[發明專利]一種鉛離子印跡檢測試紙及其制備方法

無效

• 申請號: 201210280580.5
• 申請日: 2012-08-08
• 公開（公告）號: CN102809560A
• 公開（公告）日: 2012-12-05
• 發明（設計）人: 李英;劉麗;尹剛強;梁烽;李泳濤;陳旭輝;吳景武;劉志紅;廖文忠;白爽;孫小穎;李成發
• 申請（專利權）人: 深圳出入境檢驗檢疫局工業品檢測技術中心
• 主分類號: G01N21/78
• 分類號: G01N21/78
• 代理公司: 深圳鼎合誠知識產權代理有限公司 44281
• 代理人: 彭家恩

技術領域

本申請涉及金屬離子檢測領域，特別涉及一種用于鉛離子印跡檢測的試紙及該試紙的制備方法。

背景技術

鉛是一種嚴重危害人類健康的重金屬元素,可影響神經、造血、消化、泌尿、心血管、生殖、骨骼等各類器官，主要的靶器官是神經系統和造血系統，更為嚴重的是它影響嬰幼兒的生長和智力發育，損傷認知功能、神經行為和學習記憶等腦功能，嚴重者造成癡呆。對于兒童，學術界已經確認，只要血鉛水平超過0.1mg/L，不管有沒有臨床癥狀、體征，都可以確診為兒童鉛中毒，鉛中毒會導致智力下降，出現學習障礙。

由于鉛在生物體內毒性持續時間長、易積累、危害大等特性，建立各種Pb²⁺離子檢測技術極為重要。近年來，隨著科技發展和檢測水平的進步，特別是在環境監測、食品衛生、海關商檢、工業廢水處理等部門，發展快速、簡便、靈敏和可靠鉛檢測技術，對于控制環境污染、保護人體健康，促進建立環境、衛生、食品安全、廢水處理檢測檢驗體系，都具有十分重要的理論和現實意義。

目前已報道的檢測鉛離子的方法有：分光光度法（邱罡,謝凝子，高靈敏度顯色劑在分光光度法測定鉛中的應用；理化檢驗(化學分冊)，2010，46(9):1104-1108），電化學分析法（于春梅，顧海鷹；電化學預處理玻碳電極示差脈沖伏安法測定水中痕量鉛，理化檢驗(化學分冊)，2010，46(5):525-530），原子發射光譜分析法（李良軍，姚永生，王秋蓮；電感耦合等離子體原子發射光譜法測定鉛精礦中6種元素，冶金分析，2010，30(3):57-59）,分光光度法和電化學分析法靈敏度較低，不適宜水中痕量甚至更低濃度鉛離子的檢測，原子發射光譜分析儀器設備比較昂貴，測定成本較高，而且不適合進行現場在線分析。因此發展高靈敏的現場低成本檢測鉛離子的方法就顯得尤為重要。

分子印跡技術（Molecular?Imprinting?Technique,MIT）又稱分子模板技術，其原理是將一個具有特定形狀和大小的、需要進行識別的分子（或離子）作為模板分子，把它溶于溶劑中，再加入特定的功能單體和交聯劑，引發聚合形成高度交聯的聚合物，其內部包埋與功能單體相互作用的模板分子，然后利用物理或化學方法將模板分子洗脫，這樣聚合物母體上留下了與模板分子形狀相似的孔穴，且孔穴內各功能基團的位置與所用的模板分子互補，從而實現對模板分子的識別。印跡聚合物可以對模板分子反復洗脫和吸附，因而可以多次使用。分子印跡技術具有以下特點：第一，預定性，即它可以根據不同的目的制備出不同的印跡聚合物，以滿足各種不同分子識別、分離的需要；第二，高度的識別性，由于印跡聚合物是按照不同的模板分子定做的，因此可專一性識別特定的模板分子。1989年美國化學家Kabanov和Nishide利用分子印跡技術制備了金屬離子印跡聚合物，獲得對印跡金屬離子具有高度選擇性識別功能的印跡聚合物，目前尚未有鉛離子的印跡聚合物及其相關印跡檢測。

光子晶體及基于光子晶體的各種納米結構材料的制備及性質研究是近年來物理、化學及材料科學的研究熱點之一。光子晶體是一種介電常數（或折射率）周期性變化排布的材料，其介電常數的周期性變化能夠調制材料中光子的狀態模式。如果材料中某一組分的性質發生物理或化學變化，介質的折射率也會發生變化，根據布拉格散射可以知道光子帶隙會發生紅移或藍移。利用光子晶體材料對于環境變化會帶來光子帶隙漂移變化的特性，可以制備各種化學傳感器。1997年，Asher研究小組在Nature雜志上首次描述了利用膠體顆粒的自組裝技術制備了具有光子晶體結構的水凝膠敏感聚合物材料，該材料對重金屬離子具有高度敏感的光學響應。

發明內容

本申請提供一種新的檢測鉛離子的印跡檢測試劑，以及該印跡檢測試紙的制備方法。

根據本申請的第一方面，本申請提供一種鉛離子印跡檢測試紙，包括具有鉛離子空穴網絡結構的交聯高分子膜。

進一步的，交聯高分子膜以有機玻璃為支持材料，附著于有機玻璃上。

進一步的，交聯高分子膜表面具有三維光子晶體空穴結構。

更進一步的，交聯高分子膜的基質為丙烯酸、甲基丙烯酸中的一種或兩種與殼聚糖交聯而成。

根據本申請的第二方面，本申請提供一種鉛離子印跡檢測試紙的制備方法，包括以下步驟：

步驟A，用交聯高分子膜的基質溶液將鉛離子均勻的包埋；

步驟B，將包埋鉛離子的基質溶液涂覆在成膜材料表面、交聯聚合形成交

聯高分子膜；

步驟C，將交聯高分子膜與成膜材料剝離；