[發明專利]檢測方法及檢測裝置有效
| 申請號: | 201210279973.4 | 申請日: | 2008-11-04 |
| 公開(公告)號: | CN102789998A | 公開(公告)日: | 2012-11-21 |
| 發明(設計)人: | 涂凱文;王仁宏;周宗賢;潘文森 | 申請(專利權)人: | 旺宏電子股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/66 | 分類號: | H01L21/66 |
| 代理公司: | 中科專利商標代理有限責任公司 11021 | 代理人: | 任巖 |
| 地址: | 中國臺灣新竹*** | 國省代碼: | 中國臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 檢測 方法 裝置 | ||
本申請是分案申請,母案的申請號:200810169190.4,申請日:2008年11月4日,名稱:檢測方法及檢測裝置。
技術領域
本發明是有關于一種檢測方法,且特別是有關于一種用以檢測一圓盤的檢測方法及檢測裝置。
背景技術
隨著數字電子時代的來臨,半導體芯片已廣泛地應用在各式各樣的電子裝置中,而市場上對于半導體芯片的需求也日益殷切。因此,對于能夠以便宜成本生產大量半導體芯片的技術也不斷尋求改良的方式。一般在半導體芯片的制造工藝中,包括有利用一檢測裝置進行檢測的步驟,是于晶片(wafer)的生產過程中檢測晶片表面,以通過檢測結果來顯示目前工藝的狀況。進一步可于工藝中反映出工藝質量的異常,藉以監控工藝品質。因此,晶片表面上用以進行晶片表面檢測的測量點位置的決定,便會直接影響檢測結果的準確性。
請參照圖1,其繪示現有晶片表面上測量點分布的示意圖。為了方便決定多個測量點13于晶片表面10的位置,目前業界常用的決定方式,是將晶片表面10上的測量點13依同心圓分布,并且以對稱的方式配置。此外,當檢測多個晶片表面10時,每一次檢測晶片表面10的測量點13的配置方式均相同。
然而,由于測量點13是依同心圓分布,且每一片晶片的測量位置均相同,所以測量結果只能反映同心圓的狀況,無法完整表達整體制造工藝的狀況,進而無法有效地實時監控制造工藝的質量。此外,測量點13的位置及數目,無法有效地與欲達到的檢測敏感度配合。也就是說,現有的檢測方法及檢測裝置,無法有效地通過對應調整測量點13的位置及數目來改變檢測敏感度,大大限制了檢測方法及檢測裝置的應用靈活性。
發明內容
有鑒于此,本發明的主要目的在于提供一種檢測方法及一種檢測裝置,用以檢測一圓盤。檢測方法是將圓盤的表面分割為多個面積相等的區域,并且在這些區域中決定出多個測量位置,使得檢測位置可以涵蓋圓盤表面上不同半徑及不同圓心角,藉以可提升圓盤檢測的準確性。
根據本發明,提出一種檢測方法,用以檢測一圓盤。首先,將對應于圓盤的一坐標平面分割為面積相等的多個區域。接著,于此多個區域中決定多個測量位置。其次,經由一坐標轉換將此多個測量位置轉換為對應于圓盤的多個測量位置組。然后,依照此多個測量位置組檢測圓盤。
根據本發明,另提出一種檢測方法,用以檢測一圓盤。首先,由多個區域提供多個測量位置組,此多個區域是通過根據一半徑平方參數及一圓心角參數分割對應于圓盤的一坐標平面而形成。而后,利用抽出不放回的方式,由此多個測量位置組中取出多個測量位置組,以組成一個測量位置組集合。然后,依照取出的測量位置組集合檢測圓盤。
根據本發明,再提出一種檢測裝置,用以檢測一圓盤。檢測裝置包括一分割單元、一決定單元、一轉換單元以及一檢測單元。分割單元用以將對應于圓盤的一坐標平面分割為具有相同面積的多個區域。決定單元用以于此多個區域中決定出多個測量位置。轉換單元用以經由一坐標轉換將此多個測量位置轉換為對應于圓盤的多個測量位置組。檢測單元用以依照此多個測量位置組檢測圓盤。
根據本發明,更提出一種檢測裝置,用以檢測一圓盤。檢測裝置包括一取出單元以及一檢測單元。取出單元用以由多個測量位置組中利用抽出不放回的方式取出多個測量位置組,以組成一個測量位置組集合。此多個測量位置組是由根據一半徑平方參數及一圓心角參數分割對應于圓盤的一坐標平面而形成的多個區域所獲得。檢測單元用以依照取出的測量位置組集合檢測圓盤。
為讓本發明的上述內容能更明顯易懂,下文特舉較佳的實施例,并配合所附圖式,作詳細說明如下。
附圖說明
圖1繪示現有晶片表面上測量點分布的示意圖;
圖2繪示依照本發明較佳實施例的檢測裝置的功能方塊圖;
圖3繪示依照本發明較佳實施例的檢測方法的流程圖;
圖4繪示半徑平方參數及圓心角參數的坐標圖;
圖5繪示分割為面積相等的多個測量區域的一圓盤的示意圖;
圖6繪示各晶片表面檢測值的平均值與真實平均值的差值的曲線圖;以及
圖7繪示各晶片表面檢測值的標準差與真實標準差的差值的曲線圖。
【主要元件符號說明】
10:晶片表面
13、43(1)~43(6):測量點
31:區域
33:測量位置
41:測量區域
100:檢測裝置
110:分割單元
130:決定單元
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





