰ線的截面的示意放大圖。

圖17是表示沿著圖14的Ⅱ-Ⅱ線的截面的示意放大圖。

具體實(shí)施方式

以下，參照附圖對(duì)實(shí)施方式進(jìn)行說(shuō)明。在附圖中，相同的符號(hào)表示相同或類(lèi)似的部分。

參照?qǐng)D1和圖2對(duì)第一實(shí)施方式進(jìn)行說(shuō)明。圖1是表示第一實(shí)施方式的高頻放大器的示意平面圖形的圖。圖2表示圖1所示的高頻放大器的電路。

第一實(shí)施方式的高頻放大器是功率放大器。如圖1和圖2所示，第一實(shí)施方式的高頻放大器具備輸入電路基板20、匹配電路電容器基板22、半導(dǎo)體基板24以及輸出電路基板26。在輸入電路基板20上形成有對(duì)輸入信號(hào)進(jìn)行分配的分配電路7。在匹配電路電容器基板22上形成有穩(wěn)定電路基板21，該穩(wěn)定電路基板21形成了對(duì)在FET單元(晶胞)之間產(chǎn)生的環(huán)振蕩進(jìn)行抑制的RC并聯(lián)電路9。在半導(dǎo)體基板24上形成有4個(gè)放大元件(FET)Q?1~Q4，該4個(gè)放大元件(FET)Q1~Q4構(gòu)成對(duì)由分配電路7分配的輸入信號(hào)進(jìn)行放大的FET單元(晶胞)。放大元件Q1~Q4是所謂的分立半導(dǎo)體器件(分立式半導(dǎo)體器件)。在輸出電路基板26上形成有對(duì)來(lái)自多個(gè)放大元件Q1~Q4的輸出進(jìn)行合成的合成電路8。