[發明專利]檢測方法及檢測裝置有效
| 申請號： | 201210279973.4 | 申請日： | 2008-11-04 |
| 公開（公告）號： | CN102789998A | 公開（公告）日： | 2012-11-21 |
| 發明（設計）人： | 涂凱文;王仁宏;周宗賢;潘文森 | 申請（專利權）人： | 旺宏電子股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/66 | 分類號： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 中科專利商標代理有限責任公司 11021 | 代理人： | 任巖 |
| 地址： | 中國臺灣新竹*** | 國省代碼： | 中國臺灣;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 檢測 方法 裝置 | ||
【權利要求書】：
1.一種檢測方法，用以檢測一圓盤，其特征在于，該檢測方法包括：
由多個區域提供多個測量位置組，該多個區域是通過根據一半徑平方參數及一圓心角參數分割對應于該圓盤的一坐標平面而形成；
利用抽出不放回的方式，由該多個測量位置組中取出多個測量位置組，以組成一個測量位置組集合；以及
依照取出的該測量位置組集合檢測該圓盤。
2.根據權利要求1所述的檢測方法，其特征在于，于提供該多個測量位置組的該步驟中，該半徑平方參數及該圓心角參數分別為該坐標平面的一縱坐標及一橫坐標。
3.根據權利要求1所述的檢測方法，其特征在于，于提供該多個測量位置組的該步驟中，該半徑平方參數及該圓心角參數分別為該坐標平面的一橫坐標及一縱坐標。
4.一種檢測裝置，用以檢測一圓盤，其特征在于，該檢測裝置包括：
一取出單元，用以由多個測量位置組中利用抽出不放回的方式取出多個測量位置組，以組成一個測量位置組集合，該多個測量位置組是由根據一半徑平方參數及一圓心角參數分割對應于該圓盤的一坐標平面而形成的多個區域所獲得；以及
一檢測單元，用以依照取出的該測量位置組集合檢測該圓盤。
5.根據權利要求4所述的檢測裝置，其特征在于，該半徑平方參數及該圓心角參數分別為該坐標平面的坐標軸項目。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
